nf2到0.3J · cnf2之间。
[0081] 当然，上述本发明的实施方案并不具有任何限制性的特征。相反，在不偏离本发明 的范围的情况下，在其他的实施方式变形中，可以对本发明作出细化和改进。
【主权项】
1. 一种通过属于一定的光谱范围的电磁辐射(IE)将结构（I)从衬底(2)分离的方法，该 分离方法具有下列步骤： a) 提供衬底(2 )，该衬底(2)在所述光谱范围中是透明的， b) 在衬底(2)上形成至少一个分离层(3)，将该电磁辐射(IE)的光谱范围调整为使得分 离层(3)在所述光谱范围中是吸收性的， c) 在分离层(3)上形成待分离的结构（1)， d) 在给定功率密度下在暴露时段期间，使分离层（3)通过衬底（2)暴露于电磁辐射 (IE)，使得分离层(3)在所述电磁辐射(IE)的吸收所导致的热量的影响下分解，该分离方法 的特征在于，其具有在分离层(3)上形成热障层(4)的步骤bl)，电磁辐射(IE)的光谱范围被 调整为使得热障层(4)在所述光谱范围中是透明的，暴露时段和热障层(4)的厚度被调整为 使得待分离的结构（1)的温度在暴露时段期间保持在阈值之下，在超过所述阈值时在所述 结构（1)中会易于出现缺陷，步骤c)执行为使得待分离的结构（1)形成在热障层(4)上。2. 根据权利要求1所述的分离方法，其特征在于，电磁辐射（IE)是电磁脉冲，并且暴露 时段和热障层(4)的标记SE1的厚度符合下述关系：其中，〇:是热障层(4)的热 扩散系数，τ是电磁脉冲的持续时间。3. 根据权利要求1或2所述的分离方法，其特征在于，其具有在衬底(2)上形成附加热障 层(5)的步骤al)，电磁辐射（IE)的光谱范围被调整为使得附加热障层(5)在所述光谱范围 中是透明的，暴露时段和附加热障层(5)的厚度被调整为使得衬底(2)的温度在暴露时段期 间保持在阈值之下，超过所述阈值时在所述衬底(2)中会易于出现缺陷，并且步骤b)执行为 使得分离层(3)形成在附加热障层(5)上。4. 根据权利要求3所述的分离方法，其特征在于，电磁辐射（IE)是电磁脉冲，并且暴露 时段和附加热障层(5)的标记SE2的厚度符合下述关系：其中，D2是附加热障 层(5)的热扩散系数，τ是电磁脉冲的持续时间。5. 根据权利要求3或4所述的分离方法，其特征在于，热障层(4)和附加热障层(5)各具 有热扩散系数，并且电磁辐射的暴露时段以及所述热扩散系数被调整为使得由分离层(3) 对电磁辐射(IE)的吸收所导致的热量被限制在热障层(4)与附加热障层(5)之间。6. 根据权利要求3至5中的任一项所述的分离方法，其特征在于，附加热障层(5)是由晶 格常数在衬底(2)的晶格常数与分离层(3)的晶格常数之间的材料制造的，步骤al)和步骤 b)优选通过外延来执行。7. 根据权利要求1至6中的任一项所述的分离方法，其特征在于，热障层(4)是由晶格常 数在待分离的结构（1)的晶格常数与分离层(3)的晶格常数之间的材料形成的，步骤c)和步 骤d)优选通过外延来执行。8. 根据权利要求1至7中的任一项所述的分离方法，其特征在于，衬底(2)包括GaN，分离 层(3)包括In(x)Ga (1-X)N，0.10 < X < 0.20,优选0· 12 < X < 0· 15,热障层(4)和/或附加热障层 (5)包括AlGaN，电磁辐射(IE)的光谱范围在400到450nm之间。9. 根据权利要求1至7中的任一项所述的分离方法，其特征在于，衬底(2)包括InP，分离 层(3)包括InWGau- x)As，优选x〈0.95,更加优选1 = 0.53，热障层(4)和/或附加热障层(5)包 括InAlAs，优选Ιη〇.52Α1〇.48As，电磁辐射（IE)的光谱范围在1000到3500nm之间，更加优选在 1100到1500歷之间。10. 根据权利要求1至9中的任一项所述的分离方法，其特征在于，步骤d)是通过至少一 个与光参量振荡器相关联的发射电磁辐射(IE)的激光器而执行的。11. 