=12.0mm*12.0mm ;
[0068]低通滤波层的厚度=0.018mm ；
[0069]十字形导电几何结构的长度=10.6mm ;
[0070]十字形导电几何结构的宽度=0.4mm ；
[0071]十字与十字之间的距离=1.4mm ；
[0072]田字型金属微结构的长度=4.5mm ；
[0073]田字形导电几何结构的宽度=0.1mm ；
[0074]田字形与田字形之间的距离=1.5mm ；
[0075]最外围两层基板厚度=0.1mm ；
[0076]中间基板厚度=2.0mm ；
[0077]基板的相对介电常数ε = 2.9，损耗正切值loss = 0.008 ；
[0078]上述基板采用FR4基板。其中，低通滤波层附在soft层上，soft层的ε =3.2，厚度=0.025mm。
[0079]图8是上述低通滤波结构的CST仿真结果，电磁波入射角度为零(即正面入射)。其中，曲线81表示Sll曲线，曲线82表示S21曲线。
[0080]仿真结果表示:S21在1GHz至20GHz波段均低于_10dB，S21在O-1OGHz波段平均为-2.7382dB，S21在10_20GHz波段平均为-13.1531dB，S21在l_2GHz波段平均为-0.3956dBo
[0081]L波段可透波而且低损耗，不过1GHz至20GHz以上会被抑制，实现了低通滤波。
[0082]优选地，多层低通滤波层还包括设置在第一低通滤波层和第二低通滤波层之间的第三低通滤波层，第三低通滤波层包括多个十字形的导电几何结构。第三低通滤波层上的十字形的导电几何结构可以是与第一低通滤波层上的十字形的导电几何结构相同的结构，如图9所示。该低通滤波结构的一个导电几何结构单元的结构如图10所示。
[0083]由于第三低通滤波层也具有低通滤波特性，第三低通滤波层上的多个十字形的导电几何结构不相连。
[0084]优选地，第三低通滤波层上的多个十字形的导电几何结构垂直投射到第一低通滤波层所在的平面的投影与第一低通滤波层上的多个十字形的导电几何结构不重叠或者重叠。
[0085]优选地，如图9和图10所示，多边形环的导电几何结构为方圈导电几何结构。
[0086]以方圈导电几何结构为例，对本实施例的低通滤波结构进行举例说明。
[0087]结合图11至图13来说明低通滤波结构的相关参数:
[0088]每个导电几何结构单元的面积=16.0mm*16.0mm ;
[0089]低通滤波层的厚度=0.018mm ；
[0090]十字导电几何结构的长度=14.8mm ；
[0091]十字导电几何结构的宽度=0.2mm ；
[0092]十字与十字之间的距离=1.2mm ;
[0093]方圈导电几何结构的长度=7mm ；
[0094]方圈导电几何结构的宽度=Imm ;
[0095]方圈与方圈之间的距离=Imm ;
[0096]低通滤波层与低通滤波层之间距离=8mm ；
[0097]本示例中，第一低通滤波层和第二低通滤波层的十字形结构完全相同。低通滤波层与低通滤波层之间是真空层(即没有基板)。
[0098]图14是本示例的CST仿真结果，电磁波入射角度为零(即正面入射)。其中，曲线141表示Sll曲线，曲线142表示S21曲线。
[0099]仿真结果表示:S21在OGHz至8GHz波段均高于_ldB，S21在9GHz至20GHz波段均低于-10dB，S21 在 0-8GHz 波段平均为-0.2178dB，S21 在 9_20GHz 波段平均为-15.5953dB，S21 在 8-9GHz 波段平均为-5.621dB。
[0100]由此可以得出，上述低通滤波结构对于OGHz至8GHz可透波而且低损耗，不过9GHz至20GHz以上会被抑制，实现了低通滤波。
[0101]可选地，第二低通滤波层上的多个十字形的导电几何结构垂直投射到第一低通滤波层所在的平面的投影与第一低通滤波层上的多个十字形的导电几何结构不重叠，如图15所示，该低通滤波结构的一个导电几何结构单元的结构如图16所示。其中，第三低通滤波层中的方形的导电几何结构中设置有十字形结构，形成田字形的导电几何结构，第三低通滤波层设置在第一低通滤波层和第二低通滤波层之间。
[0102]优选地，多层低通滤波层中各低通滤波层之间是真空层。
[0103]以田字形的导电几何结构为例，对本方案的低通滤波结构进行说明。
[0104]结合图17至图20来说明低通滤波结构的相关参数:
[0105]每个导电几何结构单元的面积=16.0mm*16.0mm ;
[0106]低通滤波层的厚度=0.018mm ；
[0107]第一低通滤波层的十字形的导电几何结构的长度=14.6mm ；
[0108]第一低通滤波层的十字形的导电几何结构的宽度=1.0mm;
[0109]第一低通滤波层的十字与十字之间的距离=1.4mm；
[0110]田字形的导电几何结构的长度=7.2mm ；
[0111]田字形的导电几何结构的宽度=0.1mm ；
[0112]田字与田字之间的距离=0.8mm ;
