基板处理装置和基板清洁方法
【技术领域】
[0001]本文描述的本发明概念的实施方式涉及一种基板处理装置和使用其的基板清洁方法。
【背景技术】
[0002]在衬底上执行各种工艺过程如光刻，蚀刻，灰化，离子注入，和薄膜沉积以便制造半导体器件或液晶显示器。用于除去附着在基板表面的各种污染物质和颗粒的基板清洁工艺可在用于制造半导体器件的每个单元工艺过程之前和之后进行。
[0003]例如喷射化学品，包含气体处理溶液，或伴有振动的处理溶液等各种方法可以被用作除去残留在基板表面上的各种污染物质和颗粒的清洁工艺。
【发明内容】
[0004]本发明概念的实施例提供一种能够提高清洁效率的基板处理装置。
[0005]本发明概念的实施例提供一种基板处理装置。
[0006]—方面，本发明概念的实施例旨在提供一种基板处理装置。所述基板处理装置包括:一壳体，定义用于在其中处理一基板的一空间；一旋转头，在所述壳体中支撑和旋转所述基板；一喷射单元，包括一第一喷嘴构件，用于在放置于所述旋转头上的所述基板上喷射第一处理溶液；以及一控制器，控制所述喷射单元，其中，所述控制器在将所述第一喷嘴构件在所述基板上方在基板的边缘和中心区域之间移动的同时喷射第一处理溶液；以及其中，所述控制器有区别地调节在所述基板边缘区域上喷射第一处理溶液所在的一第一高度和在所述基板中心区域上喷射第一处理溶液所在的一第二高度。
[0007]所述第二高度可高于所述第一高度。
[0008]所述控制器控制所述第一喷嘴构件以使得所述第一喷嘴构件的高度随着所述第一喷嘴构件从所述基板的边缘区域移向其中心区域而逐渐增加。
[0009]所述控制器控制所述第一喷嘴构件以使得所述第一喷嘴构件的高度随着所述第一喷嘴构件从所述基板的边缘区域移向其中心区域而连续增加。
[0010]所述第一喷嘴构件可包括:一本体，其内包括有一注射流道和第一排放孔，使第一处理溶液流过所述注射流道和与所述注射流道相连接的所述第一排放孔并将所述第一处理溶液喷射到基板上；以及一振动器，安装于所述本体内并且对流入所述注射流道的所述第一处理溶液提供振动。
[0011]所述第一喷嘴构件可包括:一本体，其内包括有一注射流道和多个第一微孔，使第一处理溶液流过所述注射流道和与所述注射流道相连接的所述多个第一微孔并将所述第一处理溶液喷射到基板上。
[0012]所述第一喷嘴构件可包括:一本体，其内包括有一注射流道和第一排放孔，使第一处理溶液流过所述注射流道和与所述注射流道相连接的所述第一排放孔并将所述第一处理溶液喷射到基板上；以及一气体供给单元，安装于所述本体内且喷射气体并伴有通过所述第一排放孔喷射的所述第一处理溶液一同喷射气体。
[0013]所述注射流道可包括一第一区域和一第二区域，所述第一区域和第二区域在俯视时都具有环形形状，并且所述第一区域的半径大于所述第二区域的半径。
[0014]当俯视时，所述第一区域的所述第一排放孔可被提供为沿第一区域排成一行，并且所述第二区域的所述第一排放孔被提供为沿所述第二区域排成两行。
[0015]然而，本发明的概念可被实施为各种不同的形式，而不能被解释为仅限于所示实施例。对于本领域技术人员来说，本发明概念的实施例被提供为更完全地解释本发明概念的范围。
【附图说明】
[0016]通过下面参考以下附图的描述，上述和其它目的和特征将变得显而易见，其中，除非另有指定，在全部各图中同样的参考标号指代同样的部分，并且其中:
[0017]图1示出了一基板处理装置的俯视图；
[0018]图2示出了图1的基板处理装置的剖视图；
[0019]图3示出了图2的第一喷嘴构件的剖视图；
[0020]图4示出了图3的第一喷嘴构件的仰视图；
[0021]图5示出了传统基板清洁方法；
[0022]图6示出了当用图5的基板清洁方法喷射第一处理溶液时所述第一处理溶液被供给的区域；
