露出第一导电类型的半导体层110和第二导电类 型的半导体层130的一些部分。第一接触电极140和第二接触电极150可设置在第一开口 210和第二开口 220中。绝缘层200可防止第一接触电极140和第二接触电极150 W及有 源层120电短路，W及防止第一导电类型的半导体层110和第二导电类型的半导体层130 彼此直接电连接。另外，通过设置绝缘层200,当多层反射结构300在后续工艺中沉积时， 多层反射结构300可容易地附着。然而，根据示例性实施例，绝缘层200可选择性地设置， 并且可省略。另外，在绝缘层200沉积在发光结构100上之后，当利用等离子体蚀刻绝缘层 200的表面时，将沿着福射等离子体的方向突出的绝缘层200的区较大程度地蚀刻，并且可 较小程度地蚀刻其凹进区。因此，绝缘层200的表面可变得更光滑。如果绝缘层200光滑， 则当多层反射结构300沉积在绝缘层200上时，防止了在多层反射结构300中形成空隙，并 且提高了多层反射结构300的质量。
[0090] 多层反射结构300可设置在发光结构100上，W使得其覆盖整个发光结构。多层 反射结构300将从有源层120发射的光中的沿着衬底101的反方向行进的光反射，W使所 述光改变方向W沿着衬底101的方向。
[0091] 通常，倒装忍片类型的半导体发光器件使通过有源层120产生的光沿着朝着衬底 101的方向发射。因此，沿着与衬底101的方向相反的朝着电极焊盘400的方向发射的大量 光可被设置在有源层120上方的半导体层或金属层吸收并损失。为了解决由于光被半导体 层或金属层吸收而导致的亮度降低的问题，在示例性实施例中采用多层反射结构300。
[0092] 多层反射结构300可具有其中具有不同折射率的层交替地堆叠的多层结构。下文 中将详细描述运一点。如图2B所示，多层反射结构300可具有其中具有不同折射率的第一 介电层300a和第二介电层30化交替地堆叠的结构。
[0093] 通过合适地调整第一介电层300a和第二介电层30化的折射率和厚度，多层反射 结构300可设为分布布拉格反射器值BR)。
[0094] 例如，当有源层120产生的光的波长为A并且对应的层的折射率为n时，多层反 射结构300的第一介电层300a和第二介电层30化可具有等于A/4n的厚度，基本具有大 釣300 A至900 A的厚度。运里，在多层反射结构300中，可选择性地设计第一介电层300a 和第二介电层30化的反射率和厚度，W获得相对于有源层120产生的光的波长的高度反射 率巧5%或更大）。 阳0巧]可确定第一介电层300a和第二介电层30化的折射率在约1. 4至2. 5的范围内。 第一介电层300a和第二介电层30化的折射率可小于第一导电类型的半导体层110的折射 率和衬底101的折射率，或者可小于第一导电类型的半导体层110的折射率或大于衬底101 的折射率。 阳096] 另外，多层反射结构300还可包括折射率与第一介电层300a和第二介电层30化 的折射率不同的第=层至第n层（n是等于或大于4的自然数）。构成多层反射结构300的 层可具有相同厚度或不同厚度。另外，多层反射结构300可为其中第一介电层300a和第二 介电层30化重复堆叠四次至20次的结构。 阳097] 多层反射结构300可由具有绝缘特性和光传输特征的材料形成，并且可由无机材 料或有机材料形成。例如，多层反射结构300可包括具有绝缘特性和光传输特征的氧化娃 或氮化娃，并且可由 Si〇2、SiN、SiOxNy、Ti〇2、SisN*、AI2O3、TiN、A1N、Zr〇2、TiAlN 或 TiSiN 形 成。
[0098] 多层反射结构300可包括设置在第一接触电极140和第二接触电极150中的每一 个上的多个开口 310和320。多个开口 310和320可设置在与第一接触电极140和第二接 触电极150中的每一个相对应的位置W部分地暴露出第一接触电极140和第二接触电极 150。
[0099] 在多个开口 310和320中，设置在第一接触电极140上的开口 310可仅暴露出第 一接触电极140中的焊盘部分141和指状物部分142中的焊盘部分141。因此，多个开口 310和320可设置在与第一接触电极140上的焊盘部分141相对应的位置。多层反射结构 300的运种布置可被不同地修改。图3A是图2A的半导体发光器件的修改示例，并且图3B 是图3A的部分"C"的放大图。与图1至图2B中的附图标记相同的附图标记指示相同的元 件，因此，将省略重复描述。
[0100] 如图3A和图3B所示，与上述示例性实施例相比，绝缘层200和多层反射结构300 的堆叠次序互换。因此，开口 310和320设置在多层反射结构300中，并且第一接触电极 140和第二接触电极150设置在开口 310和320中。另外，设置在绝缘层200上的开口 210 和220可设置在与第一接触电极140和第二接触电极150中的每一个相对应的位置，W将 对应的第一接触电极140和第二接触电极150部分地暴露出来。由于在设置多层反射结构 300之前不设置绝缘层200,多层反射结构300的粘着性可降低。然而，由于光在穿过绝缘 层200之前可从多层反射结构300反射，因此从多层反射结构300反射的光的量可增大。 阳IOU 图4A是图2A的半导体发光器件的另一修改示例，并且图4B是图4A的部分"D" 的放大图。与图1至图2B的附图标记相同的附图标记指代相同的元件，因此，将省略重复 描述。 阳102] 如图4A和图4B所示，与上述示例性实施例相比，仅堆叠多层反射结构300而没有 绝缘层200。