[0113]第三低通滤波层的十字形的导电几何结构的长度=15.2mm ；
[0114]第三低通滤波层的十字形的导电几何结构的宽度=0.2mm ；
[0115]第三低通滤波层十字与十字之间的距离=0.8mm ;
[0116]低通滤波层与低通滤波层之间距离=8mm ；
[0117]其中，低通滤波层与低通滤波层之间是真空(即没有基板)。
[0118]图21是本示例的低通滤波结构的CST仿真结果，电磁波入射角度为零(即正面入射)。其中，曲线211表示Sll曲线，曲线212表示S21曲线。
[0119]仿真结果表示:S21在OGHz至8GHz波段均高于-ldB，S21在9GHz至18GHz波段均低于-10dB，S21 在 0-8GHz 波段平均为-0.1673dB，S21 在 9_18GHz 波段平均为-14.7303dB，S21 在 8-9GHz 波段平均为-5.7693dB。
[0120]由此可以得出，上述低通滤波结构对于OGHz至8GHz可透波而且低损耗，不过9GHz至18GHz以上会被抑制，实现了低通滤波。
[0121]以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种低通滤波结构，其特征在于，包括多层低通滤波层，所述多层低通滤波层包括: 第一低通滤波层，所述第一低通滤波层包括多个十字形的导电几何结构，所述多个十字形的导电几何结构不相连， 第二低通滤波层，所述第二低通滤波层包括多个圆环形的导电几何结构、和/或多个多边形环的导电几何结构，所述第二低通滤波层上的导电几何结构相互之间不相连。
2.根据权利要求1所述的低通滤波结构，其特征在于，所述圆环形的导电几何结构和/或多个多边形环的导电几何结构中设置有十字形结构，形成田字形的导电几何结构。
3.根据权利要求2所述的低通滤波结构，其特征在于，所述多个十字形的导电几何结构垂直投射到所述田字形的导电几何结构所在的平面的投影与所述田字形的导电几何结构不重叠。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的低通滤波结构，其特征在于，所述多层低通滤波层中各低通滤波层之间设置有基板。
5.根据权利要求4所述的低通滤波结构，其特征在于，所述基板为复合材料基板或陶瓷材料基板。
6.根据权利要求5所述的低通滤波结构，其特征在于，所述复合材料基板为热固性材料基板或者热塑性材料基板。
7.根据权利要求5所述的低通滤波结构，其特征在于，所述复合材料基板为包含纤维、泡沫和/或蜂窝的一层结构基板或者多层结构基板。
8.根据权利要求1或者2或者3所述的低通滤波结构，其特征在于，所述多层低通滤波层还包括设置在所述第一低通滤波层和所述第二低通滤波层之间的第三低通滤波层，所述第三低通滤波层包括多个十字形的导电几何结构。
9.根据权利要求8所述的低通滤波结构，其特征在于，所述第三低通滤波层上的多个十字形的导电几何结构不相连。
10.根据权利要求8所述的低通滤波结构，其特征在于，所述第三低通滤波层上的多个十字形的导电几何结构垂直投射到所述第一低通滤波层所在的平面的投影与所述第一低通滤波层上的多个十字形的导电几何结构不重叠或者重叠。
11.根据权利要求10所述的低通滤波结构，其特征在于，所述多边形环的导电几何结构为规则多边形导电几何结构或者不规则多边形导电几何结构。
12.根据权利要求11所述的低通滤波结构，其特征在于，所述多边形环的导电几何结构为方圈。
13.根据权利要求1中所述的低通滤波结构，其特征在于，所述多层低通滤波层中各低通滤波层之间是真空层。
14.根据权利要求1所述的低通滤波结构，其特征在于，所述多层低通滤波层中同一层低通滤波层的导电几何结构的大小、线宽、以及间距相同或者不同。
15.根据权利要求1所述的低通滤波结构，其特征在于，所述多层低通滤波层中不同低通滤波层的导电几何结构的线宽、间距相同或者不同。
16.根据权利要求1所述的低通滤波结构，其特征在于，所述导电几何结构为金属导电几何结构或者非金属导电几何结构。
17.—种低通滤波器，其特征在于，包括:权利要求1至16中任一项所述的低通滤波结构。
【专利摘要】本实用新型公开了一种低通滤波结构和低通滤波器。其中，低通滤波结构包括多层低通滤波层，所述多层低通滤波层包括：第一低通滤波层，所述第一低通滤波层包括多个十字形的导电几何结构，所述多个十字形的导电几何结构不相连，第二低通滤波层，所述第二低通滤波层包括圆环形的导电几何结构、和/或多个多边形环的导电几何结构，所述第二低通滤波层上的导电几何结构相互之间不相连。通过本实用新型，解决了由于使用一层低通滤波层导致低通滤波性能低的问题，达到了提高低通滤波性能的效果。
【IPC分类】H01P1-20, H01P1-203
【公开号】CN204441431
【申请号】CN201520173533
【发明人】不公告发明人
【申请人】深圳光启高等理工研究院
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2015年3月25日