晶片处理装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及晶片处理装置，更详细地，涉及使用于针对完成化学机械抛光工序的晶片的清洗漂洗工序的晶片处理装置。
【背景技术】
[0002]通常，化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing ;CMP)工序被认为是一种通过使具有抛光层的用于制作半导体的晶片等晶片与抛光板之间进行相对旋转，从而对晶片的表面进行抛光的标准工序。
[0003]由于化学机械抛光工序以将晶片W的抛光面紧贴于抛光垫的状态，通过机械作用和化学作用进行抛光，因此，晶片W的抛光面将成为附着有包括抛光粒子的很多异物的状
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[0004]由此，结束化学机械抛光工序的晶片W将会进行清洗工序，并且使用图1及图2所示的清洗及漂洗装置。即，将晶片W放置在以驱动马达和旋转轴12作为媒介进行连接的支架10的状态下，一边使支架10高速旋转，一边从喷嘴20喷射清洗液或漂洗液，并进行清洗及漂洗工序。
[0005]S卩，如图2所示，喷嘴20固定于按指定的角度进行往复旋转运动的臂部31的末端，从而根据臂部31的往复旋转运动来进行移动20d，并向晶片W的表面喷射清洗液或漂洗液。此时，由于晶片W也以固定于支架10的状态旋转10r，因此，从喷嘴20喷射的液体将会到达晶片W的整个表面。
[0006]但是，虽然晶片W在从旋转中心O半径长度相隔较远的位置P1、P2的角速度相同，但与半径长度成正比，从而线速度较快，因此，若喷嘴20按指定的速度向晶片W的径向进行往复移动20d，并向晶片W的表面喷射清洗液或漂洗液20a，则从喷嘴20喷射的清洗液或漂洗液以均匀的形态到达1s晶片W，因此，与从晶片W的中心O半径长度相隔较小的第一位置Pl相比，从晶片W的中心O半径长度相隔较远的第二位置P2，清洗液或漂洗液的接触时间或接触量更少，从而具有降低晶片W的半径外侧部分中的清洗效率或漂洗效率的问题。
[0007]不仅如此，即使在晶片W的特定部分异物55局部性地集中的情况下，喷嘴20仅停留在沿着指定的图案进行简单的往复移动，因此，不仅存在无法检测异物55是否从晶片W分离的问题，而且存在即使能够进行检测，也需要很长的去除异物55时间的问题。
【实用新型内容】
[0008]本实用新型为了解决如上所述的问题而提出，本实用新型的目的在于，在较短的时间内对经过了化学机械抛光工序的晶片的半径长度相隔较远的区域(边缘区域)进行更加整洁的清洗或漂洗。
[0009]尤其，本实用新型的目的在于，即使因从晶片的中心向径向相隔的半径长度变长而使线速度变得更快，也充分地确保晶片的表面和漂洗液或清洗液之间相接触的时间，从而在短的时间内执行更加干净的清洗漂洗工序。
[0010]并且，本实用新型通过检测残留于晶片的表面的异物，来提高在较短的时间内清洗及漂洗局部性地集中有异物的区域的效率。
[0011]为了达成上述目的，本实用新型提供晶片处理装置，对经过了化学机械抛光工序的晶片进行处理，其特征在于，包括:支架，使晶片以被放置的状态旋转；喷嘴，用于向上述晶片的表面喷射处理用流体；以及喷嘴调节部，用于调节上述喷嘴的喷射方向、喷射高度、喷射压力及移动速度中的一个以上。
[0012]这是为了在将晶片以固定于支架的状态进行高速旋转的状态下，为了漂洗或清洗而对清洗液或漂洗液或干燥用气体等流体进行高压喷射的过程中，设置按不同的晶片的旋转速度来调节流体喷射高度和喷射方向的喷嘴调节部，从而可以在制定的时间内，在晶片的整个表面进行均匀且干净的清洗。
[0013]在此，多个上述喷嘴可以配置在相对于与支架一同进行高速旋转的晶片来向具有径向成分的方向以长的方式延伸的杆，从而进行涂敷，也可以构成为少数的喷嘴相对于晶片来向具有径向成分的方向移动，并对晶片的表面喷射流体。
[0014]不管是上述的哪一种结构，被调节成，
[0015]相对于第一喷射角度，第二喷射角度更小，其中，上述第一喷射角度是上述喷嘴在距离上述抛光垫的中心相隔第一距离的位置、即第一位置喷射流体时的相对于水平面的角度，上述第二喷射角度是上述喷嘴在距离上述抛光垫的中心相隔大于上述第一距离的位置、即第二位置喷射流体时的相对于水平面的角度。
[0016]像这样，在位于从晶片的旋转中心半径长度相隔更远的第二位置，以更低的喷射角度来倾斜喷射流体，从而在第二位置上更广地引导从喷嘴喷射的流体与晶片的表面相接触的面积，由此，即使在由于与旋转中心相隔较远而使根据旋转的线速度变得更快的第二位置，也能够使喷嘴的流体可以更加充分地进行接触，致使能够维持与第一位置等同的水准的清洗、漂洗或干燥效率。通过这种方式，在晶片的整个表面中，可以与线速度的差异无关地向晶片供给用于清洗或漂洗及干燥的流体，从而可以获得能够提高晶片的处理工序效率的效果。
