一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示器加工领域，特别涉及一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置。
【背景技术】
[0002]薄膜晶体管用于制作具有高端显示效果的显示器。显示器上的每一像素点发光都是由集成在其后的薄膜晶体管来驱动。
[0003]目前，薄膜晶体管的制作方法包括:形成有源层，该有源层包括源极掺杂区和漏极掺杂区，在有源层上沉积绝缘层，分别对源极掺杂区上方的绝缘层和漏极掺杂区上方的绝缘层进行刻蚀，以裸露出源极掺杂区和漏极掺杂区并形成两个接触孔，在绝缘层上沉积源漏金属层，构图工艺后形成源极和漏极。
[0004]在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题:
[0005]目前，在绝缘层上刻蚀接触孔时，由于刻蚀工艺难以掌握，经常造成接触孔的欠刻或者过刻，欠刻或者过刻都会对薄膜晶体管造成不良影响，降低制作薄膜晶体管的良率。
【发明内容】
[0006]为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置。所述技术方案如下:
[0007]—方面，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管，包括:
[0008]第一刻蚀阻挡层、第二刻蚀阻挡层、源极、漏极、绝缘层和有源层；
[0009]第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层设置在有源层上，绝缘层设置在有源层、第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层上，绝缘层中设有第一接触孔和第二接触孔；
[0010]源极通过第一接触孔与有源层电联接，漏极通过第二接触孔与有源层电联接；
[0011]第一刻蚀阻挡层位于有源层与源极之间，第二刻蚀阻挡层位于有源层与漏极之间。
[0012]可选地，源极包括N层结构，N为大于O的整数，源极中的第一层与第一刻蚀阻挡层连接，第一刻蚀阻挡层的材料与源极中的第一层的材料相同；
[0013]第二刻蚀阻挡层和第一刻蚀阻挡层的材料相同，漏极和源极的材料和结构均相同。
[0014]可选地，第一刻蚀阻挡层的材料包括金属。
[0015]可选地，第一刻蚀阻挡层的材料为钼。
[0016]可选地，有源层的材料为低温多晶硅。
[0017]可选地，有源层包括第一掺杂区和第二掺杂区，第一刻蚀阻挡层设置在第一掺杂区上，第二刻蚀阻挡层设置在第二掺杂区上。
[0018]另一方面，本发明实施例还提供了一种阵列基板，包括所述的薄膜晶体管。
[0019]另一方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括所述的阵列基板。
[0020]另一方面，本发明实施例还提供了一种薄膜晶体管的制作方法，所述制作方法包括:
[0021]形成有源层；
[0022]在有源层上形成第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层；
[0023]在有源层、第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层上形成绝缘层；
[0024]在绝缘层中对应第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层的位置进行刻蚀形成第一接触孔和第二接触孔，并裸露出第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层；
[0025]在第一接触孔和第二接触孔中分别形成源极和漏极。
[0026]可选地，源极包括N层结构，N为大于O的整数，源极中的第一层与第一刻蚀阻挡层连接，第一刻蚀阻挡层的材料与源极中的第一层的材料相同；
[0027]第二刻蚀阻挡层和第一刻蚀阻挡层的材料相同，漏极和源极的材料和结构均相同。
[0028]可选地，第一刻蚀阻挡层的材料包括金属。
[0029]可选地，第一刻蚀阻挡层的材料为钼。
[0030]可选地，有源层的材料为低温多晶硅。
[0031]可选地，有源层包括第一掺杂区和第二掺杂区，第一刻蚀阻挡层形成在第一掺杂区上，第二刻蚀阻挡层形成在第二掺杂区上。
[0032]本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
[0033]在绝缘层中形成接触孔时，可直接刻蚀到第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层，有效防止了欠刻的问题，又通过第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层对有源层进行阻挡，有效防止了刻蚀过程中刻蚀到有源层，有效防止了过刻的问题，提高了制作薄膜晶体管的良率。
