安装在第一手臂231上，可以实现第一手臂231带动探针221进行动作，例如，在对晶圆S释放残余电荷时，第一手臂231带动探针221移动至反应腔室内与晶圆上表面接触，在对晶圆S释放残余电荷后，第一手臂231带动探针221传出反应腔室，因而不仅可以提高双臂机械手的利用率，而且还可以提高反应腔室设置地合理性；另夕卜，第二手臂231用于实现晶圆S传入或传出反应腔室20。
[0027]容易理解，第一手臂231移动至晶圆S上方的水平移动过程和下降至探针221与晶圆S上表面接触的竖直移动过程可以同时进行，也可以分别进行。
[0028]顶针升降装置设置在静电卡盘21的下方，用以在对晶圆S残余的电荷释放之后将晶圆S顶起以远离静电卡盘21的上表面。具体地，顶针升降装置包括顶针241和升降驱动器(图中未示出)，顶针241贯穿静电卡盘21的上下表面，且可在静电卡盘21内升降；升降驱动器用于驱动顶针241升降，以将位于静电卡盘21上表面上的晶圆S顶起或者放下。
[0029]下面结合图4和图5详细地描述本实施例提供的反应腔室的工作过程。具体地，包括以下步骤:
[0030]步骤SI，第二手臂232将需要进行工艺的晶圆S自反应腔室20的外部传输至反应腔室20内，且位于静电卡盘21正上方的预设位置；
[0031]步骤S2，升降驱动器驱动顶针241上升将位于第二手臂232上的晶圆S顶起，空载的第二手臂232传出反应腔室20，驱动升降驱动器驱动顶针241下降直至静电卡盘21的下表面下方，以使晶圆S位于静电卡盘21的上表面上；
[0032]步骤S3，静电卡盘21采用静电引力的方式将晶圆S固定在其上表面上，在反应腔室20内对该晶圆S进行沉积或刻蚀等工艺，具体过程和现有技术相类似，在此不再赘述；
[0033]步骤S4，在工艺完成后，静电卡盘21对晶圆S进行静电释放，具体过程和现有技术相类似，在此不再赘述；
[0034]步骤S5，第一手臂231自反应腔室20的外部移动至晶圆S的上表面上方，并下降至探针221与晶圆S的上表面接触，如图4所示，在残余电荷释放完之后，第一手臂231传出反应腔室20 ；
[0035]步骤S6，升降驱动器驱动顶针241上升将位于静电卡盘21上的已完成工艺的晶圆S顶起，直至预设位置的上方；
[0036]步骤S7，空载的第二手臂232将自反应腔室20的外部传输至反应腔室20内，且位于静电卡盘21正上方的预设位置，如图5所示；
[0037]步骤S8，升降驱动器驱动顶针241下降，直至晶圆S位于第二手臂232上；
[0038]步骤S9，承载有已完成工艺的晶圆S的第二手臂232传出反应腔室20，单次工艺完成。
[0039]容易理解，在本实施例中，由于双臂机械手的第一手臂231和第二手臂232工作时的高度位置不同，因此可以设置两套独立的升降驱动装置分别驱动第一手臂231和第二手臂232升降。但是，在实际应用中，也可以仅设置一套驱动装置同时升降双臂机械手的第一手臂231和第二手臂232，在这种情况下，则需要保证第二手臂232将晶圆S传入或传出反应腔室20时，第一手臂231上的探针不会与设备上的其他零部件发生碰撞。另外，根据步骤S5和步骤S7可知，第一手臂231和第二手臂232不同时进入反应腔室内进行工作。
[0040]需要说明的是，上述工作过程只是本实施例提供的反应腔室的一种具体工作过程，本发明并不局限于此，在实际应用中，只要能够实现采用本实施例提供的反应腔室实现消除晶圆的残余电荷即可。
[0041 ] 还需要说明的是，在本实施例中，残余电荷释放装置通过将探针221与双臂机械手的第一手臂231结合而实现。但是，本发明并不局限于此，在实际应用中，残余电荷释放装置可以采用其他结构，例如，设备还可以包括除双臂机械手外的其他的机械手，残余电荷释放装置包括探针，探针与该机械手电连接，机械手接地，在对晶圆S释放残余电荷时，机械手移动至晶圆S的上表面上方，并下降至探针与晶圆S的上表面接触；在这种情况下，探针不与双臂机械手的第一手臂231相连接，因此，双臂机械手的第一手臂231和第二手臂232均可以用于传输晶圆，具体地，第一手臂231和第二手臂232可以分别用于完成向反应腔室内装载晶片和自反应腔室内卸载晶片。另外，机械手移动至晶圆S的上表面上方的水平移动过程和下降至探针与晶圆S的上表面接触的竖直移动过程可以同时进行，也可以分别进行。
