阵列基板及其制备方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明属于阵列基板技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]随着显示装置(如液晶显示装置、有机发光二极管显示装置等)的分辨率、开口率的提高，其阵列基板中的结构密度越来越大，相应每个结构所能占据的面积就越来越小。
[0003]对于阵列基板中的引线(如栅线)，其面积减小主要表现为宽度降低；但宽度的降低会导致引线电阻升高、容易断裂等问题，从而降低了阵列基板的性能。
【发明内容】
[0004]本发明针对现有阵列基板中的引线电阻高、容易断线的问题，提供一种引线电阻低且不易断线的阵列基板及其制备方法、显示装置。
[0005]解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，其包括基底、多条引线、多个斜支撑面，其中:
[0006]所述斜支撑面为相对于基底倾斜设置的条形，且其长度方向平行于所述基底；
[0007]至少部分所述引线为斜设引线，每条所述斜设引线有至少部分长度沿斜支撑面的长度方向设在斜支撑面上。
[0008]优选的是，所述斜支撑面与基底间的夹角在45度至70度。
[0009]优选的是，所述斜设引线包括栅线、数据线、公共电极线中的至少一种。
[0010]进一步优选的是，所述斜设引线包括栅线，至少部分薄膜晶体管的有源区设在位于所述斜支撑面上的栅线上方，且所述有源区与栅线间设有栅绝缘层。
[0011]优选的是，所述阵列基板还包括:多个设于所述基底上方的、条状的、由绝缘材料构成的辅助凸起，每个辅助凸起具有至少一个相对于所述基底倾斜设置的侧面，所述侧面为所述斜支撑面。
[0012]进一步优选的是，每个所述辅助凸起具有两个相对于所述基底倾斜设置的侧面，两个所述侧面均为斜支撑面。
[0013]优选的是，所述阵列基板还包括:辅助绝缘层，所述辅助绝缘层中开有多个槽，所述槽的至少一个侧面相对于所述基底倾斜设置，所述侧面为所述斜支撑面。
[0014]进一步优选的是，所述辅助绝缘层为栅绝缘层；设于所述栅绝缘层的槽的侧面上的斜设引线为数据线。
[0015]解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板的制备方法，其包括:
[0016]在基底上方形成斜支撑面，所述斜支撑面为相对于基底倾斜设置的条形，且其长度方向平行于基底；
[0017]形成斜设引线，每条所述斜设引线有至少一部分长度沿斜支撑面的长度方向设在斜支撑面上。
[0018]优选的是，所述斜设引线包括栅线，所述形成斜设引线包括:通过构图工艺形成栅线，每条所述栅线有至少一部分长度沿斜支撑面的长度方向设在斜支撑面上；在所述形成斜设引线之后，还包括:形成覆盖所述栅线的栅绝缘层；通过构图工艺形成有源区，所述有源区设在位于所述斜支撑面上的栅线上方。
[0019]进一步优选的是，所述形成覆盖所述栅线的栅绝缘层包括:通过构图工艺形成覆盖所述栅线的栅绝缘层，所述栅绝缘层中开有多个槽，所述槽的至少一个侧面为所述斜支撑面；在通过构图工艺形成有源区后，还包括:通过构图工艺形成源极、漏极、数据线；其中所述源极、漏极与有源区接触，所述数据线与源极相连；且所述数据线有至少部分长度沿栅绝缘层的槽的侧面的长度方向设所述槽的侧面上。
[0020]解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括上述的阵列基板。
[0021]本发明的阵列基板包括斜支撑面和斜设引线，即其中有至少部分引线设于斜面上，故这些引线的实际宽度大于其在基底上的正投影的宽度，由此可在不增加引线在基板中所占据面积的情况下增大引线的实际宽度，从而降低引线的电阻和断线率。
【附图说明】
[0022]图1为本发明的实施例的一种阵列基板的斜支撑面的结构示意图；
[0023]图2为本发明的实施例的一种设有栅线的斜支撑面的结构示意图；
[0024]图3为图2的横截面的结构示意图；
[0025]图4为本发明的实施例的一种设有栅线和有源区的斜支撑面的结构示意图；
