图2D中示出开口 5的一个可行的设计方案。在此，开口 5在环周侧通过成型体2的闭合的内面2D限界。开口 5构成为长孔并且尤其平行于安装面4具有比垂直于安装面4更大的扩展。
[0060]替选地，开口 5能够通过成型体2的两个未连接的内面限界(未示出)。在此，开口 5能够从安装面4延伸直至半导体器件100的与安装面4相对置的侧面100B。
[0061 ]光电子半导体器件100包括第一接触层3A和第二接触层3B，所述第一和第二接触层设置在成型体2上并且设置用于半导体芯片I的电连接。这两个接触层3A、3B从前侧的主面2A分别经由侧面2B延伸直至成型体2的后侧主面2C上。此外，第一接触层3A从成型体2的后侧主面2C延伸至开口5中。第一接触层3a施加到成型体2的内面2D上和施加到光电子半导体芯片I的后侧表面IC上。第一接触层3A尤其在后侧表面IC上终止并且与半导体芯片I的第一电接触部(未示出)连接。优选地，半导体芯片I包括衬底6和设置在衬底6上的半导体层序列7。第一电接触部设置用于电连接设置在半导体层序列7的朝向衬底6的一侧上的第一半导体区域(未示出)。此外，半导体芯片I具有第二电接触部(未示出)，所述第二电接触部设置用于电连接设置在半导体层序列7的背离衬底6的一侧上的第二半导体区域(未示出)。第一接触部尤其是P接触部并且第一半导体区域是P型传导的半导体区域。此外，优选第二接触部是η接触部并且第二半导体区域是η型传导的半导体区域。
[0062]例如半导体层序列7能够具有有源区，所述有源区设有至少一个导电的穿口，所述穿口实现从衬底6开始电接触第二半导体区域(未示出)。在此，优选第二接触层3Β在衬底6上终止。同样地，第一半导体区域能够经由衬底6电连接。通过半导体芯片I的衬底侧的接触，透射福射面IA能够保持没有吸收福射的接触结构。
[0063]成型体2包括第一凸出的子区域8Α和第二凸出的子区域SB，所述子区域分别设置在半导体芯片I的侧面IB上。凸出的子区域8a、8b分别具有第一尺寸和第二尺寸，所述第一和第二尺寸分别大于半导体芯片I的最小尺寸。第一尺寸T尤其是凸出的子区域8A、8B的深度并且第二尺寸B是凸出的子区域8A、8B的宽度。例如凸出的子区域8A、8B的第一尺寸T能够在0.2mm和2mm之间。此外，第二尺寸B能够在0.3mm和3mm之间。此外，高度H’能够在0.2mm和
0.4mm之间(参见图2B)。
[0064]例如半导体芯片的最小尺寸能够标明为厚度D，所述厚度D尤其在0.1mm和0.2mm之间。
[0065]光电子半导体器件100优选在第二接触层3B的与半导体芯片I连接的端部区域中具有钝化层9，所述钝化层设置在第二接触层3B和光电子半导体芯片I之间。第二接触层3B能够借助钝化层9相对于衬底6电绝缘。例如钝化层9能够由有机材料、尤其塑料形成。有利地，第二接触层3B在端部区域中比在邻接于侧面2B的过渡区域中更窄，在所述过渡区域中透射辐射侧的主面2A尤其完全地由第二接触层3B覆盖(参见2B至2D)。优选地，第一接触层3A也在侧面2B和透射辐射侧的主面2A之间的过渡区域中完全地将其覆盖(参见2B至2D)。当然，第一接触层3A不达到直至半导体芯片I，而是在透射辐射侧的主面2A上终止。
[0066]光电子半导体器件100的电接触从外部借助第一接触层和第二接触层3A、3B进行，其中连接机构13至少在环周侧、即沿着对安装面4限界(为此参见图1B)的棱边设置。此外，两个接触层3A、3B的至少一个能够延伸至安装面4上，其中连接机构13于是尤其也设置在安装面4和连接载体之间(未示出)。
[0067]如在图2A中示出，半导体器件100能够包括转换元件10，所述转换元件设置在半导体芯片I的透射辐射面IA上。穿过半导体芯片I的透射辐射面IA透射的辐射能够借助转换元件10进行波长转换。优选半导体芯片I发射具有在紫外至蓝色光谱范围中的波长范围的辐射。此外，转换元件10能够将由半导体芯片I发射的辐射转换为具有在绿色至红色光谱范围中的波长范围的辐射。例如，光电子半导体器件100能够适合于发射白色光。