[0017]另一方面，上述喷嘴可以相对于第一位置和第二位置来间歇性地使喷射角度发生变化，但根据本实用新型的另一实施形态，上述喷嘴可在第一位置和上述第二位置之间移动的期间，喷射角度连续地发生变化，从而可以准确地弥补从晶片的中心的根据向半径距离的线速度的差异。
[0018]另一方面，可以构成为，相对于第一移动速度，第二移动速度更慢，其中，上述第一移动速度是上述喷嘴在距离上述抛光垫的中心相隔第一距离的位置、即第一位置上移动的速度，上述第二移动速度是上述喷嘴在距离上述抛光垫的中心相隔大于上述第一距离的位置、即第二位置上移动的速度。
[0019]像这样，在位于从晶片的旋转中心半径长度相隔更远的第二位置，喷嘴以更慢地具有径向成分的方式移动，从而可以更长地引导从喷嘴喷射的流体在第二位置上与晶片的表面相接触的时间，从而即使在由于与旋转中心相隔较远而使根据旋转的线速度更快的第二位置，也能够使从喷嘴喷射的流体按与在线速度慢的第一位置的量相同的大小进行接触，从而能够维持与第一位置等同的水准的清洗、漂洗或干燥效率。通过这种方式，可以与线速度的差异无关地向晶片的表面供给用于清洗或漂洗及干燥的流体，从而可以获得能够提高晶片的处理工序效率的效果。
[0020]另一方面，上述喷嘴的移动速度可以仅对第一位置和第二位置间歇性地发生变化，但根据本实用新型的另一实施形态，上述喷嘴在第一位置和上述第二位置之间移动的期间，移动速度连续地发生变化，从而可以准确地弥补从晶片的中心向半径距离的线速度的差异。
[0021]并且，被调节成，相对于第一喷射高度，第二喷射高度更高，其中，上述第一喷射高度是上述喷嘴在距离上述抛光垫的中心相隔第一距离的位置、即第一位置进行喷射的高度，上述第二喷射高度是上述喷嘴在距离上述抛光垫的中心相隔大于上述第一距离的位置、即第二位置进行喷射的高度。
[0022]像这样，在位于从晶片的旋转中心相隔更远的第二位置，在更高的位置喷射流体，从而在第二位置上更广地引导从喷嘴喷射的流体与晶片的表面相接触的面积，由此，即使在由于与旋转中心相隔较远而使根据旋转的线速度变得更快的第二位置，也能够使使喷嘴的流体可以更加充分地进行接触，从而能够维持与第一位置等同的水准的清洗、漂洗或干燥效率。通过这种方式，在晶片的整个表面中，可以与线速度的差异无关地向晶片供给用于清洗或漂洗及干燥的流体，从而可以获得能够提高晶片的处理工序效率的效果。
[0023]另一方面，上述喷嘴可以相对于第一位置和第二位置来间歇性地使喷射角度发生变化，但根据本实用新型的另一实施形态，上述喷嘴可在第一位置和上述第二位置之间移动的期间，喷射角度连续地发生变化，从而可以准确地弥补从晶片的中心向半径距离的线速度的差异。
[0024]并且，也可以保持如下状态:相对于第一喷射压力，第二喷射压力更大，其中，上述第一喷射压力是上述喷嘴在距离上述抛光垫的中心相隔第一距离的位置、即第一位置上的喷射压力，上述第二喷射压力是上述喷嘴在距离上述抛光垫的中心相隔大于上述第一距离的位置、即第二位置上的喷射压力。
[0025]像这样，在位于从晶片的旋转中心相隔更远的第二位置，以更高的喷射压力喷射流体，从而在第二位置上更大地引导从喷嘴喷射的流体打击晶片的表面的力量，由此，即使在由于与旋转中心相隔较远而使根据旋转的线速度变得更快、接触时间更小的第二位置，也能通过更为提高基于从喷嘴喷射的流体的处理效率，使清洗、漂洗或干燥效率维持在与第一位置同等的水准。通过这种方式，在晶片的整个表面中，可以与线速度的差异无关地向晶片供给用于清洗或漂洗及干燥的流体，从而可以获得能够提高晶片的处理工序效率的效果O
[0026]另一方面，上述喷嘴的喷射压力可以仅对第一位置和第二位置间歇性地发生变化，但根据本实用新型的另一实施形态，上述喷嘴在第一位置和上述第二位置之间移动的期间，喷射压力连续地发生变化，从而可以准确地弥补从晶片的中心向半径距离的线速度的差异。
[0027]本说明书及实用新型保护范围所记载的“径向”及与此相似的术语被定义为，不仅表示从晶片的旋转中心向外侧远离或接近的方向成分，而且表示与从晶片的旋转中心向外侧远离或接近的方向成分一同包括具有圆周方向成分的方向成分。
[0028]根据本实用新型，可以获得如下有利的效果:在将晶片固定于支架的状态下进行高速旋转的状态中，为了漂洗或清洗而将清洗液或漂洗液或干燥用气体等流体进行高压喷射的过程中，按晶片的不同的旋转速度来调节流体喷射高度和喷射方向，从而可以在制定的时间内在晶片的表面进行均匀且干净的清洗。
[0029]S卩，本实用新型可以获得如下效果:与半径距离从上述抛光垫的中心更短的第一位置相比，在半径距离从上述抛光垫的中心更长的第二位置上，喷嘴通过降低用于喷射流体的喷射角度或更高地维持喷射高度，