本发明涉及一种基于数模转换的高频逆变电路。
背景技术:
在高频逆变方案中,有开环模式与闭环模式。闭环模式中,通过对高频变换后的输出直流电压取样、反馈到初级的PWM控制中,动态调整PWM脉冲。此方案可以降低输入直流的空载电流,降低空载损耗。但此方案的最大缺点是带负载时变换效率较低,一般最大变换效率为80%左右。
开环模式中,目前的通用方案是产生固定的PWM驱动周期的死区,不对变换后的输出电压取样。此方案可以产生较高变换效率,正常变换效率在92-95%。但此方案的缺点是在输入直流电压较高的情况下,空载电流急剧升高,空载损耗增大。并且,在高直流电压输入情况下,突加大负载,高频变压器特别容易饱和,进而烧毁直流变换回路中的功率管
如何在保证高变换效率的前提下,降低高频逆变的空载损耗,避免变压器磁饱和,是目前所有厂家都面临的难题。
技术实现要素:
本发明要解决的技术问题是:为克服上述问题,提供一种基于数模转换的高频逆变电路。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种基于数模转换的高频逆变电路,包括具有数模转换功能的微处理器,所述具有数模转换功能的微处理器依次连接有电压跟随电路、PWM脉冲产生及驱 动电路、高频变压器,所述具有数模转换功能的微处理器还连接有电压采样电路,所述电压采样电路与输入直流电源连接。
优选地,所述具有数模转换功能的微处理器可替换为数模转换电路和单片机。
优选地,所述电压采样电路包括电阻R2、电阻R3和电容C1。
优选地,所述电压跟随电路包括电容C2和运算放大器U3。
优选地,所述PWM脉冲产生及驱动电路包括SPWM控制芯片U2、电阻R4、电阻R1、电阻R5、电容C3、绝缘栅双极型晶体管Q1、绝缘栅双极型晶体管Q2。
本发明的有益效果是:本发明利用微处理器采集处理后的信号,通过芯片内部的D/A(数模转换电路)产生出特定的模拟电压,去控制产生PWM脉冲的开关芯片,从而调整PWM脉冲的占空比,控制高频变压器的磁饱和情况,降低了高频逆变器的空载电流。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明一个实施例的结构框图;
图2是本发明一个实施例的电路图。
具体实施方式
现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本发明的基本结构,因此其仅显示与本发明有关的构成。
实施例1
如图1所示的本发明所述一种基于数模转换的高频逆变电路,包括具有数模转换功能的微处理器,其根据输入的直流电压信号,通过内部的逻辑算法, 计算出一定的数值,然后通过内部的数模转换电路(D/A),产生出一定的模拟量,优选的在具体实施方式中可采用51系列单片机,或者其他集成了模数转换功能的单片机,所述具有数模转换功能的微处理器依次连接有电压跟随电路、PWM脉冲产生及驱动电路、高频变压器,所述具有数模转换功能的微处理器还连接有电压采样电路,所述电压采样电路与输入直流电源连接。
所述电压跟随电路用来将微处理器单元产生的模拟电压值进行功率放大,用于驱动后级电路;
所述PWM脉冲产生及驱动电路,根据电压跟随器输出的模拟电压值,来调整输出脉充的死区值;
所述高频变压器对PWM脉冲产生及驱动电路进行电压高频变换处理,变换成系统需要的电压值,本新型通过芯片内部的D/A(数模转换电路)产生出特定的模拟电压,去控制产生PWM脉冲的开关芯片,从而调整PWM脉冲的占空比,控制高频变压器的磁饱和情况,降低了高频逆变器的空载电流。
在优选的实施方式中,所述具有数模转换功能的微处理器可替换为数模转换电路和单片机,即用不集成数模转换功能的单片机和单独的D/A转换电路来替换。
在优选的实施方式中,如图2所示,所述电压采样电路包括电阻R2、电阻R3和电容C1。
在优选的实施方式中,所述电压跟随电路包括电容C2和运算放大器U3。
在优选的实施方式中,所述PWM脉冲产生及驱动电路包括SPWM控制芯片U2、电阻R4、电阻R1、电阻R5、电容C3、绝缘栅双极型晶体管Q1、绝缘栅双极型晶体管Q2。
以上述依据本发明的理想实施例为启示,通过上述的说明内容,相关工作 人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内,进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容,必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。