有机发光显示设备和制造该有机发光显示设备的方法
【专利说明】
[0001] 在随本申请一起提交的发明专利请求书中认可的要求外国优先权或本国优先权 的任何和全部申请通过引用包含于此。本申请要求于2014年7月16日向韩国知识产权局 提交的第10-2014-0089801号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用 被全部包含于此。
技术领域
[0002] 本公开涉及有机发光显示设备和制造该有机发光显示设备的方法。
【背景技术】
[0003] 有机发光显示设备是一种自发光显示装置，其包括空穴注入电极、电子注入电极 以及形成在空穴注入电极和电子注入电极之间的有机发射层，并且随着由空穴注入电极所 注入的空穴和由电子注入电极所注入的电子进行复合和解体而发光。有机发光显示设备展 现诸如低功耗、高亮度以及快速响应速度的各种高品质特性，因此作为下一代显示设备而 受到关注。
【发明内容】
[0004] 本公开的一个或更多个实施例包括一种具有高光学效率、低制造成本的有机发光 显示设备和一种制造该有机发光显示设备的方法。
[0005] 附加方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过该描述而明了，或者 可通过提供的实施例的实践而获知。
[0006] 根据本公开的一个或更多个实施例，一种有机发光显示设备包括：基底；薄膜晶 体管（TFT)，布置在所述基底上；黑矩阵，位于基底和TFT之间；像素电极，位于基底和TFT 之间并具有被黑矩阵覆盖的边缘部分；绝缘层，覆盖TFT并使像素电极的顶表面敞开；有机 发射层，布置在像素电极上；对电极，布置在有机发射层上。
[0007]TFT包括有源层、栅电极、源电极和漏电极，从有源层、栅电极、源电极、漏电极中选 择的至少一个层直接形成在所述黑矩阵上。
[0008] 像素电极通过形成在黑矩阵中的接触孔连接到TFT的源电极或漏电极。
[0009] 黑矩阵包含耐受等于或高于550°C的温度的材料。
[0010] 黑矩阵包含硅树脂。
[0011] 暴露像素电极的绝缘层覆盖黑矩阵的侧表面。
[0012] 阻挡层布置在像素电极上。
[0013] 阻挡层与源电极和漏电极包含相同的金属。
[0014] 阻挡层被黑矩阵覆盖。
[0015] 黑矩阵包含如下面式1中示出的材料：
[0016]式1
[0017]
[0018] 像素电极包含透明材料，对电极包含反射材料。
[0019] 根据本公开的一个或更多个实施例，一种制造有机发光显示设备的方法包括：在 基板上形成像素电极；形成黑矩阵，以覆盖像素电极的边缘部分；在黑矩阵上形成TFT;形 成绝缘层，以覆盖TFT并暴露像素电极的顶表面；在像素电极上形成有机发射层；在有机发 射层上形成对电极。
[0020] TFT包括有源层、栅电极、源电极和漏电极，黑矩阵包括耐受等于或高于550°C的 温度的材料，从有源层、栅电极、源电极和漏电极中选择的至少一个层直接形成在黑矩阵 上。
[0021] 黑矩阵包含硅树脂。
[0022] 绝缘层形成为覆盖所述黑矩阵的侧表面。
[0023] 还在像素电极上形成阻挡层，并且在形成用于源电极和漏电极的图案的情况下， 阻挡层也与源电极和漏电极一起被蚀刻。
[0024] 阻挡层与源电极和漏电极包含相同的金属。
[0025] 阻挡层被黑矩阵覆盖。
[0026] 在黑矩阵中形成接触孔，像素电极通过接触孔接触TFT的源电极和漏电极。
[0027] 像素电极包含透明材料，对电极包含反射材料。
【附图说明】
[0028] 通过下面结合附图的对实施例进行的描述，这些和/或其它方面将变得明了且更 容易理解，在附图中：
[0029] 图1是根据第一实施例的有机发光显示（0LED)设备的示意性剖视图；
[0030] 图2A至图2G是示出根据第一实施例的制造有机发光显示设备的方法的示意性剖 视图；
[0031] 图3是根据对比实施例的有机发光显示设备的示意性剖视图；
[0032] 图4是根据第二实施例的有机发光显示设备的示意性剖视图；
[0033] 图5A至图5F是示出根据第二实施例的制造有机发光显示设备的方法的示意性剖 视图；
[0034] 图6是示出根据第三实施例的有机发光显示设备的示意性剖视图。
【具体实施方式】
[0035] 由于本公开允许各种变化和许多实施例，因此将在附图中示出并以书面描述来详 细地描述具体实施例。然而，这不意图将本公开限制为具体的实践模式，并且将领会的是， 不脱离本公开的精神和技术范围的全部变化、等同物及替代物均包含在本公开中。如这里 所使用的，术语"和/或"包括一个或更多个相关所列项的任意和全部组合。
