阵列基板及其制备方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]有机电致发光显示(Organic Light-Emitting D1de ;0LED)器件作为一种新型的平板显示，由于具有主动发光、发光亮度高、宽视角、响应速度快、低能耗以及可柔性化等特点，受到了越来越多的关注，成为可能取代液晶显示的下一代显示技术。0LED以驱动方式分为主动式驱动(AM-0LED)和被动式驱动(PM-0LED)。
[0003]PM-0LED的典型结构是由玻璃基板、IT0(indium tin oxide ;铟锡氧化物)阳极(Anode)、有机发光层(Emitting Material Layer)与阴极(Cathode)等所组成，具有结构简单，驱动引线少，周边电路占用区域少等特性。
[0004]AM-0LED则被应用于显示面板的每一个子像素中，且在每一个子像素中还配备具有开关功能的低温多晶娃薄膜晶体管(Low Temperature Poly-Si Thin FilmTransistor, LTP-Si TFT)和电荷存储电容，外围驱动电路和显示阵列整个系统集成在同一玻璃基板上。具有响应速度快，高对比度，色域广，节能等优点，是0LED技术发展的主流方向，但是由于每个低温多晶硅薄膜晶体管都至少具有栅极驱动，源漏极驱动等大量的外围引线。而这些引线区域无法发光，导致最终显示装置必然存在一定宽度的无法显示画面的黑色区域，也就是显示面板的边框区域，造成显示面板无法实现窄边化。
【发明内容】
[0005]本发明所要解决的技术问题包括，针对现有的阵列基板存在的上述问题，提供一种可以实现窄边化的阵列基板及其制备方法、显示装置。
[0006]解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，包括显示区域和将所述显示区域包围的周边区域，在所述显示区域设置有多个主动式有机电致发光二极管，所述阵列基板还包括设置在所述周边区域的多个被动式有机电致发光二极管；其中，所述主动式有机电致发光二极管和被动式有机电致发光二极管均与电源驱动单元电连接。
[0007]优选的是，所述主动式有机电致发光二极管的顶电极与所述被动式有机电致发光二极管的顶电极同层设置且材料相同；
[0008]所述主动式有机电致发光二极管的底电极与所述被动式有机电致发光二极管的底电极同层设置且材料相同；
[0009]所述主动式有机电致发光二极管的发光层与所述被动式有机电致发光二极管的发光层同层设置且材料相同。
[0010]优选的是，多个所述被动式有机电致发光二极管呈矩阵排列，设于同一行的所述被动式有机电致发光二极管的底电极连接成一体；设于同一列的所述被动式有机电致发光二极管的顶电极连接成一体。
[0011]优选的是，所述阵列基板还包括:位于周边区域的所述被动式有机电致发光二极管所在层下方的栅极驱动电路。
[0012]优选的是，所述阵列基板还包括:位于显示区域的所述主动式有机电致发光二极管所在层下方的多个开关晶体管；其中，每一个所述开关晶体管的漏极连接一个所述主动式有机电致发光二极管的底电极。
[0013]优选的是，所述阵列基板还包括位于显示区域的所述主动式有机电致发光二极管的像素限定层上方的多个第一隔垫柱；以及，位于周边区域的所述被动式有机电致发光二极管的像素限定层上方的多个第二隔垫柱。
[0014]进一步优选的是，所述第一隔垫柱的形状为正梯形；所述第二隔垫柱的形状为倒梯形。
[0015]解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括显示区域和将所述显示区域包围的周边区域，所述制备方法包括:在位于显示区域的基底上方，形成多个主动式有机电致发光二极管的步骤，以及，
[0016]在位于周边区域的基底上方，形成多个被动式有机电致发光二极管的步骤；其中，
[0017]所述主动式有机电致发光二极管和被动式有机电致发光二极管均与电源驱动单元电连接。
[0018]优选的是，所述主动式有机电致发光二极管的顶电极与所述被动式有机电致发光二极管的顶电极采用一次构图工艺形成；
[0019]所述主动式有机电致发光二极管的底电极与所述被动式有机电致发光二极管的底电极采用一次构图工艺形成；
[0020]所述主动式有机电致发光二极管的发光层与所述被动式有机电致发光二极管的发光层采用一次构图工艺形成。
[0021]优选的是，在通过一次构图工艺形成包括所述主动式有机电致发光二极管的顶电极与所述被动式有机电致发光二极管的顶电极之前，还包括:
[0022]在位于显示区域的所述主动式有机电致发光二极管的像素限定层上方形成多个第一隔垫柱；以及，在位于周边区域的所述被动式有机电致发光二极管的像素限定层上方形成多个第二隔垫柱。
[0023]进一步优选的是，所形成的所述第一隔垫柱为正梯形；所形成的所述第二隔垫柱为倒梯形。
[0024]优选的是，所形成的多个所述被动式有机电致发光二极管呈矩阵排列，设于同一行的所述被动式有机电致发光二极管的底电极连接成一体；设于同一列的所述被动式有机电致发光二极管的顶电极连接成一体。
[0025]优选的是，在周边区域形成所述被动式有机电致发光二极管的步骤之前，还包括:
[0026]在位于周边区域的基底上形成栅极驱动电路的步骤。
[0027]优选的是，在显示区域形成所述主动式有机电致发光二极管的步骤之前，还包括:
[0028]在位于所述显示区域的基底上形成多个开关晶体管的步骤；以及，
[0029]在所述开关晶体管的上方形成平坦化层，并在每个开关晶体管的漏极上方形成贯穿平坦化层的过孔；其中，
[0030]每个开关晶体管的漏极通过所述过孔连接一个主动式有机电致发光二极管的底电极。
[0031]解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括上述的阵列基板。
[0032]本发明具有如下有益效果:
[0033]本发明的阵列基板的周边区域设置有多个被动式有机电致发光二极管，能够使得阵列基板的周边区域进行发光，因此可以实现窄边框的显示效果。
[0034]本发明的阵列基板的制备方法，步骤简单、易于操作。
[0035]本发明的显示装置由于包括上述的阵列基板，故其边框较窄。
【附图说明】
[0036]图1为本发明的实施例1的阵列基板的平面示意图；
[0037]图2为图1的A-A '的剖视图；
[0038]图3为本发明的实施例2的阵列基板的制备方法的步骤六的示意图；
[0039]图4为本发明的实施例2的阵列基板的制备方法的步骤七的示意图；
[0040]图5为本发明的实施例2的阵列基板的制备方法的步骤八的示意图；
[0041]图6为本发明的实施例2的阵列基板的制备方法的步骤九的示意图。
[0042]其中附图标记为:10、基底；11、缓冲层；12、有源层；13、栅极绝缘层；14、栅极；15、层间绝缘层；16A、源极；16B、漏极；17、平坦化层；18、AM_0LED的阳极；19、AM_0LED的像素限定层；20、第一隔垫柱；21、AM-0LED的发光层；22、PM_0LED的发光层；23、PM_0LED的像素限定层；24、第二隔垫柱；25、PM-0LED的阳极；26、AM_0LED的阴极；27、PM_0LED的阴极。
【具体实施方式】
[0043]为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细描述。
[0044]首先，在此需要说明的是，有机电致发光二极管(0LED)包括正置型和倒置型；其中，正置型的0LED其阴极设置于阳极上方，也就是说顶电极为阴极，底电极为阳极；而倒置型的0LED其阳极设置于阴极