在运种情况下，由于在设置多层反射结构300之前不设置绝缘层200,因此可 降低多层反射结构300的粘着性。然而，由于光可在没有穿过绝缘层200的情况下从多层 反射结构300反射，因此从多层反射结构300反射的光的量可增加。另外，与上述示例性实 施例相比，由于未设置绝缘层，因此可简化制造工艺。 阳10引图5A是图2A的半导体发光器件的另一修改示例，图5B是图5A的部分"E' "的放 大图。与图1至图2B的附图标记相同的附图标记指代相同元件，因此，将省略重复描述。 [0104] 如图5A和图5B所示，与上述示例性实施例相比，绝缘层200更薄。如果绝缘层 200的厚度基本等于多层反射结构300的第二介电层30化的厚度，并且绝缘层200由与多 层反射结构300的材料相同材料形成，则绝缘层200可用作形成多层反射结构300的单个 介电层。因此，绝缘层200可执行与第二介电层30化的功能相同的功能。在运种情况下， 由于绝缘层200和多层反射结构300构成单个多层反射结构300'，因此可进一步提高反光 率。
[01化]如图2A所示，电极焊盘400可设置在多层反射结构300上，并且可通过多个开口 310和320分别电连接至第一导电类型的半导体层110和第二导电类型的半导体层130。 [0106] 如图2A所示，电极焊盘400可通过覆盖发光结构100的整个上表面的多层反射结 构300与第一导电类型的半导体层110和第二导电类型的半导体层130绝缘。电极焊盘400 可连接至通过多个开口 310和320部分地暴露的第一接触电极140和第二接触电极150, W 电连接至第一导电类型的半导体层110和第二导电类型的半导体层130。 阳107] 电极焊盘400与第一导电类型的半导体层110和第二导电类型的半导体层130之 间的电连接可通过设置在多层反射结构300中的多个开口 310和320不同地调整。例如， 电极焊盘400与第一导电类型的半导体层110和第二导电类型的半导体层130之间的电连 接可根据多个开口 310和320的数量和位置不同地修改。 阳10引 电极焊盘400可包括至少一对第一电极焊盘410和第二电极焊盘420。也就是说， 第一电极焊盘410可通过第一接触电极140电连接至第一导电类型的半导体层110，并且第 二电极焊盘420可通过第二接触电极150电连接至第二导电类型的半导体层130。在运种 情况下，将第一接触电极140暴露出来的开口 310可设置在其中开口 310与第一电极焊盘 410重叠的位置，并且将第二接触电极150暴露出来的开口 320可设置在其中开口 320与 第二电极焊盘420重叠的位置。第一电极焊盘410和第二电极焊盘420可彼此分离和电绝 缘。
[0109] 例如，电极焊盘400可由包括金（Au)、鹤（W)、销（Pt)、娃（Si)、银（Ir)、银（Ag)、 铜（Cu)、儀（Ni)、铁（Ti)、铭（Cr)和它们的合金中的至少一个的材料形成。
[0110] 设置在其中第二电极焊盘420布置于其上W与第二电极焊盘420重叠的位置的第 一接触电极140可能需要防止电连接至第二电极焊盘420。运样，在与第二电极焊盘420重 叠的位置，多层反射结构300可不具有将第一接触电极140的焊盘部分141暴露出来的开 日 310。 阳111] 如图1所示，当第一接触电极140包括=个焊盘部分141和两个指状物部分142 时，将焊盘部分141暴露出来的开口 310可仅设置在两个焊盘部分141上而可不设置在另 一个焊盘部分141上，所述两个焊盘部分141设置在其中所述两个焊盘部分141与第一电 极焊盘410重叠的位置，所述另一个焊盘部分141设置在其中该焊盘部分141与第二电极 焊盘420重叠的位置。因此，位于第一电极焊盘410下方的第一接触电极140的焊盘部分 141可通过开口 310连接至第一金属电极焊盘410,但是由于开口 310不设置在位于第二电 极焊盘420下方的焊盘部分141上，因此焊盘部分141和第二电极焊盘420可彼此电绝缘。 结果，通过分别将第一接触电极140和第二接触电极150暴露出来的多个开口 310和320 的排列方式，第一电极焊盘410可连接至第一接触电极140,第二电极焊盘420可连接至第 二接触电极150。
[0112] 纯化层500可设置在电极焊盘400上，并且覆盖整个电极焊盘400。纯化层500可 包括部分地暴露出电极焊盘400的键合区510。
[0113] 可设置多个键合区510 W将第一电极焊盘410和第二电极焊盘420部分地暴露出 来。在运种情况下，多个键合区510中的一些可不与多层反射结构300的多个开口 310和 320中的一些重叠。例如，如图2A所示，将第二电极焊盘420部分地暴露出来的一些键合 区510可不与将第二接触电极150部分地暴露出来的一些开口 320重叠。也就是说，键合 区510在竖直方向上不位于开口 320上方。部分地暴露出第一电极焊盘410的键合区510 可与部分地暴露出第一接触电极140的开口 310部分地重叠。
[0114] 在当前示例性实施例中，两个键合区410平行布置，但是键合区510的数量和布置 形式不限于此，而是可不同地修改。
[0115] 纯化层500可由与多层反射结构300的材料相同的材料形成。
[0116] 纯化层500还可包括与键合区510相似的部分地暴露出第一电极焊盘410和第二 电极焊盘420的开放区。开放区可设为连接至探针引脚（probe pin,未示出）的区，W在安 装之前确定半导体发光器件是否合适地操作。
[0117] 焊料焊盘600可设置在键合区510中。焊料焊盘6