一种用于在给定功率密度下在暴露时段期间通过属于一定光谱范围的电磁福射 (IE)而将结构（1)从衬底(2)分离的堆叠，该分离堆叠包括： -衬底(2 )，该衬底(2)在所述光谱范围中是透明的， -至少一个形成在衬底上的分离层(3)，该分离层(3)在该光谱范围中是吸收性的，该分 离层(3)易于在所述电磁辐射(IE)的吸收所导致的热量的影响下分解， -形成在分离层(3)上的待分离的结构（1)，该分离堆叠的特征在于，其包括热障层(4)， 该热障层(4)布置在分离层(3)与待分离的结构（1)之间，该热障层(4)在该光谱范围中是透 明的，该热障层(4)具有针对暴露时段而调整的厚度，使得待分离的结构（1)的温度在暴露 时段期间保持在阈值之下，超过所述阈值时在所述结构（1)中易于出现缺陷。12. 根据权利要求11所述的分离堆叠，其特征在于，电磁辐射（IE)是电磁脉冲，并且热 障层(4)的标记SE1的厚度符合下述关系：：其中，〇:是热障层(4)的热扩散系数， τ是电磁脉冲的持续时间。13. 根据权利要求11或12所述的分离堆叠，其特征在于，其包括附加热障层(5)，该附加 热障层(5)布置在分离层(3)与衬底(2)之间，该附加热障层(5)在该光谱范围中是透明，该 附加热障层(5)具有针对暴露时段而调整的厚度，使得衬底(2)的温度在暴露时段期间保持 在阈值之下，超过所述阈值时在衬底(2)中易于出现缺陷。14. 根据权利要求13所述的分离堆叠，其特征在于，电磁辐射（IE)是电磁脉冲，并且附 加热障层(5)的标记为扮的厚度符合下述关系：：其中，D2是附加热障层(5)的热 扩散系数，τ是电磁脉冲的持续时间。15. 根据权利要求13或14所述的分离堆叠，其特征在于，热障层(4)和附加热障层(5)各 具有热扩散系数，并且对所述热扩散系数根据电磁辐射（IE)的暴露时段而进行调整，使得 由分离层(3)对电磁辐射(IE)的吸收所导致的热量被限制在热障层(4)与附加热障层(5)之 间。16. 根据权利要求13至15中的任一项所述的分离堆叠，其特征在于，附加热障层(5)是 由晶格常数在衬底(2)的晶格常数与分离层(3)的晶格常数之间的材料形成的。17. 根据权利要求11至16中的任一项所述的分离堆叠，其特征在于，热障层(4)是由晶 格常数在待分离的结构（1)的晶格常数与分离层(3)的晶格常数之间的材料形成的。18. 根据权利要求11至17中的任一项所述的分离堆叠，其特征在于，衬底(2)包括GaN， 分离层(3)包括In(x)Ga (1-χ)Ν，0·10<χ<0·20,优选0·12<χ<0·15,热障层(4)和/或附加热 障层(5)包括AlGaN，电磁辐射(IE)的光谱范围在400到450nm之间。19. 根据权利要求11至17中的任一项所述的分离堆叠，其特征在于，衬底(2)包括InP， 分离层(3)包括In(x)Ga(i- x)As，优选x〈0.95,更加优选X = 0.53,热障层(4)和/或附加热障层 (5)包括InAlAs，优选InQ.52AlQ.48As，电磁辐射(IE)的光谱范围在1000到3500nm之间，更加优 选在1100到150〇11111之间。20. -种分离组件，包括： -根据权利要求11至19中的任一项所述的分离堆叠， -设备，其被设计为:在给定功率密度下在暴露时段期间，使分离层(3)通过衬底（2)暴 露于电磁辐射（IE)，使得分离层(3)在所述电磁辐射（IE)的吸收所导致的热量的影响下分 解;该设备优选包括与光参量振荡器相关联的发射所述电磁福射(IE)的激光器。
【专利摘要】该方法包括下列步骤：a)提供衬底(2)，b)在衬底(2)上形成吸收性的分离层(3)，c)在分离层(3)上形成待分离的结构(1)，d)通过衬底(2)使分离层(3)暴露于电磁辐射(IE)，使得分离层(3)在吸收所导致的热量的影响下分解，该方法的特征在于，其包括在分离层(3)上形成热障层(4)的步骤b1)，暴露时长和热障层(4)的厚度被调节为，使得待分离的结构(1)的温度在整个暴露期间保持在阈值之下，超过所述阈值时在所述结构(1)中容易出现缺陷。
【IPC分类】H01L21/268, H01L31/0687, H01L33/00
【公开号】CN105453226
【申请号】CN201480043709
【发明人】Y·桑坎, J-M·贝图, O·科农丘克
【申请人】Soitec公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2014年8月5日
【公告号】EP3031074A1, US20160189965, WO2015019018A1