电极112通过第二接触孔与漏极电极109连接。同时，可在虚拟区域20内与虚拟像素21相对的平坦化膜111上形成不同有机发光元件的第一电极112。
[0060]第一电极112可由具有相对高功函数值的透明导电材料形成。例如，透明导电材料可具有大约4.8eV?5.2eV范围的功函数值。此外，透明导电材料可以是亲水性材料。实际上，第一电极112可由氧化铟锡ITO形成。在该情形中，第一电极112可用作阳极电极。
[0061]如果第一电极112由与具有高功函数值的透明导电材料之一对应的氧化铟锡ITO形成，则可在第一电极112下方进一步包括由具有出色反射率的金属材料形成的反射层。例如，反射层可由铝Al和铝合金AlNd之一形成。这种反射层可提高以顶发光模式驱动的有机发光元件112，114和115的发光效率。
[0062]详细地说，形成在第一电极112下方的反射层在向上的方向上反射由形成在第一电极112上的有机发光层114发射的光。如此，发射光的利用效率变高。因此，可提高有机发光层114的亮度特性。
[0063]在第一有效区域10的子像素11与虚拟区域20的虚拟像素21之间的边界区域中形成第一堤图案113，第一堤图案113与第一电极112的边缘重叠并暴露第一电极112的一部分上表面。第一堤图案113可由亲水性无机绝缘材料形成。例如，亲水性无机绝缘材料可以是S1jP SiNx之一。
[0064]在第一有效区域10的子像素11中形成与第一堤图案113重叠的第二堤图案200。第二堤图案200可由疏水性有机材料形成。此外，第二堤图案200可形成为与第一堤图案113相比具有较大的厚度和较窄的宽度。如此，可通过第二堤图案200暴露第一堤图案113的上表面的一部分(例如边缘)。
[0065]在第一有效区域10内的第一电极112的被暴露表面上形成第一有机发光层114。详细地说，在第一电极112的被暴露上表面和第一堤图案113的被暴露上表面上形成第一有机发光层114。此外，在由第二堤图案200包围的开口中形成第一有机发光层114。
[0066]第一堤图案113的第一部分和与第一堤图案113的第一部分分离并相对的第一堤图案113的第二部分之间的区域被限定为发光区域EA。然而，第一有效区域10内的发光区域EA的宽度并不限于图中所示，但当彼此相对并分离的第一堤图案113的第一部分与第二部分之间的距离发生变化时，第一有效区域10内的发光区域EA的宽度可发生变化。如果第一堤图案113的第一部分与第二部分之间的距离增加，则发光区域EA的宽度增大并且有机发光元件的亮度变高。
[0067]可通过使用旋涂方法、喷墨方法和狭缝涂布方法之一在第一电极112上喷射或滴落液化的有机发光材料，并将第一电极上的液化的有机发光材料硬化来形成第一有机发光层114。此时，因为在第二堤图案200下方形成第一堤图案，所以可防止或将靠近堤图案的第一有机发光层114的边缘的厚度增加最小化。
[0068]这样，可在每个都具有亲水特性的第一电极112和第一堤图案113上均匀地形成亲水性有机发光层。此外，可在亲水性有机发光层上形成疏水性有机发光层。如此，可均匀形成至少两个有机发光层而彼此并不混合。
[0069]可在虚拟区域20的虚拟像素21中形成与第一堤图案113重叠的第三堤图案201。第三堤图案201可由与形成在第一有效区域10的子像素11中的第二堤图案200相同的材料形成在与第二堤图案200相同的层中。此外，第三堤图案201可由疏水性有机材料形成。
[0070]与第一堤图案113相比，这种第三堤图案201可形成为具有较大的厚度和较窄的宽度。此外，第三堤图案201的宽度可小于第二堤图案200的宽度。如此，由虚拟区域20的虚拟像素21内的第三堤图案201限定的开口可形成为大于由第一有效区域10的子像素11内的第二堤图案200限定的其他开口。
[0071]在具有暴露的上表面并形成在与虚拟像素21相对的虚拟区域20中的第一电极112上形成第二有机发光层214。详细地说，可在第一电极112的被暴露上表面和第一堤图案113的被暴露上表面上形成第二有机发光层214。然而，因为在虚拟像素21中没有形成任何驱动薄膜晶体管DTr，所以第二有机发光层214不发光。如此，虚拟区域20内彼此分离并相对的第一堤图案的两部分之间的区域被限定为非发光区域ΝΕΑ。
[0072]为了提高发光效率，可以以多层结构形成第一和第二有机发光层114和214每一个。例如，第一和第二有机发光层114和214每一个可包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光材料层EML、电子传输层ETL和电子注入层EIL。此外，可通过交替形成亲水性有机发光层和疏水性有机发光层来形成多层结构的有机发光层。
