一种集成芯片参考电压校准方法、装置及使用方法
【技术领域】
[0001] 本发明实施例涉及电子电路领域，具体涉及一种集成芯片参考电压校准方法、装 置及使用方法。
【背景技术】
[0002] 参考基准电压（Voltage reference, VREFO 在集成芯片（integrated circuit, IC) 的模拟电路工作上起到重要的作用，其应用比较广泛，包括：音频ADC, DAC，开关机电路，充 电电路等等，例如带充电电路的芯片控制充电的过程，假若它的VREF与理论标准值相差过 大，就会导致无法正常充电。由于每颗出产的芯片在设计产生veパ的基准电路上都会存在 着生产工艺上的偏差，因而会导致并非所有IC实际产生的VREF电压都在可接受的精度范 围之内，因此需要对IC的VREF进行校正操作。
[0003] 现有IC的VREF的校正方案，主要是IC外部校正的方法，送种方法需要在IC上有 一个VREF输入管脚，由所工作的系统外部增加一个精准电源W及一些外围电子元器件来 给IC的V服F输入管脚提供一个标准的输入电压，W组成IC校正环境，然后再对IC的VREF 进行校正。送种方法能够比较精确地对IC的VREF进行校正，也是现有很多IC生成商所采 用的校正方案。
[0004] 然而由于外部需要增加精准电源和电子元器件，送不仅会导致芯片所在系统的生 产成本及校正工时的增加，也给实际产品的调试带来不便，调试不够灵活；另外从芯片设计 的角度看，芯片还需要另外封装出一些端口来让精准电压输入，送也会增加芯片的设计和 制造成本。
【发明内容】
[0005] 本发明实施例提供了一种集成芯片参考电压校准方法、装置及使用方法，通过在 IC内部增设电子烙丝模块，并对电子烙丝模块进行读写操作W实现对IC的参考电压进行 校准的方式，将现有的外部校准方案改成了内部校准方案，能够较大地降低IC设计、测试 校准及生产制造的成本。
[0006] 本发明实施例提供的集成芯片参考电压校准装置，包括1C，还包括用于调节所述 IC参考电压的电子烙丝模块；
[0007] 所述电子烙丝模块安装在所述IC内部；
[0008] 所述电子烙丝模块包括若干烙断位；
[0009] 所述若干烙断位的组合配置用于实现对所述IC参考电压的调节。
[0010] 可选的，
[0011] 所述电子烙丝模块包括四个烙断位。
[0012] 本发明实施例提供的集成芯片参考电压校准方法，用于校准权利要求上述的集成 芯片参考电压校准装置的参考电压，包括：
[0013] 在IC验证测试阶段，根据电子烙断模块的工作需要，搭建好用于给IC内部校准参 考电压的电路；
[0014] S1、获取所述IC的外部校准参考电压；
[0015] S2、将所述外部校准参考电压与理论标准值比较，得到调节值；
[0016] S3、根据所述调节值及电子烙丝模块的档位校准关系得到所述电子烙丝模块内烙 断位的档位组合值；
[0017] S4、向所述电子烙丝模块写入所述档位组合值，完成对所述IC自身产生的参考电 压的校准。
[001引 可选的，
[001引所述步骤Sl包括：
[0020] S11、向IC的数模转换模块输入标准电压；
[0021] S12、读取所述数模转换模块的电压值，并根据数模转换计算关系得到所述IC的 参考电压。
[002引可选的，
[0023] 所述电子烙丝模块的校准关系包括所述电子烙丝模块内烙断位的校准真值表。
[0024] 本发明实施例提供的集成芯片参考电压校准后的使用方法，用在上述的集成芯片 参考电压校准方法之后，包括：
[00巧]KU对IC进行上电；
[0026] K2、根据电子烙丝模块的工作时序要求读取档位组合值；
[0027] K3、完成对所述IC参考电压的校准。
[002引 可选的，
[0029] 所述步骤Kl之后及所述步骤K2之前还包括：
[0030] 获取所述IC的参考电压；
[0031] 判断所述参考电压是否与所述IC进行参考电压校准时的参考电压一致，若是执 行步骤K2,否则对所述IC的参考电压进行重新校准。
[00础可选的，
