阵列基板及其制作方法、包含其的显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本公开一般涉及显示技术领域，尤其涉及阵列基板及其制作方法、包含其的显示面板。
【背景技术】
[0002]静电击穿(ESD，Electro_Static Discharge)是显示面板制程中由于静电大量累积，在电荷转移过程中遇到较细的走线或者线线交叉的地方，瞬间电流过大，对电子器件的一种破坏现象。
[0003]随着对PPI(Pixel per Inch)提升的需求，器件的尺寸越来越小，金属的线宽以及金属与金属之间的距离越来越小，甚至连成一体。
[0004]参见图1所示，其示意性地示出了现有的显示面板中，与各像素电极分别对应连接的多个TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)的源漏极110、栅极线120和遮光层中的各遮光金属块130的位置关系。如图1所示，相邻的遮光金属块130之间的间距约为2μπι，且随着PPI的提高，该间距将变得更小。由于刻蚀工艺的精度限制，当相邻遮光金属块的间距过小时，无法既保证相邻的二遮光金属块之间相互绝缘又保证遮光金属块能够完全地遮挡TFT器件的沟道。如图2所示，由于相邻二遮光金属块210之间的间隔区域211的宽度非常小，在实际制作时，将不再刻蚀间隔区域211，而是制作整条的遮光金属线以遮挡整行像素的所有TFT器件的沟道。
[0005]此外，随着后续金属层(例如，数据线所在的金属层等)的叠加，发生“天线效应”的可能性也越来越大。
[0006]现有技术中，可以通过一个或者多个TFT或者引线组成防静电器件。防静电器件中不同的引线可作为静电的输入端和输出端将静电导出，或者使得静电在引线上逐渐衰减，从而达到静电释放的目的。但是在这些防静电器件形成之前，不可避免地存在静电累积对走线的损伤。
【发明内容】
[0007]鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种阵列基板及其制作方法、包含其的显示面板，以期解决现有技术中存在的技术问题。
[0008]第一方面，本申请实施例提供了一种阵列基板，包括基板、形成在基板上的第一导体层、形成在第一导体层上的第一钝化层、形成在第一钝化层上的遮光层、形成在遮光层上的第二钝化层以及形成在第二钝化层上的第一金属层;其中:遮光层包括多条平行的第一金属走线；第一金属层包括与每条第一金属走线一一对应的多条平行设置的第二金属走线;第一钝化层设有多个贯穿第一钝化层的第一过孔，各第一金属走线通过至少一个第一过孔与第一导体层电连接;各第二钝化层设有多个贯穿第二钝化层的第二过孔，各第二金属走线和与之对应的第一金属走线之间通过至少一个第二过孔电连接;阵列基板包括显示区和非显示区，第一过孔和第二过孔位于非显示区。
[0009]第二方面，本申请实施例还提供了一种显示面板，其包括如上所述的阵列基板，以及与阵列基板对置的彩膜基板，以及形成于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。
[0010]第三方面，本申请实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，用于制作至少一个阵列基板，包括:在基板上形成第一导体层;在第一导体层上形成第一钝化层，并在第一钝化层上开设多个贯穿第一钝化层的第一过孔;在第一钝化层上形成遮光层，光层包括多条平行的第一金属走线，各第一金属走线通过至少一个第一过孔与第一导体层电连接;在遮光层上形成第二钝化层，并在第二钝化层上开设多个贯穿第二钝化层的第二过孔；以及在第二钝化层上形成第一金属层，第一金属层包括与每条第一金属走线对应的多条平行设置的第二金属走线，第二金属走线通过至少一个第二过孔和与之对应的第一金属走线电连接。
[0011]按照本申请实施例的方案，通过在阵列基板的制作过程中，在第一导体层和遮光层之间的第一钝化层上形成第一过孔，以使遮光层上积累的静电荷可通过这些第一过孔引至第一导体层进而消散，并在遮光层和第一金属层之间的第二钝化层上形成第二过孔，以使第一金属层上积累的静电荷通多第二过孔、第一过孔引至第一导体层进而消散。避免了静电荷在遮光层和第一金属层上积累可能导致的“天线效应”，防止“天线效应”对阵列基板中的各金属走线可能造成的破坏，进而可提高阵列基板的制作良率。
【附图说明】
[0012]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
[0013I图1示出了现有的显示面板的示意性结构图；
[0014]图2示出了现有的显示面板中，随着PPI的增大，相邻遮光金属块的位置关系；
[0015]图3A示出了本申请的阵列基板的一个实施例的示意性结构图；
[0016]图3B为图3A的沿A-A线的剖视图；
[0017]图4A示出了本申请的阵列基板的另一个实施例的示意性结构图；
[0018]图4B为图4A的沿B-B线的剖视图；
[0019]图5示出了本申请的阵列基板的制作方法的一个实施例的示意性流程图；
[0020]图6A示出了采用本申请的阵列基板的制作方法制成的阵列基板的示意性结构图；
[0021]图6B为图6A的沿C-C线的剖视图。
【具体实施方式】
[0022]下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
[0023]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
[0024]参见图3A所示，为本申请的阵列基板的一个实施例的示意性结构图，图3B为图3A的沿A-A线的剖视图。
[0025]下面，将结合图3A和图3B来对本实施例的阵列基板进行详细描述。需要说明的是，图3A和图3B中，相同的附图标记代表相同的结构。
[0026]本实施例的阵列基板包括基板310、形成在基板310上的第一导体层320、形成在第一导体层320上的第一钝化层330、形成在第一钝化层330上的遮光层、形成在遮光层上的第二钝化层350以及形成在第二钝化层350上的第一金属层。
[0027]遮光层包括多条平行的第一金属走线340。第一金属层包括与每条第一金属走线340一一对应的多条平行设置的第二金属走线360。第一钝化层330设有多个贯穿第一钝化层330的第一过孔331，各第一金属走线340通过至少一个第一过孔331与第一导体层320电连接。各第二钝化层350设有多个贯穿第二钝化层350的第二过孔351，各第二金属走线360和与之对应的第一金属走线340之间通过至少一个第二过孔351电连接。
[0028]此外，本实施例的阵列基板包括显示区30和非显示区，第一过孔331和第二过孔351均位于非显示区。图3A中，附图标记30所示的虚线框内的区域为阵列基板的显示区，而位于虚线框外的部分则为阵列基板的非显示区。
[0029]本实施例的阵列基板，通过形成在第一钝化层330上的第一过孔