【附图说明】
[0034]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0035]图1是本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；
[0036]图2是本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；
[0037]图3是本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；
[0038]图4是本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；
[0039]图5是本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；
[0040]图6是本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；
[0041]图7?图20是本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的制作方法示意图。
[0042]其中:
[0043]11第一刻蚀阻挡层，12第二刻蚀阻挡层，
[0044]21源极，22漏极，
[0045]3有源层，31第一掺杂区，32第二掺杂区，
[0046I 4绝缘层，41层间绝缘层，42栅绝缘层，
[0047]51第一接触孔，52第二接触孔，
[0048]6 栅极，
[0049]7缓冲层，
[0050]8玻璃基板，
[0051]91平坦化层，92阳极，93像素定义层。
【具体实施方式】
[0052]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
[0053]实施例一
[0054]本发明实施例提供了一种薄膜晶体管，参见图1-图6，所述薄膜晶体管包括:
[0055]第一刻蚀阻挡层11、第二刻蚀阻挡层12、源极21、漏极22、绝缘层4和有源层3;
[0056]第一刻蚀阻挡层11和第二刻蚀阻挡层12设置在有源层3上，绝缘层4设置在有源层
3、第一刻蚀阻挡层11和第二刻蚀阻挡层12上，绝缘层4中设有第一接触孔51和第二接触孔52；
[0057]源极21通过第一接触孔51与有源层3电联接，漏极22通过第二接触孔52与有源层3电联接；
[0058]第一刻蚀阻挡层11位于有源层3与源极21之间，第二刻蚀阻挡层12位于有源层3与漏极22之间。
[0059]本实施例在绝缘层4中形成第一接触孔51和第二接触孔52时，可直接刻蚀到第一刻蚀阻挡层11和第二刻蚀阻挡层12，有效防止了欠刻的问题，又通过第一刻蚀阻挡层11和第二刻蚀阻挡层12对有源层3进行阻挡，有效防止了刻蚀过程中刻蚀到有源层3，有效防止了过刻的问题，提高了制作薄膜晶体管的良率。
[0060]本发明实施例提供的所述薄膜晶体管还具有如下其它技术特征。
[0061]本发明实施例的薄膜晶体管可以是任意结构的薄膜晶体管，例如可以是底栅型、顶栅型结构。可选地，绝缘层4可以为一层结构，也可以为两层结构。
[0062]参见图2和图4，具体地，绝缘层4为一层结构时，绝缘层4为层间绝缘层41。
[0063]当绝缘层4为一层结构时，薄膜晶体管还包括:栅极6、栅绝缘层42、；
[0064]栅极6设置在玻璃基板8上，栅绝缘层42设置在玻璃基板8和栅极6上，有源层3、第一刻蚀阻挡层11和第二刻蚀阻挡层12设置在栅绝缘层42和层间绝缘层41之间，第一刻蚀阻挡层11和第二刻蚀阻挡层12靠近层间绝缘层41设置；
[0065]在绝缘层4上刻蚀接触孔时，需要将层间绝缘层41刻蚀透，并裸露出第一刻蚀阻挡层11和第二刻蚀阻挡层12即可完成刻蚀接触孔。
[ΟΟ??] 参见图3和图5，具体地，绝缘层4为两层结构时，绝缘层4包括层间绝缘层41和栅绝缘层42;
[0067]当绝缘层4为两层结构时，薄膜晶体管还包括:栅极6;
[0068]为避免有源层3受到玻璃基板8上的杂质粒子影响，在形成有源层3之前，缓冲层7设置在玻璃基板8上，之后有源层3设置在缓冲层7上，栅绝缘层42设置在有源层3、第一刻蚀阻挡层11、第二刻蚀阻挡层12和缓冲层7上，层间绝缘层41设置在栅绝缘层42上，栅极6设置在层间绝缘层41和栅绝缘层42之间；
[0069]在绝缘层4上刻蚀接触孔时，需要将层间绝缘层41和栅绝缘层42依次刻蚀透，并裸露出第一刻蚀阻挡层11和第二刻蚀阻挡层12即可完成刻蚀接触孔。
[0070]可选地，缓冲层7的材料包括氧化硅和/或氮化硅，有源层3的材料包括多晶硅，栅绝缘层42的材料包括氧化娃，层间绝缘层41的材料包括氧化娃或氮化娃。
[0071]具体地，栅绝缘层42材料为氧化硅时，厚度在800埃?1200埃之间;栅极6的材料为钼时，厚度为2000埃;层间绝缘层41的材料为氧化硅时，其厚度为1500埃，层间绝缘层41的材料为氮化硅时，其厚度为3000埃。
[0072]参见图4和图5，可选地，当该薄膜晶体管用于0LED(0rg