[0026]图5为本发明的实施例的另一种设有数据线的斜支撑面的横截面的结构示意图；
[0027]其中，附图标记为:1、斜支撑面；11、辅助凸起；12、辅助绝缘层；2、栅线；3、栅绝缘层；4、有源区；5、数据线；9、基底。
【具体实施方式】
[0028]为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细描述。
[0029]实施例1:
[0030]如图1至图5所示，本实施例提供一种阵列基板，其包括基底9、多条引线、多个斜支撑面1 ;其中，
[0031]斜支撑面1为相对于基底9倾斜设置的条形，且其长度方向平行于基底9 ;
[0032]至少部分引线为斜设引线，每条斜设引线有至少部分长度沿斜支撑面1的长度方向设在斜支撑面1上。
[0033]也就是说，与常规的阵列基板类似，本实施例的阵列基板也包括用于承载其他结构的基底9，以及设在基底9的薄膜晶体管、引线(栅线2、数据线5、公共电极线等)、电极、有机发光二极管(0LED)等常规结构。
[0034]而与常规阵列基板不同的是，本实施例的阵列基板中还包括斜支撑面1，且有至少部分引线为斜设引线。如图1、图2所示，斜支撑面1为长度方向平行于基底9的长条形，且相对于基底9倾斜，或者说，在垂直于斜支撑面1的长度方向的截面中，斜支撑面1边缘所截得的线与基底9边缘所截得的线间的夹角大于0度而小于90度；而每条斜设引线均有至少部分长度设于斜支撑面1上，即斜设引线沿斜支撑面1的长度延伸并位于斜支撑面1的上。简单的说，本实施例的阵列基板中有至少部分引线是设在“斜面”上的。
[0035]显然，如图2、图3所示，当在基底9上的正投影宽度相等时，斜面的实际宽度必然比平行于基底9的面的实际宽度更大，因此，设在斜支撑面1上的斜设引线的实际宽度也就必然比其在基底9上的正投影的宽度更大；这样，即可在不增加引线在阵列基板中所占的面积(即其在基底9上的正投影的宽度)的情况下，即增大引线的实际宽度，从而降低其电阻和断线率。
[0036]优选的，以上斜支撑面1与基底9间的夹角在45度至70度。
[0037]显然，如果斜支撑面1与基底9间的夹角过小，则增大引线宽度的效果不明显，而若夹角过大，又会给引线的制备等造成困难。经研究发现，以上的角度范围是比较合适的。
[0038]优选的，斜设引线包括栅线2、数据线5、公共电极线中的至少一种。
[0039]也就是说，栅线2、数据线5、公共电极线等均可设在斜支撑面1上，从而作为斜设引线。当然，如果阵列基板中还包括其他的引线(如用于进行触控的引线)，其也可为斜设引线。
[0040]优选的，斜设引线包括栅线2，且至少部分薄膜晶体管的有源区4设在位于斜支撑面1上的栅线2上方，且有源区4与栅线2间设有栅绝缘层3。
[0041]也就是说，如图4所示，当栅线2设在斜支撑面1上时，优选可将薄膜晶体管的有源区4也直接设在位于斜支撑面1上的栅线2上方(当然二者间有栅绝缘层3)，或者说，并没有从栅线2上伸出的“栅极”，而是栅线2与有源区4重叠的部分同时也作为栅极。
[0042]以上方式可在不增加有源区4正投影面积的情况下增加有源区4的面积，从而增强薄膜晶体管的导通能力；同时，该有源区4设于本就不透光的栅线2上方，故其不会增大不透光结构的面积，可使阵列基板的开口率增大。
[0043]当然，在以上情况下，源极、漏极(图中未示出)必然也有至少一部分位于斜支撑面1上方，以便与有源区4连接；由于本方案实际只是将用于薄膜晶体管的有源区4由设在平面变成了设在斜面，而未改变其实质结构，故在此不再详细描述，且图中也未画出其他结构。
[0044]另外，为了不影响显示效果，故其他用于进行显示的结构(如像素电极、有机发光二极管等)优选不应设于以上斜支撑面1上。
[0045]优选的，作为本实施例的一种方式，阵列基板还包括多个设于基底9上方的、条状的、由绝缘材料(如氮化硅、氧化硅等)构成的辅助凸起11，每个辅助凸起11具有至少一个相对于基底9倾斜设置的侧面，该侧面为斜支撑面1。
[0046]如前所述，引线优选设于斜支撑面1上，但阵列基板中原本不包括斜支撑面1。因此，如图1至图4所示，可在阵列基板中专门设置多个条状凸