薄膜晶体管及阵列基板的制作方法、阵列基板、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别是指一种薄膜晶体管及阵列基板的制作方法、阵列基板、显示装置。
【背景技术】
[0002]现有阵列基板的制作工艺包括在衬底基板上依次形成栅金属层的图形、有源层的图形、源漏金属层的图形、钝化层的图形和透明导电层的图形，其中，在制作每一层的图形时，都需要采用沉积、涂覆光刻胶、曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等步骤。
[0003]在形成有源层的图形时，是在棚.绝缘层(可以米用SiNx)上依次沉积a_Si层和N+a_Si层，然后在N+a-Si层上涂覆光刻胶，曝光显影后保留所需要有源层图案区域上方的光刻胶，将其他区域光刻胶除去，再通过干法刻蚀将没有受光刻胶保护的a-Si层及N+a-Si层除去，最后再通过药液反应将光刻胶剥离，从而形成有源层的图形。
[0004]在生产过程中，由于环境、设备或其他异常原因不可避免地导致在膜层上附着尘埃、碎肩等异物，这些异物可在沉积过程中附着，也可在涂覆光刻胶的过程中或在进行干法刻蚀的时候附着，在对有源层进行干法刻蚀时，由于有源层上附着有异物，导致刻蚀气体无法与有源层接触反应，存在异物的位置将发生有源层膜层残留现象，导致亮点不良，严重影响阵列基板的良品率。
【发明内容】
[0005]本发明要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管及阵列基板的制作方法、阵列基板、显示装置，能够避免膜层残留不良，提高阵列基板的良品率。
[0006]为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下:
[0007]—方面，提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括:
[0008]在基板上形成过渡层；
[0009]对所述过渡层进行构图形成过渡层保留区域和过渡层未保留区域，所述过渡层未保留区域对应第一结构层的图形，其中所述过渡层保留区域的表面具有凹凸结构；
[0010]在形成有所述过渡层的图形的基板上形成用于形成所述第一结构层的材料层；
[0011]除去所述过渡层，所述材料层留在基板上的部分形成所述第一结构层的图形。
[0012]进一步地，所述过渡层的材料为光刻胶材料。
[0013]进一步地，所述第一结构层为有源层。
[0014]进一步地，所述过渡层为正性光刻胶，形成表面具有凹凸结构的所述过渡层保留区域包括:
[0015]采用灰色调掩膜板对所述过渡层进行曝光，所述灰色调掩膜板包括有不透光区域、半透光区域和完全透光区域；
[0016]显影后形成对应所述不透光区域的所述过渡层保留区域的第一部分、对应所述半透光区域的所述过渡层保留区域的第二部分和对应所述完全透光区域的所述过渡层未保留区域，其中，所述第一部分的过渡层的厚度大于所述第二部分的过渡层的厚度。
[0017]进一步地，所述过渡层为负性光刻胶，形成表面具有凹凸结构的所述过渡层保留区域包括:
[0018]采用灰色调掩膜板对所述过渡层进行曝光，所述灰色调掩膜板包括有不透光区域、半透光区域和完全透光区域；
[0019]显影后形成对应所述完全透光区域的所述过渡层保留区域的第一部分、对应所述半透光区域的所述过渡层保留区域的第二部分和对应所述不透光区域的所述过渡层未保留区域，其中，所述第一部分的过渡层的厚度大于所述第二部分的过渡层的厚度。
[0020]进一步地，所述除去所述过渡层包括:
[0021]将剥离液与裸露的所述过渡层接触，使得所述过渡层与剥离液反应从基板上除去。
[0022]进一步地，所述除去所述过渡层，所述材料层留在基板上的部分形成所述第一结构层的图形包括:
[0023]在所述材料层上涂覆一层光刻胶；
[0024]利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶保留区域和光刻胶未保留区域，所述光刻胶保留区域对应所述第一结构层的图形；
[0025]利用干法刻蚀除去光刻胶未保留区域的所述材料层；
[0026]将剥离液与所述过渡层接触，使得所述过渡层与剥离液反应从基板上除去。
[0027]进一步地，所述材料层为采用a-Si和N+a-Si。
[0028]本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，采用如上所述方法在基板上形成薄膜晶体管。
[0029]本发明实施例还提供了一种阵列基板，包括形成在基板上，采用如上方法制作的薄膜晶体管。
[0030]本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。
