发光器件的制作方法
【技术领域】
[0001]实施例涉及一种发光器件、发光器件封装以及照明单元。
【背景技术】
[0002]发光二极管(LED)已经广泛用作发光器件之一。LED通过使用化合物半导体的特性将电信号转换为光形式，诸如红外光、紫外光和可见光。
[0003]随着发光器件的光效率提高，LED已经用于各种领域，诸如显示设备和照明应用。
【发明内容】
[0004]【技术问题】
[0005]实施例提供一种发光器件、发光器件封装以及照明单元，能够通过扩大发光面积提高光效率。
[0006]【技术方案】
[0007]根据实施例的发光器件包括:发光结构，包括:第一导电半导体层;有源层，在第一导电半导体层下；以及第二导电半导体层，在有源层下;沟道层，围绕发光结构的下部;第一电极，在沟道层上;第二电极，在发光结构下；以及连接布线，用于电连接第一电极和第一导电半导体层。
[0008]【有益效果】
[0009]根据实施例的发光器件、发光器件封装以及照明单元能够通过扩大发光面积提高光效率。
【附图说明】
[0010]图1为示出根据实施例的发光器件的视图；
[0011 ]图2为图1所示的发光器件的平面图。
[0012]图3至图6为示出根据实施例的发光器件的制造方法的视图。
[0013]图7至图10为示出根据实施例的发光器件的其它示例的视图。
[0014]图11为示出根据实施例的发光器件封装的视图。
[0015]图12为示出根据实施例的显示装置的视图。
[0016]图13为示出根据实施例的显示装置的另一个示例的视图。
[0017]图14为示出根据实施例的照明设备的视图。
【具体实施方式】
[0018]在实施例的说明中，应当理解，当一个层(或膜)、区域、图案或结构称为在另一个衬底、另一个层(或膜)、另一个区域、另一个焊盘或另一个图案“上”或“下”时，其可“直接”或“间接”在另一个衬底、层(或膜)、区域、焊盘或图案上方或下方，或者也可以存在一个或更多介于中间的层。已参考附图描述了层的这种位置。
[0019]在下文中，将参考附图具体描述根据实施例的发光器件、发光器件封装、照明单元以及发光器件的制造方法。
[0020]图1为示出根据实施例的发光器件的视图，以及图2为图1所示的发光器件的平面图。
[0021]如图1和图2所示，根据实施例的发光器件可以包括发光结构10、沟道层30、第一电极81、第二电极82以及连接布线85。
[0022]发光结构10可以包括第一导电半导体层11、有源层12以及第二导电半导体层13。有源层12可以布置在第一导电半导体层11与第二导电半导体层13之间。有源层12可以布置在第一导电半导体层11下且第二导电半导体层13可以布置在有源层12下。
[0023]例如，第一导电半导体层11可以制备为掺杂有用作第一导电掺杂剂的η型掺杂剂的η型半导体层，且第二导电半导体层13可以制备为掺杂有用作第二导电掺杂剂的ρ型掺杂剂的Ρ型半导体层。另外，第一导电半导体层11可以制备为Ρ型半导体层，而第二导电半导体层13可以制备为η型半导体层。
[0024]例如，第一导电半导体层11可以包括η型半导体层。第一导电半导体层11可以通过使用化合物半导体制备。例如，第一导电半导体层11可以通过使用第I1-VI族化合物半导体或第II1-V族化合物半导体制备。
[0025]例如，第一导电半导体层11可以通过使用组分化学式为InxAlyGapx-yN(0 < x < U0
<y < U0 < x+y < 1)的半导体材料实现。例如，第一导电半导体层11可以包括从掺杂有诸如
GaAs、GaAsP以及AlGalnP构成的组选择的一个。
[0026]通过第一导电半导体层11注入的电子(或空穴)和通过第二导电半导体层13注入的空穴(或电子)在有源层12中结合，使得有源层12发射与根据构成有源层12的材料的能带隙差异对应的光。有源层12可以具有单量子阱(SQW)结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构以及量子线结构之一，但是实施例不限于此。
[0027]有源层12可以通过使用化合物半导体实现。有源层12可以通过使用组分化学式为InxAlyGah—yN(0 < x < 1,0 < y < 1,0 < x+y < 1)的半导体材料实现。当有源层12具有MQW结构时，有源层12可以通过堆叠多个阱层和多个势皇层形成。例如，有源层12可以具有InGaN阱层/GaN势皇层的循环结构。
[0028]第二导电半导体层13可以包括ρ型半导体层。例如，第二导电半导体层13可以通过使用化合物半导体实现。例如，第二导电半导体层13可以通过使用第I1-VI族化合物半导体或第II1-V族化合物半导体实现。
[0029]例如，第二导电半导体层13可以通过使用组分化学式为InxAlyGapx-yN(0 < X < 1、0
<y < U0 < x+y < 1)的半导体材料实现。例如，第二导电半导体层13可以包括从掺杂有诸如
GaAs、GaAsP以及AlGalnP构成的组选择的一个。
[0030]同时，第一导电半导体层11可以包括ρ型半导体层，而第二导电半导体层13可以包括η型半导体层。另外，包括η型半导体层或ρ型半导体层的半导体层可以进一步设置在第二导电半导体层13下。因此，发光结构10可以具有ηρ结结构、ρη结结构、ηρη结结构以及ρηρ结结构至少之一。另外，杂质可以以均匀或不均匀的掺杂浓度掺杂到第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中。换句话说，根据实施例的发光结构10可以不同地配置，实施例不限于此。
