有机发光元件的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本申请要求于2013年9月17日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2013-0112124号的优先权和权益，其全部内容在此通过引证的方式纳入本说明书。
[0002 ]本申请设及一种有机发光器件。
【背景技术】
[0003] 有机发光器件从两个电极将电子和空穴注入到有机材料层中而将电流转换为可 见光。有机发光器件可具有包括两层W上有机材料层的多层结构。例如，如果需要，除发光 层外，有机发光器件还可包括电子或空穴注入层、电子或空穴阻挡层或者电子或空穴传输 层。
[0004] 近来，根据有机发光器件的用途的多样化，已积极开展对可改善有机发光器件性 能的材料的研究。
【发明内容】
[0005] 技术问题
[0006] 本发明的发明人已反复研究了改善有机发光器件的驱动稳定性的方法，从而产生 了本发明。
[0007] 技术方案
[000引本申请的第一示例性实施方案提供了一种有机发光器件，其包括:负极、设置W面 向负极的正极W及设置于负极和正极之间的发光层，其中该有机发光器件还包括介于正极 与发光层之间在从正极至发光层的方向上依次设置的第一层、第二层及第=层，第一层包 括n-型有机材料或金属氧化物，第二层包括阻挡材料，且第S层包括n-型渗杂剂。
[0009] 本申请的第二示例性实施方案提供了一种堆叠式有机发光器件，其包括:负极、设 置W面向负极的正极W及置于负极与正极之间且包括发光层的两个W上的发光单元，其中 该堆叠式有机发光器件还包括介于发光单元之间在从正极至负极的方向上依次设置的第 一层、第二层及第=层，第一层包括n型有机材料或金属氧化物，第二层包括阻挡材料，第= 层包括n型渗杂剂。
[0010] 根据本申请的另一个示例性实施方案，在第一或第二示例性实施方案中，第二层 的阻挡材料包括有机金属络合物、n型有机材料及P型有机材料中的一种或更多种。
[0011] 根据本申请的另一个示例性实施方案，在第一或第二示例性实施方案中，第一层 由n型有机材料或金属氧化物中的一种形成。
[0012] 根据本申请的另一个示例性实施方案，在第一或第二示例性实施方案中，第一层 为未渗杂层。
[0013] 根据本申请的另一个示例性实施方案，在第一示例性实施方案中，有机发光器件 还包括介于第=层与发光层之间的附加的电子传输层。
[0014] 根据本申请的另一个示例性实施方案，在第二示例性实施方案中，有机发光器件 还包括介于第=层和与第=层接触的发光单元的发光层之间的附加电子传输层。
[0015] 根据本申请的另一个示例性实施方案，在第二示例性实施方案中，除了与负极接 触的发光单元外，剩余发光单元中的至少一个还包括与第一层接触的P型有机材料层。
[0016] 根据本申请的另一个示例性实施方案，在第二示例性实施方案中，与负极接触的 发光单元还包括P型有机材料层作为与负极接触的有机材料层。
[0017] 根据本申请的另一个示例性实施方案，在第二示例性实施方案中，与负极接触的 发光单元还包括与第一层材料相同的层作为与负极接触的有机材料层。
[0018] 根据本申请的另一个示例性实施方案，在第二示例性实施方案中，与正极接触的 发光单元还包括介于正极与发光层之间在从正极至发光层的方向上依次设置的第一层、第 二层及第=层。
[0019]有益效果
[0020] 在根据本申请中所述的示例性实施方案的有机发光器件或堆叠式有机发光器件 中，可W有效地防止设置于电极之间的层的连接表面处发生化学反应、防止由渗杂剂相互 扩散造成驱动电压的增加，或者增强器件的稳定性。
【附图说明】
[0021] 图1至图6分别示出了根据本申请的第一示例性实施方案的有机发光器件的层叠 结构。
[0022] 图7至图10分别示出了根据本申请的第二示例性实施方案的堆叠式有机发光器件 的层叠结构。
[0023] 图11至如13分别示出了根据本申请的第二示例性实施方案的堆叠式有机发光器 件的发光单元的层叠结构。
[0024] 图14为根据本申请的示例性实施方案的实施例1和2与比较实施例1的对比效果 图。
[0025] 图15为根据本申请的示例性实施方案的实施例6与比较实施例1和2的对比效果 图。
[0026] 图16为示出了根据本申请的示例性实施方案的实施例3至5的器件的效率的图。
[0027] 图17为示出了根据本申请的示例性实施方案的实施例3至5的器件的反射比的图。
【具体实施方式】
[0028] 在下文中，将详细说明本发明。
