宝石衬底的上表面上生长外延层，所述外延层生长过程依次为:在蓝宝石衬底表面生长N型氮化镓层，在N型氮化镓层上生长发光层，在发光层上生长P型氮化镓层； 步骤二，采用蒸镀及光刻工艺，覆盖反射层所述反射层采用铝、银中一种材料或两者制成的合金材料； 步骤三，通过对外延层采用ICP蚀刻工艺，在所述外延层形成沟槽，所述沟槽露出蓝宝石衬底的表面，使蓝宝石衬底上的外延层形成彼此相互绝缘独立的芯片，同时对芯片进行刻蚀，在所述芯片表面形成贯穿反射层、P型氮化镓层、发光层、直到停留在N型氮化镓层表面上的N电极孔，N电极孔的数量为多个并且在芯片表面均匀分布； 步骤四，通过采用蒸镀及光刻工艺，在反射层与P型氮化镓层表面形成台阶； 步骤五，所述反射层的上表面以及四周侧壁面采用溅射或喷涂工艺覆盖有第一绝缘层，所述反射层上表面上侧对应的第一绝缘层上表面采用光刻和蚀刻技术开设有多个与反射层上表面贯通的第一接触孔，所述第一绝缘层为一厚度为0.2um?2.5um采用氮化铝、二氧化硅、氮化硅、三氧化二铝、布拉格反射层DBR、硅胶、树脂或丙烯酸之其一制成； 步骤六，通过溅射或蒸镀工艺，在P型氮化镓层外露上表面形成包裹其上侧整个第一绝缘层上表面以及四周侧壁面且覆盖P型氮化镓层外露上表面全部的具有布线图案的P引线电极，同时在N电极孔内采用溅射或蒸镀工艺形成圆柱形N引线电极，所述N引线电极与N型氮化镓层电连接形成欧姆接触，所述P引线电极通过第一接触孔与反射层导电连接，所述N引线电极和P引线电极均采用具有高反射性能的Cr、Al、N1、T1、Au、Pt中一种材料或其中至少两种以上的合金且同时沉积形成； 步骤七，采用溅射或喷涂工艺，在所述沟槽的表面、所述N电极孔与N引线电极之间所形成的间隙、P型氮化镓层外露上表面、以及P引线电极的外露表面，一次性覆盖形成一层厚度为Ium?1um的第二绝缘层，所述第二绝缘层采用氮化铝，二氧化硅，氮化硅，三氧化二铝、有机硅胶之其一制成，所述有机硅胶为不吸收可见光谱并且具备一定弹性的材料； 步骤八，采用光刻和蚀刻技术在第二绝缘层表面打孔，在第二绝缘层表面分别刻蚀出N型接触孔与P型接触孔，其中，N型接触孔与N引线电极表面相连通，P型接触孔与P引线电极表面相连通，所述芯片表面均匀分布有多个N型接触孔和多个P型接触孔； 步骤九，在N引线电极、P引线电极的外露表面上、以及位于N引线电极和P引线电极彼此之间的第二绝缘层的表面上，通过印刷和电镀技术制造相互绝缘的N焊盘与P焊盘，其中，N焊盘通过N型接触孔与N引线电极电连接，P焊盘通过P型接触孔与P引线电极电连接，至此，完成整个LED倒装芯片的加工制造。9.一种LED倒装芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 步骤一，在蓝宝石衬底上，通过金属有机化合物化学气相沉淀方法，在蓝宝石衬底的上表面上生长外延层，所述外延层生长过程依次为:在蓝宝石衬底表面生长N型氮化镓层，在N型氮化镓层上生长发光层，在发光层上生长P型氮化镓层； 步骤二，采用蒸镀及光刻工艺，覆盖反射层所述反射层采用铝、银中一种材料或两者制成的合金材料； 步骤三，通过对外延层采用ICP蚀刻工艺，在所述外延层形成沟槽，所述沟槽露出蓝宝石衬底的表面，使蓝宝石衬底上的外延层形成彼此相互绝缘独立的芯片，同时对芯片进行刻蚀，在所述芯片表面形成贯穿反射层、P型氮化镓层、发光层、直到停留在N型氮化镓层表面上的N电极孔，N电极孔的数量为多个并且在芯片表面均匀分布； 步骤四，通过采用蒸镀及光刻工艺，在反射层与P型氮化镓层表面形成台阶； 步骤五，所述反射层的上表面以及四周侧壁面采用溅射或喷涂工艺覆盖有第一绝缘层，并在沟槽的表面、所述N电极孔内侧壁以及N电极孔外边缘采用溅射或喷涂工艺覆盖有另外一部分的第一绝缘层，所述反射层上表面上侧对应的第一绝缘层上表面采用光刻和蚀刻技术开设有多个与反射层上表面贯通的第一接触孔，所述第一绝缘层为一厚度为0.2um?2.5um采用氮化铝、二氧化硅、氮化硅、三氧化二铝、布拉格反射层DBR、硅胶、树脂或丙烯酸之其一制成； 步骤六，通过溅射或蒸镀工艺，在反射层上表面上侧对应的第一绝缘层上表面形成覆盖在第一绝缘层上表面具有布线图案的P引线电极，同时在N电极孔内采用溅射或蒸镀工艺形成圆柱形N引线电极，所述N引线电极与N型氮化镓层电连接形成欧姆接触，所述P引线电极通过第一接触孔与反射层导电连接，所述N引线电极和P引线电极均采用具有高反射性能的Cr、Al、N1、T1、Au、Pt中一种材料或其中至少两种以上的合金且同时沉积形成； 步骤七，在另外一部分的第一绝缘层基础上，采用溅射或喷涂工艺，覆盖P型氮化镓层外露上表面、N引线电极的外露表面、以及P引线电极的外露表面形成一层厚度为Ium?1um的第二绝缘层，所述第二绝缘层采用氮化铝，二氧化硅，氮化硅，三氧化二铝、有机硅胶之其一制成，所述有机硅胶为不吸收可见光谱并且具备一定弹性的材料； 步骤八，采用光刻和蚀刻技术在第二绝缘层表面打孔，在第二绝缘层表面分别刻蚀出N型接触孔与P型接触孔，其中，N型接触孔与N引线电极表面相连通，P型接触孔与P引线电极表面相连通，所述芯片表面均匀分布有多个N型接触孔和多个P型接触孔； 步骤九，在N引线电极、P引线电极的外露表面上、以及位于N引线电极和P引线电极彼此之间的第二绝缘层的表面上，通过印刷和电镀技术制造相互绝缘的N焊盘与P焊盘，其中，N焊盘通过N型接触孔与N引线电极电连接，P焊盘通过P型接触孔与P引线电极电连接，至此，完成整个LED倒装芯片的加工制造。