[0042]另外需要说明的是，在本实施例中，晶圆S不仅可以由半导体晶圆叠置在由绝缘材料制成的基片上形成，也可以为半导体晶圆，半导体晶圆的上表面也为采用半导体材料制成，因而可以实现对该半导体晶圆释放残余电荷。
[0043]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种半导体加工设备，包括反应腔室和残余电荷释放装置，在所述反应腔室内设置有静电卡盘，所述静电卡盘用于在工艺过程中采用静电引力的方式将晶圆固定在其上表面上，以及用于在工艺完成后对所述晶圆进行静电释放，所述残余电荷释放装置用于释放所述晶圆在静电释放后残余的电荷，其特征在于，所述晶圆的上表面采用半导体材料制成，所述残余电荷释放装置接地，在对所述晶圆释放残余电荷时，所述残余电荷释放装置与所述晶圆的上表面电连接。2.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述残余电荷释放装置包括探针，所述探针的一端接地，在对所述晶圆释放残余电荷时，所述探针的另一端与所述晶圆的上表面接触。3.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，还包括机械手，所述残余电荷装置包括探针，所述探针与所述机械手电连接，所述机械手接地，在对所述晶圆释放残余电荷时，所述机械手移动至所述晶圆的上表面上方，并下降至所述探针与所述晶圆的上表面接触。4.根据权利要求1述的半导体加工设备，其特征在于，还包括双臂机械手，所述双臂机械手包括第一手臂和第二手臂，所述残余电荷释放装置包括探针，所述探针与所述第一手臂电连接，且所述第一手臂接地，在对所述晶圆释放残余电荷时，所述第一手臂移动至所述晶圆的上表面上方，并下降至所述探针与所述晶圆的上表面接触； 所述第二手臂用于实现所述晶圆传入或传出所述反应腔室。5.根据权利要求1-4任意一项所述的半导体加工设备，其特征在于，还包括顶针升降装置，所述顶针升降装置设置在所述静电卡盘的下方，用以在对所述晶圆残余的电荷释放之后将所述晶圆顶起远离所述静电卡盘的上表面。6.根据权利要求5所述的半导体加工设备，其特征在于，所述顶针升降装置包括顶针和升降驱动器，所述顶针贯穿所述静电卡盘的上下表面，且可在所述静电卡盘内升降； 所述升降驱动器用于驱动所述顶针升降，以将位于所述静电卡盘上表面上的晶圆顶起或者放下。7.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述晶圆由半导体晶圆叠置在由绝缘材料制成的基片上形成。8.根据权利要求7所述的半导体加工设备，其特征在于，所述绝缘材料包括玻璃。9.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述晶圆为半导体晶圆。
【专利摘要】本发明涉及一种半导体加工设备，该半导体加工设备包括反应腔室和残余电荷释放装置，在反应腔室内设置有静电卡盘，静电卡盘用于在工艺过程中采用静电引力的方式将晶圆固定在其上表面上，以及用于在工艺完成后对晶圆进行静电释放，残余电荷释放装置用于释放晶圆在静电释放后残余的电荷，晶圆的上表面采用半导体材料制成，残余电荷释放装置接地，在对晶圆释放残余电荷时残余电荷释放装置与晶圆的上表面电连接。本发明提供的半导体加工设备，可以将晶圆上的残余电荷有效释放，因而可以避免封装领域SOG晶圆发生粘片现象，从而可以提高工艺的稳定性。
【IPC分类】H05F3/00, H01L21/683
【公开号】CN105448793
【申请号】CN201410260382
【发明人】魏晓
【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2014年6月12日