三相共模滤波电路及滤波器的制作方法

文档序号:11656914阅读:3721来源:国知局
三相共模滤波电路及滤波器的制造方法与工艺

本发明涉及电路领域,具体而言,涉及一种三相共模滤波电路及滤波器。



背景技术:

三相共模扼流圈因为具有高阻抗参数并且结构简单、高功率密度以及磁芯多样化,被广泛应用于滤波电路中,由于国家对电磁兼容越来越重视,产品中的干扰电波也越来越严重,因此在滤波器的产品研发中对共模扼流圈的阻抗值要求也越来越高。

需要说明的是,以往的滤波电路中,三相共模扼流圈使用三线共绕一个磁环的方法进行绕制,由于磁环内径的限制,绕制的圈数会有一定的限制,同时由于线和线之间的电气隔离,浪费了一定的绕制空间,阻抗值较低。

针对上述相关技术中的三相共模滤波电路的排布方式简单,导致产生的阻抗值低的问题,目前尚未提出有效的解决方案。



技术实现要素:

本发明实施例提供了一种三相共模滤波电路及滤波器,以至少解决相关技术中的三相共模滤波电路的排布方式简单,导致产生的阻抗值低的技术问题。

根据本发明实施例的一个方面,提供了一种三相共模滤波电路,包括:三相电路输入端,用于输入三相电流;共模电感单元,与三相电路输入端连接,用于滤除三相电流中的干扰电波,其中,共模电感单元包括第一电感、第二电感以及第三电感,第一电感的第一绕组与第二电感的第一绕组连接;第一电感的第二绕组与第三电感的第一绕组连接,第二电感的第二绕组与第三电感的第二绕组连接;三相电路负载端,与共模电感单元连接,用于连接负载。

进一步地,三相电路输入端至少包括:第一输入端l1、第二输入端l2以及第三输入端l3,其中,第一输入端l1、第二输入端l2以及第三输入端l3中任意两个输入端之间连接有至少一个电容。

进一步地,第一输入端l1与第二输入端l2之间连接有第一电容c11,第一电容c11分别与第一电感的第一绕组以及第一电感的第二绕组连接;第二输入端l1与第三 输入端l3之间连接有第三电容c13,第三电容c13分别与第一电感的第二绕组以及第二电感的第二绕组连接;第一输入端l1与第三输入端l3之间连接有第二电容c12,第二电容c12分别与第一电感的第一绕组以及第二电感的第二绕组连接。

进一步地,三相电路负载端至少包括:第一负载l1’,与第二电感的第二绕组连接;第二负载l2’,与第三电感的第一绕组连接;第三负载l3’,与第三电感的第二绕组连接。

进一步地,第一负载l1’与第二负载l2’之间连接有第四电容c21,第二负载l2’与第三负载l3’之间连接有第五电容c23,第一负载l1’与第三负载l3’之间连接有第六电容c22。

进一步地,第一负载l1’与地线pe之间连接有第七电容cy1,第二负载l2’与地线pe之间连接有第八电容cy2,第三负载l3’与地线pe之间连接有第九电容cy3。

进一步地,第一电容至第六电容为x电容。

进一步地,第七电容至第九电容为y电容。

进一步地,第一电感至第三电感为单相共模扼流圈。

根据本发明实施例的另一方面,还提供了一种滤波器,包括:上述任意一种三相共模滤波电路。

在本发明实施例中,三相共模滤波电路包括:三相电路输入端,用于输入三相电流;共模电感单元,与三相电路输入端连接,用于滤除三相电流中的干扰电波,其中,共模电感单元包括第一电感、第二电感以及第三电感,第一电感的第一绕组与第二电感的第一绕组连接;第一电感的第二绕组与第三电感的第一绕组连接,第二电感的第二绕组与第三电感的第二绕组连接;三相电路负载端,与共模电感单元连接,用于连接负载,解决了相关技术中的三相共模滤波电路的排布方式简单,导致产生的阻抗值低的技术问题。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本申请的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:

图1是根据本发明实施例的一种三相共模滤波电路的示意图;以及

图2是根据本发明实施例的一种可选的三相共模滤波电路的示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本发明保护的范围。

