者通过将由Ag形成的层（半透射性膜）和由口0 形成的层（透明导电膜）层叠而得到的层叠电极膜用作下部电极21。此外，将第一上部电 极层26变为由Al或Ag形成的层（反射电极膜）、或者由Al或Ag形成的膜（反射电极膜） 和由氧化铜锋形成的层形成的层叠体，该层叠体具有215nm的厚度（透明导电膜）。除了上 述W外，采用与实施例8相同的方法制造有机发光装置2。应指出地是，本实施例中制造的 有机发光装置是"底部发光"型的有机发光装置，其中将从发光层发出的光从基板侧取出。 此外，本实施例中，可将第一上部电极层26的构成材料从Al或Ag变为任何其他金属材料 例如Mo或Ti。
[0281] (实施例 14)
[028引实施例8中，代替娃半导体基板而使用了由玻璃、树脂等制成的透明基板。此外， 将多晶Si、无定形Si或氧化物半导体（例如IGZO)用作用于形成晶体管的层。进而，将通 过将由Ag形成的层（反射膜）和由ITO形成的层（透明导电膜）层叠而得到的层叠电极 膜用作下部电极。此外，将下述层（i)或（ii)选为第一上部电极层26 :
[028引 （i)具有15nm的厚度的由Ag形成的层（半透射性Ag层）和具有200nm的厚度的 由氧化铜锋形成的层（透明电极层）的层叠体；和
[0284] (U)具有215nm的厚度的由氧化铜锋形成的层（只由透明电极层形成的层）。
[0285] 除了上述W外，采用与实施例8相同的方法制造有机发光装置2。应指出地是，本 实施例中制造的有机发光装置2是"顶部发光"型的有机发光装置，其中将从发光层发出的 光从基板10的相反侧取出。此外，本实施例中，可将第一上部电极层26的构成材料从Al 或Ag变为任何其他金属材料例如Mo或Ti(半透射性膜或反射膜的构成材料）。
[0286] (实施例 15)
[0287] 除了在实施例8中形成了带有电极的基板（基板10)W致W两维矩阵状（图2C) 将发光像素20配置在基板10上W外，采用与实施例8相同的方法制造有机发光装置2。 [028引（实施例16)
[0289] 制造有机发光装置2W致配置在基板10上的发光像素20各自包括第一副像素 20曰、第二副像素2化和第=副像素20c，并且W两维矩阵状（图2D)配置发光像素20。
[0290] (1)形成基板的步骤（图7A)
[0291] 根据实施例8的部分（1)中所述的方法制造包括形成各个副像素（20a、2化、20c) 的下部电极（21a、2化、21c)和配线连接部24的带有电极的基板（基板10)。
[0292] (2)形成有机化合物层和第一上部电极层的步骤（图7B至图7D)
[0293] 根据实施例8的部分（2)-(4)中所述的方法形成了形成各个副像素（20a、2化、 20c)的有机化合物层（22a、2化、22c)和第一上部电极层（26a、2化、26c)。应指出地是，形 成各个构成部件时，对于各个副像素改变使用的有机材料、构成部件的厚度和形成构成部 件的位置。
[0294] 本实施例中，在第一副像素20a中形成了含有发红光有机化合物的第一有机化合 物层22a和第一上部电极层26a(图7B)。此外，在第二副像素20b中形成了含有发绿光有 机化合物的第二有机化合物层2化和第一上部电极层26b(图7C)。进而，在第=副像素20c中形成了含有发蓝光有机化合物的第=有机化合物层22c和第一上部电极层26c(图7D)。
[0295] (5)第二上部电极层的形成（图7E)
[0296] 根据实施例8的部分巧）中所述的方法，形成第二上部电极层27作为各个副像素 (20a、20b、20c)的共有电极（图7E)。应指出地是，本实施例中，可适当地加工（图案化） 第二上部电极层27,如实施例8的部分巧）中那样。
[0297] 化）密封步骤（图7巧
[029引根据实施例8的部分化）中所述的方法，形成了密封层30 (图7F)。应指出地是， 本实施例中，可将密封层30适当地加工（图案化），如实施例8的部分化）中那样。
[0299] 于是，制造了能够显示颜色的显示器，其中将红色、蓝色和绿色发光区域（副像 素）W两维矩阵状配置，如图2D中所示。
[0300] (评价结果）
[0301] 在实施例1-4、6-8、9-12和14-16的每个中，得到了从上部电极侧取出光的有机发 光装置。在实施例5和13的每个中，得到了从下部电极侧取出光的有机发光装置。此外， 实施例7和16的每个中得到的有机发光装置是全色显示器，其包括各自发出=色中的一种 的光的像素巧、G、B)。
[0302] 实施例1-7的每个中制造的有机发光装置1中，作为用作有机化合物层22的膜 的端部的截面形状的指标的tan(目）（tan(目1))为0. 28。此外，作为用作上部电极23的 膜的端部的截面形状的指标的tan( 0 ) (tan( 02))为0. 43。目P，作为形成有机发光装置1 的有机化合物层22和上部电极23各自的端部的截面形状的指标的tan(目）（tan(目1)或 tan(目2))为 0. 20W上。