[0068]如在图2A至2D中示出的光电子半导体器件100尤其平坦地构成。此外，成型体2或设有合适尺寸的凸出的子区域8a、8b给予半导体器件100充足的稳定性，使得半导体器件100能够横向于透射辐射面IA安装进而构成为侧向发射器。
[0069]结合图3示出光电子半导体器件100的另一实施例。该实施例与在图2A至2D中示出的半导体器件100类似地构成。与其不同的是，在后侧的开口 5中设置有填充物U。在此，开口 5完全地由填充物11填充。然而，也可考虑的是，填充物11仅填充开口 5的一部分。填充物11尤其由相同的材料、如模塑料构成。填充物例如能够借助喷射、饶注、点胶法制造。半导体器件100的稳定性能够通过填充物11进一步提高。
[0070]在结合图4A和4B示出的实施例中，成型体2构成为是双层的。在此，优选光电子半导体芯片I在第一制造步骤中嵌入到模塑料中，其中半导体芯片I的侧面IB和后侧表面IC完全由模塑料覆盖。然后，模塑料能够平行于半导体芯片I的后侧表面IC被剥离直至半导体芯片I的后侧表面IC未由模塑料覆盖。这尤其能够通过模塑料的后侧磨削进行。残留的模塑料形成制成的成型体2的第一层21。将第三接触层3C施加到半导体芯片I的后侧表面IC和第一层21上。紧接着，将第二层22施加到第一层21和嵌入其中的半导体芯片I上，所述第二层能够由于第一层相同的或不同的模塑料制造。双层的成型体2在第一层和第二层21、22之间具有通过第三接触层3C形成的边界面。第三接触层3C与第一接触层3A连接并且在第一接触层3A和半导体芯片I之间建立电连接。
[0071 ] 在光电子半导体器件100的结合图5A和5B不出的实施例中，后侧表面IC完全由模塑料覆盖。成型体2在内部不具有边界面。此外，接触层3A、3B分别仅设置在成型体2的透射辐射侧的主面2A、侧面2B和后侧主面2C上。此外，这两个接触层3A、3B在透射辐射侧的主面2A上延伸直至半导体芯片I。在该实施例中，半导体芯片I的后侧表面IC保持未由接触层3A、3B覆盖。
[0072]图6A至6F示出根据第一实施例的用于制造如在此描述的光电子半导体器件的方法的不同的步骤。
[0073]图6A示出方法的最初步骤，其中提供由多个光电子半导体芯片I构成的复合结构。半导体芯片I以其透射辐射面IA设置在共同的载体40上。半导体芯片I例如能够借助胶粘薄膜14固定在载体40上。
[0074]图6B示出下一步骤，其中光电子半导体芯片I嵌入模塑料200中。在此，尤其半导体芯片I的后侧表面IC和侧面IB由模塑料200覆盖，其中构成凸出的子区域，所述凸出的子区域设置在半导体芯片I的侧面IB上并且分别具有第一尺寸T和第二尺寸B，所述第一和第二尺寸分别大于半导体芯片I的最小尺寸(参见图6A)。
[0075]图6C示出另一方法步骤，其中剥离共同的载体40。
[0076]在图6D中示出的方法步骤中，在模塑料200中构成不同的开口5、15。
[0077]开口15从模塑料200的第一主面延伸直至第二主面并且分别设置在两个邻接的半导体芯片I之间。开口 15实现将复合结构分割成多个光电子半导体器件。
[0078]开口5分别从模塑料的第二主面延伸直至光电子半导体芯片I的后侧表面1C。尤其开口 5、15在模塑料200中借助激光烧蚀产生。
[0079]图6E示出一个方法步骤，其中分别将钝化层9施加到半导体芯片I上。尤其钝化层9施加在半导体芯片I的边缘上，使得第二接触部16由钝化层9部分地覆盖。
[0080]图6F示出另一方法步骤，其中将用于构成第一接触层和第二接触层3A、3B的第一金属化部和第二金属化部施加到模塑料200上。尤其金属化部电镀地产生，其中首先能够施加种子层，在所述种子层上电镀地沉积金属化部。
[0081]在紧接着的方法步骤中，复合结构能够沿着开口15分割成多个光电子半导体器件(未示出)。
[0082]图7A至7C示出根据第二实施例的方法的第一步骤，其中在图7A中示出的方法步骤优选与在图6A中示出的方法步骤一致地进行。当然，开口 5、15不如图6C和6D中示出的那样通过移除模塑料200构成，而是借助模塑料在复合结构的区域中的留空部来构成，所述留空部应当保持没有模塑料200。在此，模塑料200已经作为中断的层施加。优选地，在根据第二实施例的方法中，当设有开口5、15的模塑料施加