其从所述顶表面的直径延伸到所述环形表面的外径，所述环形表面处于所 述中央顶表面下的台阶， 多个承载环支撑件，其位于所述环形表面的所述外径处； 具有环形主体的承载环，所述环形主体具有底部表面和顶部表面，所述承载环的所述 环形主体的所述底部表面配置成由所述承载环支撑件支撑，使得所述环形主体的所述底部 表面是在所述环形表面上方的第一垂直间隔处，所述承载环具有内径和被限定为靠近所述 内径的台阶下表面，所述台阶下表面与从所述台阶下表面延伸到所述环形主体的外径的所 述顶部表面相对； 其中，当所述承载环坐落在所述承载环支撑件上时，然后所述承载环的所述台阶下表 面被定位在处理水平，所述处理水平在相对于所述基座的顶表面上方的支撑水平的第二垂 直间隔处； 其中，所述第一垂直间隔限定所述承载环的所述底部表面和所述环形表面之间的下部 间隙，而所述第二垂直间隔在晶片被支撑在所述基座上的所述多个晶片支撑件上时限定所 述承载环的所述台阶下表面和所述晶片之间的上部间隙，所述上部间隙小于约0.15毫米； 其中，当所述晶片存在于所述处理室内并被支撑在所述晶片支撑件上时，所述晶片的 边缘被配置为悬垂在所述顶表面的直径上方，使得所述晶片的所述边缘悬垂并驻留在所述 承载环的所述台阶下表面上方。2. 根据权利要求1所述的处理室，其中所述下部间隙小于约0.15毫米。3. 根据权利要求1所述的处理室，其中所述下部间隙为约0.1毫米或更小。4. 根据权利要求1所述的处理室，其中所述上部间隙为约0.1毫米或更小。5. 根据权利要求1所述的处理室，其中，每个承载环支撑件是高度能调节的，以在所述 承载环被所述承载环支撑件支撑时，限定在所述环形表面上的所述第一垂直间隔，其中所 述承载环的所述底部表面被定位在所述环形表面处。6. 根据权利要求5所述的处理室，其中所述承载环支撑件中的至少一个包括用于调节 所述承载环支撑件中的至少一个的高度的一个或多个间隔件。7. 根据权利要求1所述的处理室，其中，所述多个承载环支撑件限定对称地定位在所述 环形表面的所述外径处的至少三个承载环支撑件。8. 根据权利要求1所述的处理室，其中，在沉积工艺期间，所述下部间隙和所述上部间 隙限制工艺气体通向所述晶片的背面，所述下部间隙和所述上部间隙限制在所述晶片的边 缘区域处在所述晶片的所述背面上的沉积至小于在所述边缘区域处在所述晶片的正面上 的沉积的约20%，所述边缘区域被限定在离所述晶片的边缘约3毫米处。9. 根据权利要求1所述的处理室，其中，所述沉积工艺是原子层沉积(ALD)工艺。10. 根据权利要求1所述的处理室，其中，所述承载环被配置成在往来于所述基座传输 所述晶片期间支撑所述晶片。11. 根据权利要求10所述的处理室，其中，所述承载环包括限定在所述承载环的所述台 阶下表面上的多个承载环晶片支撑件，所述承载环晶片支撑件被配置为在传输过程中由所 述承载环支撑所述晶片时接合所述晶片。12. -种用于在晶片上沉积膜的处理室，其包括： 配置为接收所述晶片的基座，所述基座具有， 从所述基座的中心轴线延伸至顶表面的直径的中央顶表面，所述中央顶表面具有限定 在其上的多个晶片支撑件，所述晶片支撑件被配置成将所述晶片支撑在所述中央顶表面上 面的支撑水平， 环形表面，其从所述顶表面的直径延伸到所述环形表面的外径，所述环形表面处于所 述中央顶表面下的台阶， 多个承载环支撑件，其位于所述环形表面的所述外径处； 具有环形主体的承载环，所述环形主体具有底部表面和顶部表面，所述承载环的所述 环形主体的所述底部表面配置成由所述承载环支撑件支撑，使得所述环形主体的所述底部 表面是在所述环形表面上方的第一垂直间隔处，所述承载环具有内径和被限定为靠近所述 内径的台阶下表面，所述台阶下表面与从所述台阶下表面延伸到所述环形主体的外径的所 述顶部表面相对； 其中，当所述承载环坐落在所述承载环支撑件上时，然后所述承载环的所述台阶下表 面被定位在处理水平，所述处理水平在相对于所述基座的顶表面上方的支撑水平的第二垂 直间隔处； 其中，所述第一垂直间隔限定所述承载环的所述底部表面和所述环形表面之间的下部 间隙，所述下部间隙小于约0.15毫米，而所述第二垂直间隔在晶片被支撑在所述基座上的 所述多个晶片支撑件上时限定所述承载环的所述台阶下表面和所述晶片之间的上部间隙， 所述上部间隙小于约0.15毫米； 其中，当所述晶片存在于所述处理室内并被支撑在所述晶片支撑件上时，所述晶片的 边缘被配置为悬垂在所述顶表面的直径上方，使得所述晶片的所述边缘悬垂并驻留在所述 承载环的所述台阶下表面上方； 其中，在沉积工艺期间，所述下部间隙和所述上部间隙限制工艺气体通向所述晶片的 背面，所述下部间隙和所述上部间隙限制在所述晶片的边缘区域处在所述晶片的所述背面 上的沉积至小于在所述边缘区域处在所述晶片的正面上的沉积的约20%，所述边缘区域被 限定在离所述晶片的边缘约3毫米处。