[0036] 将在下面参照附图来更详细地描述本公开的实施例。无论图几，相同或相应的组 件都将以相同的附图标记表示，并省略多余的解释。
[0037] 将理解的是，虽然这里可以使用术语"第一"、"第二"等来描述不同的组件，但是这 些组件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与另一个组件区分开。
[0038] 如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式"一"、"一个（种） (者）"该"和"所述"也意图包括复数形式。
[0039] 还将理解的是，虽然这里所使用的术语"包括"和/或"包含"说明存在所述的特 征或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其它的特征或组件。
[0040] 将理解的是，当层、区域或组件被称为"形成在"另一层、区域或组件"上"时，该层、 区域或组件可以直接或间接地形成在所述另一层、区域或组件上。即，例如，可以存在中间 层、中间区域或中间组件。
[0041] 为了便于解释，可以夸大附图中元件的尺寸。换言之，由于附图中组件的尺寸和厚 度是为了便于说明而随意示出的，因此，下面的实施例不限于此。
[0042] 图1是根据本公开的第一实施例的有机发光显示（0LED)设备1的示意性剖视图。
[0043] 参照图1，像素电极111、对电极115和中间层113布置在根据第一实施例的有机 发光显示设备1的基底10上，其中，中间层113包括至少一个有机发射层113a并被布置在 像素电极111和对电极115之间。
[0044] 根据本实施例，由有机发射层113a发射的光被对电极115反射，透射穿过像素电 极111，并朝向基底10发射。换言之，根据本实施例的有机发光显示设备1是底部发射型 0LED设备。
[0045] 基底10不仅可以包括玻璃基底，也可以包括由聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET)、聚 萘二甲酸乙二醇酯（PEN)、聚酰亚胺等形成的塑料基底。
[0046] 还可布置缓冲层11，以在基底10的顶部形成平坦的表面并且防止杂质原子的渗 入。缓冲层11形成为包含氮化硅和/或氧化硅的单层或多层。
[0047] 像素电极111可包括透明材料，而对电极115可包括反射材料。像素电极111可 用作阳极，而对电极115可用作阴极并且电极的极性可颠倒。
[0048] 包括至少一个有机发射层113a的中间层113可布置在像素电极111和对电极115 之间。虽然未在图1中示出，但还可在像素电极111和对电极115之间布置空穴注入层、空 穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一个层。然而，本公开不限于此，可布置各种 其它功能层中的任何功能层。
[0049]薄膜晶体管（TFT)TFT1被布置为与像素电极111的一侧分开。TFTTFT1包括有源 层121、栅电极123、源电极125a和漏电极125b。
[0050] 有源层121可包括沟道区121c以及位于沟道区121c外部并掺杂有离子杂质的源 区121a和漏区121b。根据本实施例，有源层121可包含通过结晶工艺使非晶硅结晶而形成 的多晶硅。
[0051] 作为栅极绝缘层的第一绝缘层13形成在有源层121上，栅电极123在与沟道区 121c对应的位置处布置在第一绝缘层13上。
[0052] 栅电极123可形成为包含从铝（A1)、铂（Pt)、钯（Pd)、银（Ag)、镁（Mg)、金（Au)、 镍（Ni)、钕（Nd)、铱（Ir)、铬（Cr)、锂（Li)、钙（Ca)、钼（Mo)、钛（Ti)、钨（W)和铜（Cu)中 选择的一种或更多种金属的单层或多层。
[0053] 作为层间绝缘层的第二绝缘层14形成在栅电极123上，源电极125a和漏电极 125b布置在第二绝缘层14上。
[0054] 源电极125a和漏电极125b通过形成在第二绝缘层14中的开口（未示出）分别 接触有源层121的源区121a和漏区121b。源电极125a和漏电极125b可形成为包含从 铝（A1)、铂（Pt)、钯（Pd)、银（Ag)、镁（Mg)、金（Au)、镍（Ni)、钕（