Tft基板的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板的制作方法。
【背景技术】
[0002] 液晶显示装置已被广泛应用于人类的生活和工作中，其中液晶显示装置的液晶面 板攸关到液晶显示装置的显示效果，包括视角、明暗程度以及颜色等。
[0003] 根据液晶分子转向后的排列方式分类，常见的液晶显示器可以分为：窄视角的扭 曲向列（Twisted Nematic-LCD，TN_LCD)、超扭曲向列（Super Twisted Nematic_LCD，STN-LCD)、双层超扭曲向列（Double Layer STN-LCD，DSTN-LCD);宽视角的横向电场切换方式 (In-Plane Switching，IPS)、边界电场切换技术(Fringe Field Switching，FFS)和多域垂 直配向技术(Multi-Domain Vertical Alignment，MVA)等。其中，目前市场上最主流的液晶 显示器采用的模式是TN型，但TN型液晶显示器在视角方面有天然痼疾，即使增加一层广视 角补偿膜，仍无法满足广视角的要求。为此，许多公司都研发相关的广视角技术，IPS就是其 中颇具优势的一种。
[0004] 横向电场切换（IPS)技术利用空间厚度、摩擦强度并有效利用横向电场驱动的改 变让液晶分子做最大的平面旋转角度来增加视角。换句话说，传统LCD显示器的液晶分子一 般都在垂直-平行状态间切换，多域垂直配向技术(MVA)和PVA将其改良成垂直-双向倾斜的 切换方式，而横向电场切换(IPS)则将液晶分子改为水平旋转切换作为背光通过方式，即不 管在何种状态下液晶分子始终都与屏幕平行，只是在加电/常规状态下分子的旋转方向有 所不同。为了配合这种结构，横向电场切换(IPS)对电极进行改良，电极做到了同侧，形成平 面电场，从而避免了液晶在竖直方向上的偏转，可以达到较大的视角。横向电场切换（IPS) 技术像素电极与公共电极位于同一层条状排列，由于位于电极上方的液晶无法进行面内偏 转，导致横向电场切换（IPS)模式面板的有效开口率和透过率较低，为改善横向电场切换 (IPS)模式的开口率，出现了边界电场切换(FFS)显示模式。
[0005] 在IPS或者FFS型液晶显示装置的TFT结构中如果以a-Si: Η层作为TFT沟道来使用， 在高分辨率，高速驱动面板上会发生驱动不良。这是因为不能确保充足的充电电压。从高分 辨率面板来看，随着分辨率的增加，在规定时间内需要驱动的TFT数量增加了，所以1个TFT 的动作时间就会减少。高速驱动的面板，60Hz驱动速度时TFT需要在16msec时间内开启， 120Hz时为8.3msec，240Hz时在4.2msec时间内TFT要开启。所以TFT充电时间越短，用现有的 a-Si :Η层的移动度特性是无法对应的。所以TFT的驱动速度需要增加，因此也需要高移动度 的TFT。氧化物(Oxide)TFT，与之前的a-Si:H相比，移动度高（>10cm 2/VS)，所以高分辨率高 速驱动显示驱动元件可以适用。基于以上原因，氧化物TFT技术被广泛开发，并应用于 AM0LED和高规格LCD产品上。氧化物TFT的禁带宽度较大，如非晶金属氧化物半导体IGZ0(氧 化铟镓锌）的禁带宽度在3.5eV左右，因此对于波长大于300nm的可见光照射下，几乎不受影 响，因此也是柔性显示中首选的材料之一。由于金属氧化物半导体通常采用湿法进行刻蚀， 而源漏极金属也是采用湿法刻蚀，因此被沟道刻蚀(BCE)结构通常不适用于金属氧化物半 导体的生产工艺，目前通常采用刻蚀阻挡(Etch Stopper)型结构来制作氧化物半导体TFT。
【发明内容】
[0006] 本发明的目的在于提供TFT基板的制作方法，可避免制作源/漏极时的蚀刻制程对 氧化物半导体层造成损伤，同时可保护栅极不被腐蚀。
[0007] 为实现上述目的，本发明提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：
[0008] 步骤1、提供基板，在所述基板上沉积第一透明导电层，对所述第一透明导电层进 行图案化处理，形成像素电极；