[0303] 实施例8-16的每个中制造的有机发光装置2中，作为用作有机化合物层22的膜 的端部的截面形状的指标的tan( 0 ) (tan( 03))为0. 28。此外，作为用作第一上部电极层 26的膜的端部的截面形状的指标的tan(目）（tan(目3))为0. 31。进而，作为用作第二上部 电极层27的膜的端部的截面形状的指标的tan( 0 )(tan( 04))为0. 29。目P，作为形成有机 发光装置2的有机化合物层22、W及形成上部电极23的第一上部电极层26和第二上部电 极层27各自的端部的截面形状的指标的tan( 0 )(tan( 03)或tan( 04))都为0. 20W上。 进而，有机化合物层22的端部的端部锥形宽度为0. 7ym，并且形成上部电极23的第一上部 电极层26和第二上部电极层27的端部的端部锥形宽度均为0. 7ym。
[0304] 另一方面，在比较例1和2中制造的每个有机发光装置中，有机化合物层22的端 部锥形宽度为142ym,并且上部电极23、束一上部电极层26和束^上部电极层27的端部 的端部锥形宽度均为228ym。因此，实施例（1-16)的每个中制造的有机发光装置中，能够 使有机化合物层22的端部锥形宽度减小137ym，并且能够使上部电极23的端部锥形宽度 减小223ym。由上述可知，在其边框区域由有机化合物层和上部电极限定的有机发光装置 的基板上的1边中，能够使边框区域减小最大360ym。
[0305] 此外，由于下述原因，可知实施例1-8的每个中制造的有机发光装置1是长寿命发 光装置：用上部电极23覆盖有机化合物层22的端部，因此防止起因于水分或氧的渗透的发 光像素部的劣化。同样地，由于下述原因，可知实施例9-16的每个中制造的有机发光装置 2是长寿命发光装置：用由第一上部电极层26和第二上部电极层27形成的上部电极23覆 盖有机化合物层22的端部，因此抑制起因于水分或氧的渗透的发光像素部的劣化。
[0306] 尽管已参照例示实施方案对本发明进行了说明，但应理解本发明并不限于所公开 的例示实施方案。下述权利要求的范围应给予最宽泛的解释W包括所有运样的变形W及等 同的结构和功能。
【主权项】
1. 有机发光装置，包括： 基板；和 在该基板上依次设置的下部电极、包括发光层的有机化合物层、和上部电极， 其中： 该有机化合物层覆盖该下部电极； 该上部电极覆盖该有机化合物层； 将该上部电极与基板中设置的配线连接部电连接；和 该有机化合物层的至少部分区域中的端部的截面的倾斜与该基板的表面之间形成的 角用Θi表示时，满足下式（1)和（2): tan(Θj) =d/d2 (1) tan(ΘD彡 〇· 2 (2) 式（1)中，山表示该有机化合物层的厚度并且屯表示该有机化合物层的端部的截面的 锥形宽度。2. 根据权利要求1的有机发光装置，其中该上部电极的端部的截面的倾斜与该基板的 表面之间形成的角用θ2表示时，满足下式（3)和（4): tan(Θ2) =d3/d4 (3) tan(Θ2)多 〇· 2 (4) 式（3)中，d3表示该上部电极的厚度并且d4表示该上部电极的端部的截面的锥形宽度。3. 根据权利要求1的有机发光装置，其中： 该上部电极以所述的顺序包括第一上部电极层和第二上部电极层； 该有机化合物层的平面图案与该第一上部电极层的平面图案基本上相同； 该第二上部电极层的至少一部分与该第一上部电极层重叠；和 该第二上部电极层在该第二上部电极层不与该第一上部电极层重叠的区域中与基板 中设置的配线连接部电连接。4. 根据权利要求3的有机发光装置，其中该第一上部电极层的端部的截面的倾斜与该 基板的表面之间形成的角用θ3表示时，满足下式（5)和（6): tan(Θ3) =d5/d6 (5) tan(Θ3)彡 〇· 2 (6) 式（5)中，d5表示该第一上部电极层的厚度并且d6表示该第一上部电极层的端部的截 面的锥形宽度。5. 根据权利要求3的有机发光装置，其中该第二上部电极层的端部的截面的倾斜与该 基板的表面之间形成的角用θ4表示时，满足下式（7)和（8): tan(Θ4) =d7/ds (7) tan(Θ4) ^0.2 (8) 式（7)中，d7表示该第二上部电极层的厚度并且ds表示该第二上部电极层的端部的截 面的锥形宽度。6. 根据权利要求3的有机发光装置，其中形成该第二上部电极层以覆盖该第一上部电 极层。7. 根据权利要求1的有机发光装置，其中该有机化合物层的端部的截面的锥形宽度和 该上部电极的端部的截面的锥形宽度中的一者为5 μπι以下。8. 根据权利要求1的有机发光装置，还包括形成以覆盖该上部电极的密封层， 其中该密封层的一部分具有用于形成外部连接端子部的开口。9. 