[0023]图7图示出了根据本发明概念的一实施例，用第一喷嘴构件将第一处理溶液供给至基板上的基板清洁方法；
[0024]图8图示出了根据本发明概念的另一实施例，用第一喷嘴构件将第一处理溶液供给至基板上的基板清洁方法；
[0025]图9图示出了第一处理溶液到达基板的表面速度根据第一喷嘴构件的喷射高度而改变；
[0026]图10图示出了根据本发明概念的另一实施例的第一喷嘴构件；以及
[0027]图11图示出了根据本发明概念的又一实施例的第一喷嘴构件。
【具体实施方式】
[0028]将参照附图对实施例进行详细描述。然而，本发明的概念也可以实施为各种不同的形式，并且不应当被解释为仅限于所示实施例。对本领域技术人员来说，可提供本发明的概念的多个实施例来更全面地说明本发明的概念的范围。因此，附图中的部件的形状可以被扩大，以强调一个更清楚的描述。
[0029]下面，本发明概念的实施例将参考图1-11进行描述。
[0030]图1图示出了根据本发明概念的一个实施例的一基板处理装置的俯视图。参考图1，一基板处理装置可具有一转位模块10和一过程处理模块20，所述转位模块10可包含一装载端口 120和一传递框架140。所述装载端口 120，传递框架140和过程处理模块20可设置在一条直线上。下面，所述装载端口 120，传递框架140和过程处理模块20的设置方向被称为“第一方向”12。当俯视时，垂直于第一方向12的一方向被称为“第二方向”14，垂直于由第一方向12和第二方向14所定义的平面的一方向被称为“第三方向”16。
[0031]在其接收基板W的一载体130可被安全地置于装载端口 120。所述装载端口 120可以是多个，且所述多个装载端口 120可沿第二方向14设置在一条直线上。所述装载端口120的数量可根据在过程处理模块20中的情况的例如处理效率，占用空间等增加或减少。多个插槽(未示出)可形成在载体130中，以接收在地面水平位置放置状态的基板W。一正面开口标准箱(FOUP)可用作载体130。
[0032]过程处理模块20可包含一缓冲单元220，一传送室240，和多个处理室260。所述传送室240可以其长度方向平行于所述第一方向12被设置。所述处理室260可沿第二方向14在传送室240两对侧被设置。所述处理室260可被设置在传送室240 —侧和另一侧以关于所述传送室240被对称设置。所述多个处理室260可被提供在传送室240的一侧。所述处理室260的一部分可沿传送室240的长度方向被设置。而且，所述处理室260的一部分可被堆叠设置。即，所述处理室260可在传送室240的一侧被设置成A-乘-B矩阵。在这种情况下，“A”可表示沿第一方向12被设置在一条直线上的处理室260的数量，以及“B”可表示沿第三方向16被设置在一条直线上的处理室260的数量。当四个或六个处理室260被设置在传送室240的一侧时，所述处理室260可被设置成2-乘-3矩阵或3-乘-2矩阵。处理室260的数量可增加或减少。不太可能的是，处理室260被提供在传送室240的任意一侧。此外，处理室260可被设置在传送室240的一侧和相反侧以形成单层。
[0033]缓冲单元220可被设置在传送框架140和传送室240之间，所述缓冲单元220可提供一空间，所述基板W在传送室240和传送框架140之间转移之前停留在此空间。放置基板W的一个或多个插槽(未示出)可被提供在缓冲单元220中。所述多个插槽可被沿第三方向16彼此间隔设置。缓冲单元220可具有一面对传送框架140的开放表面和一面对传送室240的开放表面。
[0034]传送框架140可在缓冲单元220和安全地置于装载端口 120的载体130之间传送晶片W。一转位轨道142和一转位机械手144可被提供于