[0031]本发明的实施例具有以下有益效果:
[0032]上述方案中，在基板上形成过渡层的图形，过渡层的图形包括过渡层保留区域和过渡层未保留区域，过渡层未保留区域对应有源层的图形，在形成有过渡层的图形的基板上沉积有源层材料，这样在剥离过渡层后就能形成有源层的图形，由于是通过剥离过渡层来形成有源层的图形，而不用通过干法刻蚀有源层材料来得到有源层的图形，因此，即使有源层材料上附着有异物，也可以避免有源层膜层残留不良，提高阵列基板的良品率。
【附图说明】
[0033]图1为本发明实施例在衬底基板上形成栅金属层的图形后的示意图；
[0034]图2为本发明实施例形成栅绝缘层后的示意图；
[0035]图3为本发明实施例形成光刻胶后的示意图；
[0036]图4为本发明实施例在光刻胶上沉积有源层后的示意图；
[0037]图5为本发明实施例剥离光刻胶，形成有源层的图形后的示意图；
[0038]图6为本发明实施例在栅绝缘层上涂覆光刻胶后的示意图；
[0039]图7为本发明实施例对光刻胶进行刻蚀后的示意图；
[0040]图8为本发明实施例在光刻胶上沉积有源层后的示意图；
[0041 ]图9为本发明实施例在有源层上涂覆光刻胶后的示意图；
[0042]图10为本发明实施例对有源层上的光刻胶进行刻蚀后的示意图；
[0043]图11为本发明实施例对有源层进行刻蚀后的示意图。
[0044]附图标记
[0045]I衬底基板2栅金属层3栅绝缘层4有源层
[0046]10光刻胶
【具体实施方式】
[0047]为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
[0048]本发明的实施例针对现有技术中易发生有源层膜层残留现象，导致亮点不良，严重影响阵列基板的良品率的问题，提供一种薄膜晶体管及阵列基板的制作方法、阵列基板、显不装置，能够避免I旲层残留不良，提尚阵列基板的良品率。
[0049]实施例一
[0050]本实施例提供了一种薄膜晶体管的制作方法，包括:
[0051]在基板上形成过渡层；
[0052]对所述过渡层进行构图形成过渡层保留区域和过渡层未保留区域，所述过渡层未保留区域对应第一结构层的图形，其中所述过渡层保留区域的表面具有凹凸结构；
[0053]在形成有所述过渡层的图形的基板上形成用于形成所述第一结构层的材料层；
[0054]除去所述过渡层，所述材料层留在基板上的部分形成所述第一结构层的图形。
[0055]本实施例中，在基板上形成过渡层的图形，过渡层的图形包括过渡层保留区域和过渡层未保留区域，过渡层未保留区域对应有源层的图形，在形成有过渡层的图形的基板上沉积有源层材料，这样在剥离过渡层后就能形成有源层的图形，由于是通过剥离过渡层来形成有源层的图形，而不用通过干法刻蚀有源层材料来得到有源层的图形，因此，即使有源层材料上附着有异物，也可以避免有源层膜层残留不良，提高阵列基板的良品率。
[0056]具体实施例中，过渡层可以采用光刻胶形成。
[0057]优选实施例中，所述第一结构层可以为有源层，第一结构层不局限于有源层，但在第一结构层为有源层时，可以有效避免有源层膜层残留不良，提高阵列基板的良品率。
[0058]进一步地，所述过渡层为正性光刻胶，形成表面具有凹凸结构的所述过渡层保留区域包括:
[0059]采用灰色调掩膜板对所述过渡层进行曝光，所述灰色调掩膜板包括有不透光区域、半透光区域和完全透光区域；
[0060]显影后形成对应所述不透光区域的所述过渡层保留区域的第一部分、对应所述半透光区域的所述过渡层保留区域的第二部分和对应所述完全透光区域的所述过渡层未保留区域，其中，所述第一部分的过渡层的厚度大于所述第二部分的过渡层的厚度。
[0061]进一步地，所述过渡层为负性光刻胶，形成表面具有凹凸结构的所述过渡层保留区域包括:
[0062]采用灰色调掩膜板对所述过渡层进行曝光，所述灰色调掩膜板包括有不透光区域、半透光区域和完全透光区域；
[0063]显影后形成对应所述完全透光区域的所述过渡层保留区域的第一部分、对应所述半透光区域的所述过渡层保留区域的第二部分和对应所述不透光区域的所述过渡层未保留区域，其中，所述第一部分的过渡层的厚度大于所述第二部分的过渡层的厚度。
[0064]进一步地，除去所述过渡层的具体方式为:
[0065]将剥离液与裸露的所述过渡层接触，使得所述过渡层与剥离液反应从基板上除去。
[0066]进一步地，所述除去所述过渡层，所述材料层留在基板上的部分形成所述第一结构层的图形包括:
[0067]在所述材料层上涂覆一层光刻胶；
[0068]利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶保留区域和光刻胶未保留区域，所述光刻胶保留区域对应所述第一结构层的图形；
[0069]利用干法刻蚀除去光刻胶未保留区域的所述材料层；
[0070]将剥离液与所述过渡层接触，使得所述过