[0031]另外，第一导电InGaN/GaN超晶格结构或InGaN/InGaN超晶格结构可以形成在第一导电半导体层11与有源层12之间。另外，第二导电AlGaN层可以形成在第二导电半导体层13与有源层12之间。
[0032]根据实施例的发光器件可以包括围绕发光结构10的下部布置的沟道层30。例如，沟道层30的顶面可以在相同的平面上与发光结构10的底面对齐。沟道层30的一端可以布置在第二导电半导体层13下。沟道层30的一端可以与第二导电半导体层13的底面接触。沟道层30的一端可以布置在第二导电半导体层13与第二电极82之间。沟道层30的一端可以布置在第二导电半导体层13与欧姆接触层15之间。
[0033]例如，沟道层30可以由氧化物或氮化物形成。例如，沟道层30可以包括从Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203、Ti02或A1N构成的组选择的至少之一。沟道层30可以称为隔离层。沟道层30可以在稍后针对发光结构10执行隔离工艺时用作蚀刻终止层并且可以防止发光器件的电特性由于隔离工艺而退化。
[0034]第一电极81可以布置在沟道层30上。第一电极81可以与沟道层30的顶面直接接触。第一电极81可以围绕发光结构10的下部布置。第一电极81可以包围发光结构10。第一电极81具有的宽度可以小于沟道层30的宽度。例如，沟道层30具有的宽度可以处于5微米至70微米的范围，而第一电极81具有的宽度可以处于5微米至30微米的范围。
[0035]第一电极81可以电连接至第一导电半导体层11。第一电极81可以通过连接布线85电连接至第一导电半导体层11。连接布线85可以将第一电极81与第一导电半导体层11电连接。
[0036]连接布线85可以布置在第一导电半导体层11上。连接布线85可以布置在第一电极81上。连接布线85可以布置在发光结构10的横向侧部。可以设置多个连接布线85。可以设置至少两个连接布线85。可以恰当地选择连接布线85的数量使得从第一电极81施加的电力能够分布在第一导电半导体层11上。例如，考虑到工作电压可以选择性地设置1到64个连接布线85。例如，第一电极81和连接布线85可以包括Cr、V、W、T1、Zn、N1、Pt、Cu、Al、Au以及Mo的至少之一。
[0037]根据实施例的发光器件，第一电极81可以不布置在发光结构10上。连接布线85的电连接至第一电极81的一部分可以布置在发光结构10上。根据实施例，使布置在第一导电半导体层11上的金属层的面积最小化，使得在发光结构10的向上方向上的发光面积能够扩大。因此，根据实施例的发光器件能够提高光效率。
[0038]根据实施例的发光器件可以包括电连接至第一电极81的接合焊盘90。接合焊盘90可以布置在发光结构10上。接合焊盘90可以布置在连接布线85上。接合焊盘90可以布置在第一导电半导体层11上。接合焊盘90可以布置在第一导电半导体层11的一个横向侧部。接合焊盘90可以布置在第一导电半导体层11的一个横向侧部的边缘区域。接合焊盘90可以沿第一导电半导体层11的对角线方向布置。例如，接合焊盘90可以包括0、7、1、11、211、.^Cu、Al、Au或Mo的至少之一。
[0039]根据实施例的发光器件可以包括布置在连接布线85与发光结构10之间的绝缘层40。绝缘层40可以布置在连接布线85与有源层12之间。绝缘层40可以布置在连接布线85与第二导电半导体层13之间。
[0040]例如，绝缘层40可以由氧化物或氮化物形成。例如，绝缘层40可以包括从Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203、Ti02 或 A1N 构成的组选择的至少之一。
[0041]根据实施例的发光器件可以包括布置在发光结构10下的反射层17。反射层17可以电连接至第二导电半导体层13。反射层17可以布置在第二导电半导体层13下。
[0042]根据实施例的发光器件可以包括布置在反射层17与第二导电半导体层13之间的欧姆接触层15。欧姆接触层15可以与第二导电半导体层13接触。
[0043]欧姆接触层15可以与发光结构10欧姆接触。欧姆接触层15可以包括与发光结构10进行欧姆接触的区域。反射层17可以电连接至第二导电半导体层13。反射层17可以具有通过反射从发光结构10入射到此的光来增加向外部的提取光量的功能。
[0044]例如，欧姆接触层15可以包括透明导电氧化物层。例如，欧姆接触层15可以包括从ΙΤ0(氧化铟锡)、ΙΖ0(氧化铟锌)、ΑΖ0(氧化铝锌)、AGZ0(铝镓锌氧化物)、ΙΖΤ0(铟锌锡氧化物)、ΙΑΖ0(铟铝锌氧化物)、IGZ0(铟镓锌氧化物)、IGT0(铟镓锡氧化物)、ΑΤ0(氧化锑锡)、620(氧化镓锌)、12(^(120氮化物)、2110、1抑^1?11(^、祖0^48或1^构成的组选择的至少之
ο
[0045]反射层17可以包括具有高反射率的材料。例如，反射层17可以包括金属，包括Ag、N1、六1、1^1、？(1、11'、1?11、]\^、211、？1:、(]11、411或!^或其合金至少之一。另外，反射层17可以通过使用金属或其合金和透光导电材料制备为复合层，该透光导电材料例如ΙΤ0(氧化铟锡)、ΙΖ0(氧化铟锌)、ΙΖΤ0(铟锌锡氧化物)、ΙΑΖ0(铟铝锌氧化物)、IGZ