10.一种LED倒装芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 步骤一，在蓝宝石衬底上，通过金属有机化合物化学气相沉淀方法，在蓝宝石衬底的上表面上生长外延层，所述外延层生长过程依次为:在蓝宝石衬底表面生长N型氮化镓层，在N型氮化镓层上生长发光层，在发光层上生长P型氮化镓层； 步骤二，采用蒸镀及光刻工艺，覆盖反射层所述反射层采用铝、银中一种材料或两者制成的合金材料； 步骤三，通过对外延层采用ICP蚀刻工艺，在所述外延层形成沟槽，所述沟槽露出蓝宝石衬底的表面，使蓝宝石衬底上的外延层形成彼此相互绝缘独立的芯片，同时对芯片进行刻蚀，在所述芯片表面形成贯穿反射层、P型氮化镓层、发光层、直到停留在N型氮化镓层表面上的N电极孔，N电极孔的数量为多个并且在芯片表面均匀分布； 步骤四，通过采用蒸镀及光刻工艺，在反射层与P型氮化镓层表面形成台阶； 步骤五，所述反射层的上表面以及四周侧壁面采用溅射或喷涂工艺覆盖有第一绝缘层，并在沟槽的表面、所述N电极孔内侧壁以及N电极孔外边缘采用溅射或喷涂工艺覆盖有另外一部分的第一绝缘层，所述反射层上表面上侧对应的第一绝缘层上表面采用光刻和蚀刻技术开设有多个与反射层上表面贯通的第一接触孔，所述第一绝缘层为一厚度为0.2um?2.5um采用氮化铝、二氧化硅、氮化硅、三氧化二铝、布拉格反射层DBR、硅胶、树脂或丙烯酸之其一制成； 步骤六，通过溅射或蒸镀工艺，在P型氮化镓层外露上表面形成包裹其上侧整个第一绝缘层上表面以及四周侧壁面且覆盖P型氮化镓层外露上表面部分的具有布线图案的P引线电极，同时在N电极孔内采用溅射或蒸镀工艺形成圆柱形N引线电极，所述N引线电极与N型氮化镓层电连接形成欧姆接触，所述P引线电极通过第一接触孔与反射层导电连接，所述N引线电极和P引线电极均采用具有高反射性能的Cr、Al、N1、T1、Au、Pt中一种材料或其中至少两种以上的合金且同时沉积形成； 步骤七，在另外一部分的第一绝缘层基础上，采用溅射或喷涂工艺，覆盖P型氮化镓层外露上表面、N引线电极的外露表面、以及P引线电极的外露表面形成一层厚度为Ium?1um的第二绝缘层，所述第二绝缘层采用氮化铝，二氧化硅，氮化硅，三氧化二铝、有机硅胶之其一制成，所述有机硅胶为不吸收可见光谱并且具备一定弹性的材料； 步骤八，采用光刻和蚀刻技术在第二绝缘层表面打孔，在第二绝缘层表面分别刻蚀出N型接触孔与P型接触孔，其中，N型接触孔与N引线电极表面相连通，P型接触孔与P引线电极表面相连通，所述芯片表面均匀分布有多个N型接触孔和多个P型接触孔； 步骤九，在N引线电极、P引线电极的外露表面上、以及位于N引线电极和P引线电极彼此之间的第二绝缘层的表面上，通过印刷和电镀技术制造相互绝缘的N焊盘与P焊盘，其中，N焊盘通过N型接触孔与N引线电极电连接，P焊盘通过P型接触孔与P引线电极电连接，至此，完成整个LED倒装芯片的加工制造。
【专利摘要】本发明提供一种LED倒装芯片，包括衬底、N焊盘和P焊盘，衬底依次叠加有N型层、发光层、P型层和反射层，并蚀刻露出衬底上表面形成一沟槽；芯片表面形成贯穿反射层、P型层、发光层且与N型层连通的N电极孔；P型层外露上表面形成覆盖第一绝缘层上表面、或包裹整个第一绝缘层外表面且覆盖P型层外露表面的P引线电极，N电极孔内形成与N型层导电连接的N引线电极；N引线电极与P引线电极采用相同的具有高反射性能材料同时沉积形成；并在N引线电极和P引线电极的表面及外围覆盖一层便于相互绝缘的第二绝缘层；N焊盘和P焊盘通过第二绝缘层上表面开设的接触孔分别与N引线电极和P引线电极电连接；本发明还提供一种LED倒装芯片的制备方法。
【IPC分类】H01L33/60, H01L33/00, H01L33/44, H01L33/56, H01L33/52
【公开号】CN105489742
【申请号】CN201510604719
【发明人】蒋振宇, 陈顺利, 莫庆伟
【申请人】大连德豪光电科技有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年9月21日