[0029] 在本申请中，电荷意指电子或空穴。
[0030] 在本申请中，n型意指n型半导体特性。换言之，n型有机材料层为具有在LUMO能级 注入或传输电子的特性的有机材料层，W及是具有电子的迁移率大于空穴的迁移率的材料 特性的有机材料层。相反，P型意指P型半导体特性。换言之，P型有机材料层为具有在HOMO (最高占据分子轨道)能级上注入或传输空穴的特性的有机材料层，W及是具有空穴的迁移 率大于电子的迁移率的材料特性的有机材料层。
[0031] 在本申请中，n型渗杂剂意指电子供体材料。
[0032] 在本申请中，能级意指能量的大小。因此，在能级W相对于真空能级的负(-)方向 表示的情况下，该能级也应理解为其对应能量值的绝对值。例如，HOMO能级意指从真空能级 到最高占据分子轨道的距离。此外，LUMO能级意指从真空能级到最低空置分子轨道的距离。
[0033] 在本申请中，术语"未渗杂的"意指构成层的化合物没有被具有其他特性的化合物 渗杂。例如，如果"未渗杂的"层是由P型化合物形成，则未渗杂的层可意指该层没有用n型材 料渗杂。此外，如果"未渗杂的"层为有机材料层，则"未渗杂的"层可意指该层没有用无机材 料渗杂。相反，如果"未渗杂的"层为的无机材料层如金属氧化物，则"未渗杂的"层可意指该 层没有用有机材料渗杂。然而，由于具有相同特性的（例如，P型特性）的有机材料的特性彼 此相似，因此可使用两种W上有机材料混合的有机材料。未渗杂的有机材料层意指其中该 层仅由具有同种特性的材料形成的情况。
[0034] 在本申请中，发光单元意指可通过施加电压来发光的有机材料层的单元。该发光 单元可仅由发光层形成，但还可包括一种W上的有机材料层W注入或传输电荷。例如，除发 光层外，发光单元还可包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层及电子传输 层中的至少一种。
[0035] 根据本申请的第一示例性实施方案的有机发光器件包括负极、设置W面向负极的 正极和设置于负极和正极之间的有机发光层，其中该有机发光器件还包括介于正极和发光 层之间在从正极至发光层方向上依次设置的第一层、第二层及第=层，第一层包括n型有机 材料或金属氧化物，第二层包括阻挡材料，且第=层包括n型渗杂剂。
[0036] 只要第一层的材料可通过LUMO能级将电荷从正极迁移至第二层，则不对第一层作 特别限制。
[0037] 根据本申请的示例性实施方案，优选的是第一层具有约4至7eV的LUMO能级和约 l〇-8cmVVs至Icm^Vs且优选约IQ-6Cm^Vs至IQ-2Cm^Vs的电子迁移率。
[0038] n型有机层可由可在真空下沉积的材料或可通过溶液法形成薄膜的材料形成。
[0039] 例如，可使用下列物质作为第一层的材料:2,3,5,6-四氣-7,7,8,8-四氯基对酿二 甲烧(F4TCNQ)、氣代3，4，9，10-巧四甲酸二酢(PTCDA)、氯代PTCDA、糞四簇酸二酢(NTCDA)、 氣代NTCDA、氯代NTCDA，或可使用W下化学式1的化合物作为第一层的材料。
[0040] [化学式。
[0042] 在化学式1中，
[0043] Ri至R6可各自独立地为氨、面素原子、腊基(-CN)、硝基(-N02)、横酷基(-S02R)、亚 讽基(-SOR)、横酷胺基(-S02NR)、横酸醋基(-SO浊）、S氣甲基(-肌）、醋基(-COOR)、酷胺基 (-C0NHR或-C0NRR'）、取代或未取代的直链或支链Ci-Ci2烷氧基、取代或未取代的直链或支 链Cl-Cl2烷基、取代或未取代的直链或支链C2-C12締基、取代或未取代的芳族或非芳族杂环 基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺、或取代或未取代的芳烷基 胺，且R和R'可各自为取代或未取代的Ci-Cso烷基、取代或未取代的芳基或取代或未取代的5 元至7元杂环基。
[0044] 在上述的描述中，术语"取代或未取代的"意指未被或者被W下基团取代：面素原 子、腊基(-CN)、硝基(-N02)、横酷基(-S02R)、亚讽基(-S0R)、横酷胺基(-S02NR)、横酸醋基(-SO浊）、S氣甲基(-CF3)、醋基(-COOR)、酷胺基(-CONHR或-CONRR '）、直链或支链Ci-Ci2烧氧 基、直链或支链Cl-Cu烷基、直链或支链C2-C12締基、芳族或非芳族杂环基、芳基、单芳基胺或 二芳基胺或芳烷基胺，且在本文中，R和R '各自为Ci-Cso烷基、芳基或5元至7元杂环基。
[0045] 化学式1的化合物的实例可为下列化学式1-1至1-6的化合