[0033] 所述参考电压与所述IC进行参考电压校准时的参考电压不一致时，所述IC发出 提醒信号。
[0034] 本发明实施例中，集成芯片参考电压校准方法包括：在IC验证测试阶段，根据电 子烙断模块的工作需要，搭建好用于给IC内部校准参考电压的电路；S1、获取所述IC的外 部校准参考电压；S2、将所述外部校准参考电压与理论标准值比较，得到调节值；S3、根据 所述调节值及电子烙丝模块的档位校准关系得到所述电子烙丝模块内烙断位的档位组合 值；S4、向所述电子烙丝模块写入所述档位组合值，完成对所述IC自身产生的参考电压的 校准。通过在IC内部增设电子烙丝模块，并对电子烙丝模块进行读写操作W实现对IC的 参考电压进行校准的方式，本发明集成芯片参考电压校准方法、装置及使用方法，将现有的 外部校准方案改成了内部校准方案，能够较大地降低IC设计、测试校准及生产制造的成本 和操作的方便灵活性。
【附图说明】
[0035] 图1为本发明集成芯片参考电压校准装置实施例的结构示意图；
[0036] 图2为本发明集成芯片参考电压校准方法第一实施例的流程图；
[0037] 图3为本发明集成芯片参考电压校准方法第二实施例的流程图；
[0038] 图4为本发明集成芯片参考电压校准装置使用方法第一实施例的流程图；
[0039] 图5为本发明集成芯片参考电压校准装置使用方法第二实施例的流程图。
【具体实施方式】
[0040] 本发明实施例提供了一种集成芯片参考电压校准方法、装置及使用方法，通过在 IC内部增设电子烙丝模块，并对电子烙丝模块进行读写操作W实现对IC的参考电压进行 校准的方式，将现有的外部校准方案改成了内部校准方案，能够较大地降低IC设计、测试 校准及生产制造的成本。
[0041] 请参阅图1，本发明实施例中集成芯片参考电压校准装置实施例包括1C，还包括 用于调节所述IC参考电压的电子烙丝模块1 ;
[0042] 所述电子烙丝模块1安装在所述IC内部；
[0043] 所述电子烙丝模块1包括若干烙断位11 ;
[0044] 所述若干烙断位11的组合配置用于实现对所述IC参考电压的调节。
[0045] 本发明实施例的集成芯片参考电压校准装置，在现有IC的内部设置有电子烙丝 模块1，通过对电子烙丝模块1内烙断位11的编程配置可W实现对IC参考电压的调节，进 而实现对IC参考电压的校准。上述烙断位11的数量可W根据IC的类型进行设置，例如某 IC参考电压的变化范围比较大，可W适当增加该IC内部电子烙丝模块1的烙断位11的个 数，W便于对该IC参考电压的校准。
[004引可选的，
[0047] 所述电子烙丝模块1包括四个烙断位11。
[004引上述电子烙丝模块1具体可W包含四个烙断位11，如前所述，烙断位11的数量可 W根据IC的类型进行设置，在此处不做限定。
[0049] 本发明实施例的集成芯片参考电压校准装置实施例包括1C，还包括用于调节所述 IC参考电压的电子烙丝模块1 ;所述电子烙丝模块1安装在所述IC内部；所述电子烙丝模 块1包括若干烙断位11 ;所述若干烙断位11的组合配置用于实现对所述IC参考电压的调 节。通过在IC内部增设电子烙丝模块1，并对电子烙丝模块1进行读写操作W实现对IC的 参考电压进行校准的方式，本发明集成芯片参考电压校准装置将现有的外部校准方案改成 了内部校准方案，能够较大地降低IC设计、测试校准及生产制造的成本。
[0050] 上面简单介绍了本发明集成芯片参考电压校准装置的实施例，下面对本发明集成 芯片参考电压校准方法的第一实施例进行详细的描述，请参阅图2,本发明实施例中集成芯 片参考电压校准方法的第一实施例包括：
[0051] 本发明实施例的方法用于校准权利要求上述的集成芯片参考电压校准装置的参 考电压，并在IC验证测试阶段，根据电子烙断模块的工作需要，搭建好用于给IC内部校准 参考电压的电路；
[0052] S1、获取IC的外部校准参考电压；
[0053] 在对IC自身产生的参考电压进行调节校对之前，需要获取上述IC的外部校准参 考电压。
[0054] S2、将外部校准参考电压与理论标准值比较，得到调