的均一性。从而，进一步提高了后续形成的半导体器件的有源区的性能，进一步提高了后续形成的半导体器件的性能。
[0098]其他实施例中，在NM0S区域A半导体衬底、隔离结构、半导体材料层上和在PM0S区域B半导体衬底、隔离结构、半导体材料层上不形成连接层的方法也属于本发明的保护范围。只是后续形成的半导体结构的有源区的性能比上一个实施例略差些。
[0099]接着，在NM0S区域A的有源区上形成NM0S区域A的栅极结构，在NM0S区域A的栅极结构的周围形成侧墙，以NM0S区域A的侧墙为掩膜，在NM0S区域A侧墙两侧的有源区进行N型离子注入，形成NMOS区域A的源极和漏极。在PMOS区域B的有源区上形成PMOS区域B的栅极结构，在PMOS区域B的栅极结构的周围形成侧墙，以PMOS区域B的侧墙为掩膜，在PMOS区域B的侧墙两侧的有源区进行P型离子注入，形成PMOS区域B的源极和漏极。
[0100]实施例二
[0101]实施例二与实施例一的区别为:半导体衬底不分为NM0S区域和PM0S区域，相应的隔离结构、凹槽和凹槽内的半导体材料层也不分为NM0S区域和PM0S区域。本实施例中的半导体结构的形成方法，具体如下:
[0102]提供半导体衬底；
[0103]在所述半导体衬底上形成至少一个隔离结构；
[0104]在所述隔离结构两侧的半导体衬底内形成凹槽，所述凹槽深度小于所述隔离结构的深度；
[0105]在所述凹槽内填充满半导体材料层，且半导体材料层高于所述半导体衬底，所述高于半导体衬底的半导体材料层呈分立结构；
[0106]采用化学机械研磨的方法去除高于所述半导体衬底的半导体材料层，所述化学机械研磨包括粗研磨和精研磨，采用粗研磨去除高于所述半导体衬底的半导体材料层的上部分；
[0107]采用精研磨去除高于所述半导体衬底的半导体材料层的下部分，这样，就形成了有源区。
[0108]接着，在有源区上形成栅极结构，在栅极结构的周围形成侧墙，如果以所述侧墙为掩膜，在侧墙两侧的有源区进行N型离子注入，形成NM0S晶体管的源极和漏极，后续的形成的半导体器件为NM0S晶体管。如果以所述侧墙为掩膜，在侧墙两侧的有源区进行P型离子注入，形成PM0S晶体管的源极和漏极，后续形成的半导体器件为PM0S晶体管。
[0109]具体形成方法与材料，请参考第一实施例。
[0110]虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【主权项】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括: 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底上形成至少一个隔离结构； 在所述隔离结构两侧的半导体衬底内形成凹槽； 在所述凹槽内填充满半导体材料层，且半导体材料层高于所述半导体衬底，所述高于半导体衬底的半导体材料层呈分立结构； 采用化学机械研磨的方法去除高于所述半导体衬底的半导体材料层，所述化学机械研磨包括粗研磨和精研磨，采用粗研磨去除高于所述半导体衬底的半导体材料层的上部分；采用精研磨去除高于所述半导体衬底的半导体材料层的下部分。2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除高于半导体衬底的半导体材料层后，还包括下列步骤:对所述半导体材料层进行P型掺杂或N型掺杂。3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成半导体材料层的步骤之后，去除高于所述半导体衬底的半导体材料层的步骤之前，还包括下列步骤: 在所述半导体衬底、隔离结构、半导体材料层上形成连接层； 采用化学机械研磨的方法去除高于半导体衬底的半导体材料层和连接层。4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于， 所述半导体衬底包括PMOS区域和NMOS区域； 所述隔离结构包括PMOS区域的隔离结构和NMOS区域的隔离结构； 所述凹槽包括PMOS区域的凹槽和NMOS区域的凹槽； 所述半导体材料层包括PMOS区域的半导体材料层和NMOS区域的半导体材料层； 去除高于半导体衬底的半导体材料层后，还包括下列步骤: 对PMOS区域的半导体材料层进行P型掺杂，对NMOS区域的半导体材料层进行N型掺杂。5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述半导体材料层为锗。6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，形成半导体材料层的方法为选择性外延生长。7.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述连接层的材料为氧化硅或氮化硅。8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述粗研磨和精研磨的研磨液的PH值为大于等于7且小于等于13。9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述粗研磨中的研磨颗粒在研磨液中的质量百分比为大于等于0.5%且小于等于5%。10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述粗研磨中的研磨颗粒的平均直径为大于等于30纳米且小于等于150纳米。11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述粗研磨中的研磨颗粒的莫氏硬度为大于等于2且小于等于6，所述研磨颗粒中包括二氧化硅颗粒或者氧化铈颗粒的一种或者两种。12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述粗研磨的研磨液中包括第一卤素氧化剂。13.如权利要求12所述的形成方法，其特征在于，所述第一卤素氧化剂包括溴酸盐、亚溴酸盐、次溴酸盐中的一种或者多种，或者为氯酸盐、亚氯酸盐、次氯酸盐、高氯酸盐中的一种或者多种，或者为碘酸盐、次碘酸盐、高碘酸盐中的一种或者多种。14.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述粗研磨的研磨压力为大于等于1磅/平方英寸且小于等于3磅/平方英寸，并使研磨头的转速为大于等于30转/分钟且小于等于90转/分钟。15.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述半导体材料层的下部分高于所述半导体衬底200?400埃。16.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述精研磨中的研磨颗粒在研磨液中的质量百分比为大于等于0.25%且小于等于2%。17.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述精研磨中的研磨颗粒的平均直径为大于等于10纳米且小于等于80纳米。18.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述精研磨的研磨液中包括第二卤素氧化剂，所述第二齒素氧化剂包括溴酸盐、亚溴酸盐中的一种或者两种，或者为氯酸盐、亚氯酸盐中的一种或者两种。19.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述精研磨的研磨压力为大于等于.0.5磅/平方英寸且小于等于2磅/平方英寸，并使研磨头的转速为大于等于15转/分钟小于等于50转/分钟。
【专利摘要】一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成至少一个隔离结构；在所述隔离结构两侧的半导体衬底内形成凹槽；在所述凹槽内填充满半导体材料层，且半导体材料层高于所述半导体衬底，所述高于半导体衬底的半导体材料层呈分立结构；采用化学机械研磨的方法去除高于所述半导体衬底的半导体材料层，所述化学机械研磨包括粗研磨和精研磨，采用粗研磨去除高于所述半导体衬底的半导体材料层的上部分；采用精研磨去除高于所述半导体衬底的半导体材料层的下部分。采用本发明的方法能够提高。
【IPC分类】H01L21/304
【公开号】CN105448696
【申请号】CN201410425882
【发明人】蒋莉
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2014年8月26日