技术总结
本发明涉及CMOS集成电路领域，为解决交叉耦合结构电荷泵会产生泄漏电流的问题，消除非理想时钟和CMOS寄生引起的泄漏电流。本发明采用的技术方案是，低电压低纹波多级电荷泵，前N‑1级电荷泵包括六个晶体管和三个电容，由一对反向时钟CLK、！CLK驱动，其中NMOS晶体管M1、M2，PMOS晶体管M3、M4与电容C1、C2构成了交叉耦合型电荷泵的N‑1级基本结构，额外增加的PMOS晶体管M5、M6的栅极、漏极分别连接到M1、M2的栅极和漏极，PMOS晶体管M5、M6的源级连接到一个对地电容Cs使其处于浮空状态；所有NMOS的衬底连接到Vin。本发明主要应用于CMOS集成电路设计制造场合。
技术研发人员：徐江涛;周益明;高志远;聂凯明;高静;史再峰
受保护的技术使用者：天津大学
文档号码：201610578032
技术研发日：2016.07.19
技术公布日：2016.12.07