需要说明的是,本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

根据本发明实施例,提供了一种三相共模滤波电路的实施例,如图1所示,该三相共模滤波电路可以包括:

三相电路输入端12,用于输入三相电流。

共模电感单元13,与三相电路输入端连接,用于滤除三相电流中的干扰电波,其中,结合图2,共模电感单元包括第一电感l11、第二电感l21以及第三电感l31。

可选地,结合图2,第一电感l11的第一绕组与第二电感l21的第一绕组连接;第一电感l11的第二绕组与第三电感l31的第一绕组连接,第二电感l21的第二绕组与第三电感l31的第二绕组连接。

三相电路负载端14,与共模电感单元连接,用于连接负载。

可选地,结合图2,上述三相电路输入端至少包括:第一输入端l1、第二输入端l2以及第三输入端l3,其中,第一输入端l1、第二输入端l2以及第三输入端l3中任意两个输入端之间连接有至少一个电容。

可选地,结合图2,第一输入端l1与第二输入端l2之间连接有第一电容c11,第一电容c11分别与第一电感的第一绕组以及第一电感的第二绕组连接;第二输入端l1与第三输入端l3之间连接有第三电容c13,第三电容c13分别与第一电感的第二绕组以及第二电感的第二绕组连接;第一输入端l1与第三输入端l3之间连接有第二电容c12,第二电容c12分别与第一电感的第一绕组以及第二电感的第二绕组连接。

可选地,结合图2,三相电路负载端至少包括:第一负载l1’,与第二电感的第二绕组连接;第二负载l2’,与第三电感的第一绕组连接;第三负载l3’,与第三电感的第二绕组连接。

可选地,结合图2,第一负载l1’与第二负载l2’之间连接有第四电容c21,第二负载l2’与第三负载l3’之间连接有第五电容c23,第一负载l1’与第三负载l3’之间连接有第六电容c22。

可选地,结合图2,第一负载l1’与地线pe之间连接有第七电容cy1,第二负载l2’与地线pe之间连接有第八电容cy2,第三负载l3’与地线pe之间连接有第九电容cy3。

可选地,第一电容至第六电容为x电容。

可选地,第七电容至第九电容为y电容。

可选地,第一电感至第三电感为单相共模扼流圈。

下面结合图2,介绍本发明的一种优选实施例。

如图2所示,本发明使用三个单相共模扼流圈,通过特定的连接方式,搭建成三相三线共模滤波器。c11、c12、c13为输入端的x电容,输入端l1、l2、l3每两相之间接一个x电容,如果使用的x电容耐压不足时,可以使用多个x电容串联,x电容的容值根据实际的滤波效果进行选取。c21、c22、c23为负载端的x电容,负载端l1’,l2’以及l3’每两相之间接一个x电容,当x电容耐压不足时,可以使用多个x电容串联,x电容的容值根据实际的干扰进行选取,cy1、cy2、cy3为负载端的y电容,负载端每相对地之间接一个y电容,y电容的容值在满足漏电流条件下,在设计上可以尽可能增大,l11、l21、l31为单相共模扼流圈,扼流圈的阻抗频率参数可以根据实际情况进行选取。

综上,本申请本专利采用三个单相共模扼流圈通过特定的连接方式,实现三相共模扼流圈的功能。使用单相共模扼流圈,可以实现高绕制圈数和高阻抗参数。本申请通过使用阻抗值较高的单相共模扼流圈,得到插入损耗较大的三相滤波器,能够更充分的利用磁环内空间进行绕线可以得到更高插入损耗的滤波器电路。

本申请还提供了一种滤波器,该滤波器可以包括上述任意一种三相共模滤波电路。

上述本发明实施例序号仅仅为了描述,不代表实施例的优劣。

在本发明的上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有 详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。

在本申请所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的技术内容,可通过其它的方式实现。其中,以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如单元的划分,可以为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口,单元或模块的间接耦合或通信连接,可以是电性或其它的形式。

作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外,在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能单元的形式实现。

以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

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