新型DC插防反接电路的制作方法

本实用新型涉及DC插电路技术领域，特别涉及一种新型DC插防反接电路。

背景技术：

市面上存在不少产品可提供外部DC输入，通过DC插为产品内部供电，虽有不少外置开关电源或外置变压器已固定DC插的正负极连接，但也有存在DC插头与夹头线组成的连接线，供外部电池为产品供电工作，因此存在把正负极接反的可能性，而该接反DC插的正负极将可能会把产品内部线路烧坏，因此会存在一定的隐患。

常用的DC插防反接电路为在DC插的正极输入或者负极输入上增加一个二极管，当外部DC插正负极接反时，由于二极管的单方向导通性，因此不会给产品内部线路供电，如附图1和下图2所示。

针对以上2种DC插防反接方法，要考虑产品的DC插最大供电电流来选择二极管D1的规格，同时由于二极管D1串联在工作支路上，二极管D1存在一定的压降，而该压降直接体现在产品的供电上，也就是说VCC与GND之间的电压差无法达到DC插外部输入的电压。

同时由于二极管D1通过供电电流和存在一定电压差，因此二极管D1将产生一定的发热量，对产品造成一定的功耗。而随着所需电流越大，对二极管D1的要求越高。

技术实现要素：

为了解决上述技术问题，本实用新型的主要目的是提供一种结构简单、使用稳定性好的新型DC插防反接电路，旨在解决传统技术DC插中因使用单向二极管而容易发热并造成一定功耗的技术不足。

本实用新型提出一种新型DC插防反接电路，包括DC插、所DC插的正极引脚相连接的正极导线和与DC插的负极引脚相连接的负极导线，还设有防反接电路，所述防反接电路包括第一电阻、第二电阻和MOS管，所述MOS管的漏极与DC插的正极引脚相连接，所述MOS管的源极与正极导线相连接，所述MOS管的栅极通过第二电阻连接在DC插的负极引脚上，所述第一电阻连接在MOS管的漏极与栅极之间。

所述MOS管为P型MOS管。

本实用新型的结构简单，采用MOS管替换了传统的单向二极管，解决了传统技术DC插中因使用单向二极管而容易发热并造成一定功耗的技术不足，使用稳定性好且适用性强。

附图说明

图1为现有技术的DC插的第一种电路图；

图2为现有技术的DC插的第二种电路图；

图3为本实用新型的实施例示意图。

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

参照图3，提出本实用新型的一实施例，

一种新型DC插防反接电路，包括DC插1、所DC插1的正极引脚相连接的正极导线VCC和与DC插1的负极引脚相连接的负极导线GND，还设有防反接电路2，所述防反接电路2包括第一电阻R1、第二电阻R2和MOS管Q1，所述MOS管Q1的漏极与DC插1的正极引脚相连接，所述MOS管Q1的源极与正极导线VCC相连接，所述MOS管Q1的栅极通过第二电阻R2连接在DC插1的负极引脚上，所述第一电阻R1连接在MOS管Q1的漏极与栅极之间。

所述MOS管为P型MOS管。

具体工作原理为:当外部DC插接线正确时，电阻R1与电阻R2的分压支路令到P型MOS管的栅极G极比源极D极的电压低，即VGD为负，漏极D极与源极S极之间导通，由于电阻R1与R2分压配置，令VSG电压较大，因此VSD电压差非常小，VCC与GND之间电压差接近外部输入电压。

当外部DC插接线错误时，即DC插接反时，由于电阻R1与电阻R2的分压支路令到P型MOS管的栅极G极比源极D极的电压高，即VGD为正，漏极D极与源极S极之间截止。

本电路中，由于P型MOS管导通后VSD电压差非常小，因此VCC与GND之间电压差接近外部输入电压。

本电路中，由于P型MOS管导通后VSD电压差非常小，因此该电路所消耗的功耗非常低。

本电路中，P型MOS管所产生的热量会相对常用电路的较低。

本电路中，随着所需电流越高，对整体电路要求不高，而且可节约成本和电路所占用的面积。

本实用新型的结构简单，采用MOS管替换了传统的单向二极管，解决了传统技术DC插中因使用单向二极管而容易发热并造成一定功耗的技术不足，使用稳定性好且适用性强。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。