13. 根据权利要求12所述的处理室， 其中所述下部间隙为约0.1毫米或更小； 其中所述上部间隙为约0.1毫米或更小。14. 根据权利要求12所述的处理室，其中，每个承载环支撑件是高度能调节的，以在所 述承载环被所述承载环支撑件支撑时，限定在所述环形表面上的所述第一垂直间隔，其中 所述承载环的所述底部表面被定位在所述环形表面处。15. 根据权利要求14所述的处理室，其中所述承载环支撑件中的至少一个包括用于调 节所述承载环支撑件中的至少一个的高度的一个或多个间隔件。16. 根据权利要求12所述的处理室，其中，所述多个承载环支撑件限定对称地定位在所 述环形表面的所述外径处的至少三个承载环支撑件。17. 根据权利要求12所述的处理室，其中，所述承载环被配置成在往来于所述基座传输 所述晶片期间支撑所述晶片， 其中，所述承载环包括限定在所述承载环的所述台阶下表面上的多个承载环晶片支撑 件，所述承载环晶片支撑件被配置为在传输过程中由所述承载环支撑所述晶片时接合所述 晶片。18. 根据权利要求12所述的处理室，其中，所述沉积工艺是原子层沉积(ALD)工艺。19. 一种用于在晶片上沉积膜的处理室，其包括： 配置为接收所述晶片的基座，所述基座具有， 从所述基座的中心轴线延伸至顶表面的直径的中央顶表面，所述中央顶表面具有限定 在其上的多个晶片支撑件，所述晶片支撑件被配置成将所述晶片支撑在所述中央顶表面上 面的支撑水平， 环形表面，其从所述顶表面的直径延伸到所述环形表面的外径，所述环形表面处于所 述中央顶表面下的台阶， 多个承载环支撑件，其位于所述环形表面的所述外径处； 具有环形主体的承载环，所述环形主体具有底部表面和顶部表面，所述承载环的所述 环形主体的所述底部表面配置成由所述承载环支撑件支撑，使得所述环形主体的所述底部 表面是在所述环形表面上方的第一垂直间隔处，所述承载环具有内径和被限定为靠近所述 内径的台阶下表面，所述台阶下表面与从所述台阶下表面延伸到所述环形主体的外径的所 述顶部表面相对； 其中，当所述承载环坐落在所述承载环支撑件上时，然后所述承载环的所述台阶下表 面被定位在处理水平，所述处理水平在相对于所述基座的顶表面上方的支撑水平的第二垂 直间隔处； 其中，所述第一垂直间隔限定所述承载环的所述底部表面和所述环形表面之间的下部 间隙，所述下部间隙为约0.1毫米或更小，而所述第二垂直间隔在晶片被支撑在所述基座上 的所述多个晶片支撑件上时限定所述承载环的所述台阶下表面和所述晶片之间的上部间 隙，所述上部间隙为约〇. 1毫米或更小； 其中，当所述晶片存在于所述处理室内并被支撑在所述晶片支撑件上时，所述晶片的 边缘被配置为悬垂在所述顶表面的直径上方，使得所述晶片的所述边缘悬垂并驻留在所述 承载环的所述台阶下表面上方； 其中，在沉积工艺期间，所述下部间隙和所述上部间隙限制工艺气体通向所述晶片的 背面，所述下部间隙和所述上部间隙限制通过沉积工艺在所述晶片的边缘区域处在所述晶 片的所述背面上的沉积至小于在所述边缘区域处在所述晶片的正面上的沉积的约20%，所 述边缘区域被限定在离所述晶片的边缘约3毫米处。20. 根据权利要求19所述的处理室，其中，所述沉积工艺是原子层沉积(ALD)工艺。
【专利摘要】本发明涉及减少在晶片边缘的背面沉积，提供了一种用于在晶片上沉积膜的处理室，其包括基座，所述基座具有中央顶表面，所述中央顶表面具有被配置成将所述晶片支撑在所述中央顶表面上面的支撑水平的多个晶片支撑件，处于所述中央顶表面下的台阶处的环形表面；承载环，所述承载环配置成由承载环支撑件支撑，使得所述承载环的底部表面是在所述环形表面上方的第一垂直间隔处，所述承载环具有相对于顶部表面被定义的台阶下表面；其中，当所述承载环坐落在所述承载环支撑件上时，然后所述承载环的所述台阶下表面被定位在处理水平，所述处理水平在相对于所述基座的顶表面上方的支撑水平的第二垂直间隔处。
【IPC分类】C23C16/458, H01L21/67, C23C16/455, H01L21/687
【公开号】CN105719989
【申请号】CN201510968227
【发明人】克洛伊·巴尔达赛罗尼, 安德鲁·杜瓦尔, 瑞安·布拉基埃, 尚卡·斯瓦米纳森
【申请人】朗姆研究公司
【公开日】2016年6月29日
【申请日】2015年12月21日
【公告号】US20160177444