一种节省光刻版数量的金属氧化物半导体场器件制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体器件，特别是涉及一种节省光刻版数量的金属氧化物半导体场器件制造方法。
【背景技术】
[0002]随着Fab的竞争越来越激烈，如何降低工艺成本就显得越来越重要。在绝大多数芯片中，都会集成低压(LV)器件，如果能够降低LV器件的工艺制程成本，就可以降低整个芯片的制造成本，因此显得尤为重要。
【发明内容】
[0003]基于此，有必要提供一种能够节省光刻版数量的金属氧化物半导体场器件制造方法。
[0004]一种节省光刻版数量的金属氧化物半导体场器件制造方法，包括下列步骤:在衬底上形成N阱、P阱及隔离结构及栅氧化层，并淀积多晶硅；采用第一光刻版光刻并刻蚀，形成NM0S的多晶硅栅极；其中采用第一光刻版曝光并显影后剩余的光刻胶将所述N阱上未被隔离结构覆盖的区域覆盖；去胶后进行轻掺杂漏极离子注入，在所述P阱内形成N型第一掺杂区；在所述NM0S的多晶硅栅极两侧形成侧墙；进行N型重掺杂离子注入，在所述P阱内形成N型第二掺杂区；采用第二光刻版光刻并刻蚀，形成PM0S的多晶硅栅极；其中采用第二光刻版曝光并显影后剩余的光刻胶将所述P阱上未被隔离结构覆盖的区域覆盖；在光刻胶的掩蔽下进行P型重掺杂离子注入，在所述N阱内形成P型掺杂区。
[0005]在其中一个实施例中，所述采用第二光刻版光刻并刻蚀的步骤之后，还包括进行N型离子的袋状注入，在所述N阱内形成袋状掺杂区的步骤。
[0006]在其中一个实施例中，所述去胶后进行轻掺杂漏极离子注入，在所述P阱内形成N型第一掺杂区的步骤中，注入离子在所述NM0S的多晶硅栅极的作用下自对准。
[0007]在其中一个实施例中，所述N型第二掺杂区为N+区域。
[0008]在其中一个实施例中，所述P型掺杂区为P+区域。
[0009]上述节省光刻版数量的金属氧化物半导体场器件制造方法，相应制程中只需要使用两块光刻版，分别是包含低压NM0S的多晶硅栅极刻蚀和NLDD注入的第一光刻版，以及包含低压PM0S的多晶硅栅极刻蚀和PSD注入的第二光刻版。在保证器件的低压NM0S和低压PM0S特性的同时，相对于传统技术省掉了 NLDD注入及NSD注入的光刻版，从而大大降低了成本。
【附图说明】
[0010]通过附图中所示的本发明的优选实施例的更具体说明，本发明的上述及其它目的、特征和优势将变得更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分，且并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
[0011]图1是一种传统的低压M0S器件的制造流程图；
[0012]图2a?2e是采用图1所示方法进行制造的过程中器件的剖面示意图；
[0013]图3是图1所示的所有步骤完成后器件的剖面示意图；
[0014]图4是一实施例中节省光刻版数量的金属氧化物半导体场器件制造方法的流程图；
[0015]图5a?5d是采用图4所示方法进行制造的过程中器件的剖面示意图；
[0016]图6是图4所示所有步骤完成后器件的剖面示意图。
【具体实施方式】
[0017]为使本发明的目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的【具体实施方式】做详细的说明。在本说明书和附图中，分配给层或区域的参考标记N和P表示这些层或区域分别包括大量电子或空穴。进一步地,分配给N或P的参考标记+和一表示掺杂剂的浓度高于或低于没有这样分配到标记的层中的浓度。在下文的优选实施例的描述和附图中，类似的组件分配有类似的参考标记且该处省略其冗余说明。
[0018]图1是一种传统的低压M0S器件的制造流程图，包括下列步骤:
[0019]SI 1，用多晶硅刻蚀光刻版光刻并刻蚀，形成低压NM0S和PM0S的多晶硅栅极。
[0020]请参看图2a，在衬底110上形成N阱121、P阱122、栅氧化层(图2a?2e未示)、场氧140 (作为隔离结构)，并进行了多晶硅(P0LY)淀积后，使用多晶硅刻蚀光刻版进行光亥IJ，在光刻胶191的保护下刻蚀多晶硅，形成LVNM0S (图2a中左侧结构)的多晶硅栅极152和LVPM0S(图2a中右侧结构)的多晶硅栅极151。
[0021]S12，用NLDD注入光刻版光刻并进行LDD注入，在低压NM0S的P阱内分别形成源、漏极轻掺杂区。
[0022]参看图2b，使用N型轻掺杂漏极(NLDD)光刻版进行光刻，并在光刻胶193的掩蔽下进行轻掺杂漏极(LDD)离子注入，在P阱122内、多晶硅栅极152的两侧形成源、漏极轻?多杂区132。
[0023]S13，在低压NM0S和PM0S的多晶硅栅极两侧形成侧墙。
[0024]参看图2c，分别形成侧墙162和侧墙161。
[0025]S14，分别用N型、P型重掺杂注入光刻版光刻并注入形成N+区和P+区。
[0026]参看图2d和图2e，分别是N型重掺杂(NSD)离子注入和P型重掺杂(PSD)离子注入的示意图，这两个注入步骤的顺序可以互换。采用N型重掺杂光刻版光刻形成光刻胶195后注入形成N+区132。采用P型重掺杂光刻版光刻形成光刻胶197后注入形成P+区131。
[0027]上述步骤完成后的低压M0S结构如图3所示。可以看到，上述步骤中用到了四块光刻版，分别是步骤S11的多晶硅刻蚀光刻版，步骤S12的NLDD注入光刻版，步骤S14中的N型重掺杂注入光刻版及P型重掺杂注入光刻版。
[0028]图4是一实施例中节省光刻版数量的金属氧化物半导体场器件制造方法的流程图，包括下列步骤:
[0029]S21，在衬底上形成N阱、P阱、隔离结构及栅氧化层，并淀积多晶硅。
[0030]图5a?图5d是采用图4所示方法在器件制造过程中的剖面示意图。首先在衬底210上形成N阱221、P阱222、隔离结构240以及栅氧化层(图5a?图5d未示)，然后淀积一层多晶石圭。
[0031]S22,米用第一光刻版光刻并刻蚀，形成NM0S的多晶娃栅极。
[0032]请参看图5a，第一光刻版的图案设计应使得显影后位于低压NM0S区域(图5a