[0009] 步骤2、在所述基板、像素电极上沉积第一金属层，对所述第一金属层进行图案化 处理，形成源/漏极、数据线，所述数据线具有形成于基板的周边区域的数据线端子；
[0010]步骤3、在所述基板、像素电极、源/漏极、数据线上沉积沟道保护层;在所述沟道保 护层上对应所述源/漏极上方形成第一过孔；
[0011] 步骤4、在所述沟道保护层、源/漏极上沉积氧化物半导体层，对所述氧化物半导体 层进行图案化处理，形成有源层;所述有源层经由所述第一过孔与所述源/漏极相接触；
[0012] 步骤5、在所述沟道保护层、有源层上沉积栅极绝缘层；
[0013] 步骤6、在所述栅极绝缘层上沉积第二金属层，对所述第二金属层进行图案化处 理，形成栅极、及栅极扫描线，所述栅极扫描线具有形成于基板的周边区域的扫描线端子； 在所述沟道保护层、及栅极绝缘层上对应所述数据线端子的上方形成第二过孔；
[0014] 步骤7、在所述栅极绝缘层、栅极、及栅极扫描线上沉积第二透明导电层，对所述第 二透明导电层进行图案化处理，形成公共电极、分别覆盖于栅极与栅极扫描线上方的保护 层、以及经由所述第三过孔与所述数据线端子相接触的连接导线。
[0015] 所述第一透明导电层、第二透明导电层的厚度为100~1000A;所述第一金属层、 第二金属层的厚度为1000~6000A。
[0016] 所述沟道保护层的厚度为丨〇〇〇~4000A;所述栅极绝缘层的厚度为 如〇0~4000A;所述有源层的厚度为200~20001。
[0017] 所述第一透明导电层、第二透明导电层的材料为ΙΤ0或ΙΖ0;所述第一金属层、第二 金属层的材料为Cr、Mo、Al、SCu。
[0018] 所述沟道保护层的材料为氧化硅;所述栅极绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅或二 者的组合;所述有源层的材料为ZnO、InZnO、ZnSnO、GaInZnO、SZrInZnO。
[0019] 本发明还提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：
[0020] 步骤1、提供基板，在所述基板上沉积缓冲层；
[0021] 步骤2、在所述缓冲层上沉积第一透明导电层，对所述第一透明导电层进行图案化 处理，形成像素电极；
[0022] 步骤3、在所述缓冲层、像素电极上沉积第一金属层，对所述第一金属层进行图案 化处理，形成源/漏极、数据线，所述数据线具有形成于基板的周边区域的数据线端子；
[0023] 步骤4、在所述缓冲层、像素电极、源/漏极、数据线上沉积氧化物半导体层，对所述 氧化物半导体层进行图案化处理，形成有源层;所述有源层与所述源/漏极相接触；
[0024] 步骤5、在所述缓冲层、像素电极、源/漏极、数据线、有源层上沉积栅极绝缘层；
[0025] 步骤6、在所述栅极绝缘层上沉积第二金属层，对所述第二金属层进行图案化处 理，形成栅极、及栅极扫描线，所述栅极扫描线具有形成于基板的周边区域的扫描线端子； 在所述栅极绝缘层上对应所述数据线端子的上方形成第三过孔；
[0026] 步骤7、在所述栅极绝缘层、栅极、及栅极扫描线上沉积第二透明导电层，对所述第 二透明导电层进行图案化处理，形成公共电极、分别覆盖于栅极与栅极扫描线上方的保护 层、以及经由所述第三过孔与所述数据线端子相接触的连接导线。
[0027] 所述第一透明导电层、第二透明导电层的厚度为丨〇〇~丨〇〇〇人;所述第一金属层、 第二金属层的厚度为丨000~6000A。
[0028] 所述缓冲层的厚度为丨000~2:0004 ;所述栅极绝缘层的厚度为2000~4000Λ;所 述有源层的厚度为200~2000A。
[0029] 所述第一透明导电层、第二透明导电层的材料为ΙΤ0或ΙΖ0;所述第一金属层、第二 金属层的材料为Cr、Mo、Al、SCu。
[0030] 所述缓冲层的材料为氧化硅;所述栅极绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅或二者的 组合;所述有源层的材料为ZnO、InZnO、ZnSnO、GaInZnO、或Zr InZnO。