显示装置，包括： 根据权利要求1-8的任一项的有机发光装置；和 与该有机发光装置连接的有源元件。10. 图像信息处理装置，包括： 用于输入图像信息的输入部； 用于处理该图像信息的信息处理部；和 用于显示图像的显示部， 其中该显示部包括权利要求9的显示装置。11. 照明装置，包括： 权利要求1-8的任一项的有机发光装置；和 用于向该有机发光装置供给驱动电压的AC/DC变换器。12. 照明装置，包括： 权利要求1-8的任一项的有机发光装置；和 散热器， 其中该散热器用于将该照明装置内的热散发到外部。13. 图像形成装置，包括： 感光部件； 用于使该感光部件带电的带电部； 用于对该感光部件曝光的曝光部；和 用于向该感光部件供给显像剂的显像部， 其中该曝光部包括权利要求1-8的任一项的有机发光装置。14. 曝光装置，其用于对感光部件曝光，该曝光装置包括多个有机发光装置，其中至少 一个包括权利要求1-8的任一项的有机发光装置， 其中将该多个有机发光装置沿该感光部件的长轴方向以一列配置。15. 有机发光装置的制造方法，该有机发光装置包括基板、以及在该基板上依次设置的 下部电极、包括发光层的有机化合物层和上部电极，该方法包括： 在该下部电极上设置用于确定发光区域的发光限定区域； 在该下部电极上形成该有机化合物层； 将该有机化合物层图案化；和 在该有机化合物层上形成该上部电极， 其中该有机化合物层的端部的截面的倾斜与该基板的表面之间形成的角用Θ i表示 时，满足下式（1)和（2): tan ( Θ j) = d/d2 (1) tan( Θ D彡〇· 2 (2) 式（1)中，山表示该有机化合物层的厚度并且屯表示该有机化合物层的端部的截面的 锥形宽度。16. 根据权利要求15的有机发光装置的制造方法，其中将该有机化合物层图案化包 括： 在形成该有机化合物层前形成剥离层； 以至少使在配置该垫部的区域中形成的剥离层残留的方式通过采用光刻法将该剥离 层图案化；和 形成该有机化合物层后将该剥离层与在该剥离层上设置的有机化合物层一起除去。17. 根据权利要求15的有机发光装置的制造方法，其中将该有机化合物层图案化包 括： 形成该有机化合物层后形成剥离层； 以至少使发光区域中的剥离层和有机化合物层残留的方式通过采用光刻法进行图案 化；和 将该剥离层除去以使该有机化合物层的表面露出。18. 有机发光装置的制造方法，该有机发光装置包括基板、下部电极、上部电极、和在该 下部电极和该上部电极之间配置的包括发光层的有机化合物层，在该基板上依次设置该下 部电极、该上部电极和该有机化合物层，该方法包括： 在该下部电极上形成用于确定发光区域的发光区域限定部件； 在该下部电极上连续地形成该有机化合物层和第一上部电极层； 将该有机化合物层和该第一上部电极层图案化；和 在该第一上部电极层上形成第二上部电极层， 该有机化合物层的平面图案与该第一上部电极层的平面图案基本上相同； 该第二上部电极层的至少一部分与该第一上部电极层重叠；和 该第二上部电极层在该第二上部电极层不与该第一上部电极层重叠的区域中与基板 中设置的配线连接部电连接。19. 根据权利要求18的有机发光装置的制造方法，其中将该有机化合物层和该第一上 部电极层图案化包括： 在该第一上部电极层上设置抗蚀剂； 通过光刻法将该抗蚀剂加工为具有预定形状的抗蚀剂图案；和 通过利用该抗蚀剂图案，通过蚀刻将该有机化合物层和该第一上部电极层的一部分除 去。20. 根据权利要求18的有机发光装置的制造方法，其中将该有机化合物层和该第一上 部电极层图案化包括： 在形成用作有机化合物层的膜前，在除去该有机化合物层和该第一上部电极层的区域 中形成剥离层； 连续地形成该有机化合物层和该第一上部电极层；和 蚀刻该剥离层以除去该剥离层以及该剥离层上设置的该有机化合物层和该第一上部 电极层。
【专利摘要】本发明提供有机发光装置，包括：基板；以及在该基板上依次设置的下部电极、包括发光层的有机化合物层、和上部电极，其中：该有机化合物层覆盖该下部电极；该上部电极覆盖该有机化合物层；该上部电极与该基板中设置的配线连接部电连接；并且该有机化合物层的至少部分区域中的端部的截面的倾斜与该基板的表面之间形成的角用θ1表示时，满足下式(1)和(2)：tan(θ1)＝d1/d2(1)tan(θ1)≥0.2(2)式(1)中，d1表示该有机化合物层的厚度并且d2表示该有机化合物层的端部的截面的锥形宽度。
【IPC分类】H01L27/32, H01L51/52, H01L51/56
【公开号】CN105321980
【申请号】CN201510336507
【发明人】盐原悟, 坂口清文, 松田阳次郎, 水野信贵
【申请人】佳能株式会社
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年6月17日
【公告号】US20150364716