[0073]可通过使用旋涂方法、喷墨方法和狭缝涂布方法之一在第一电极112上喷射或滴落液化的有机发光材料，并将第一电极上的液化的有机发光材料硬化来形成第二有机发光层 214。
[0074]第一有效区域10内的发光区域EA和虚拟区域20内的非发光区域NEA可具有相同的宽度。这是由第一有效区域10内彼此分离并相对的第一堤图案113的两部分之间的距离与虚拟区域20内彼此分离并相对的第一堤图案113的两部分之间的另一距离相同所导致的。此外，可以以相同的尺寸形成发光区域EA和非发光区域ΝΕΑ。
[0075]另一方面，虚拟区域20的虚拟像素21中包含的第三堤图案201在宽度上形成为比第一有效区域10的子像素11中包含的第二堤图案200小。如此，与形成在与子像素11相对的第一有效区域10中的其他开口相比，形成在与虚拟像素21相对的虚拟区域20中的开口具有较大的尺寸。此外，形成在第一有效区域10中的第一有机发光层114的宽度C可比形成在虚拟区域20中的第二有机发光层214的宽度D窄。
[0076]换句话说，形成在与子像素11相对的第一有效区域10中的第一有机发光层114的宽度C可比形成在与虚拟像素21相对的虚拟区域20中的第二有机发光层214的宽度D窄。据此，与子像素11的第一有机发光层114相比，虚拟像素21的第二有机发光层214可包括较大量的有机发光材料。
[0077]有机发光材料在有效区域的边缘部分中比有效区域的其他部分以较快的速度硬化。由于该原因，现有技术的OLED装置必然在有效区域的边缘中比有效区域的其他部分较厚地形成有机发光层。
[0078]然而，本发明的OLED装置能使虚拟区域20内的虚拟像素21的第二有机发光层214比第一有效区域10内的子像素11的第一有机发光层114包括较大量的有机发光材料。如此，形成子像素11的第一有机发光层114的有机发光材料可与形成虚拟像素21的第二有机发光层的有机发光材料的硬化速度相同。
[0079]据此，可防止或将第一有效区域10的边缘部分中第一有机发光层114的厚度增加最小化。换句话说，虚拟区域20可代替第一有效区域10的边缘部分。如此，可在整个第一有效区域10中均匀形成第一有机发光层114。因而，与子像素11相对的第一有效区域中的第一有机发光层114可均匀形成在第一有效区域10的边缘部分和中心部分中。
[0080]在设置有第一和第二有机发光层114和115以及第二和第三堤图案200和201的基板100上形成第二电极115。第二电极115可由具有比第一电极112低的功函数值的电极材料形成。例如，第二电极115可由锂L1、钙Ca、铝Al、银Ag、镁Mg及其合金之一形成。
[0081]据此，在第一有效区域10中形成了每个都包括第一电极112、第一有机发光层114和第二电极115的有机发光元件。此外，在虚拟区域20中形成了每个都包括第一电极112、宽度比第一有机发光层114大的第二有机发光层214、以及第二电极115的有机发光元件。
[0082]本发明的OLED装置通过在宽度上比虚拟区域20内的第三堤图案201大地形成第一有效区域10内的第二堤图案200，可增加虚拟像素21内的有机发光材料的量。如此，形成虚拟像素21的第二有机发光层214的有机发光材料的量增加。据此，形成子像素11的第一有机发光层114的有机发光材料与形成第二有机发光层214的有机发光材料的硬化速度相同。因此，可在第一有效区域10的边缘部分和中心部分中均匀形成第一有机发光层。此外，可提高OLED装置的开口率。
[0083]接下来，将参照图4描述根据本发明第二个实施方式的OLED装置。图4是显示根据本发明第二个实施方式的OLED装置的有效区域和虚拟区域的平面图。第二个实施方式的OLED装置可包括与前一个实施方式相同的组件。如此，将通过相同的参考标记和名称指代具有与前一个实施方式相同功能和形状的第二个实施方式的组件。此外，将省略与前一个实施方式重复的第二个实施方式的描述。
[0084]参照图4，据本发明第二个实施方式的OLED装置被限定出第一有效区域10、第二有效区域12(图中无标记“12”)和虚拟区域20。第二有效区域12可被限定为包围第一有效区域10的矩形环形状。虚拟区域20可被限定为包围第二有效区域12的矩形环形状。
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