一种同步整流电路装置的制作方法

文档序号:12541997阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种同步整流电路装置,其特征在于,包括:第一同步整流驱动电路和第二同步整流驱动电路;

所述第一同步整流驱动电路包括:第一同步整流MOS管(Q11)、第一驱动电路(11)和受第二同步整流MOS管栅-源电压控制的锁定电路(12);

所述第二同步整流驱动电路包括:第二同步整流MOS管(Q21)、第二驱动电路(21)和受第一同步整流MOS管栅-源电压控制的锁定电路(22);

所述第一同步整流MOS管(Q11)的漏极接次级绕组(NS)的第一端,所述第一同步整流MOS管(Q11)的源极接次级公共电位参考点(GND);

所述第二同步整流MOS管(Q21)的漏极接次级绕组(NS)的第二端,所述第二同步整流MOS管(Q21)的源极接次级公共电位参考点(GND);

所述第一驱动电路和所述第二驱动电路的结构相同,其中,所述第一驱动电路包括:第一耦合电容(C11)、第一反向充电二极管(D12)、第一同步整流MOS管输入电容充电限流电阻(R11)、第一放电隔离二极管(D11)、第一放电速率控制三极管(Q12)、第一基极电阻(R12)、第一集电极电阻(R13)、第一同步整流MOS管栅-源泄放电阻(R14)和第一同步整流驱动绕组(NS1);

所述第一同步整流驱动绕组(NS1)的第一端依次通过第一耦合电容(C11)、第一同步整流MOS管输入电容充电限流电阻(R11)与所述第一放电隔离二极管(D11)的正极相连,所述第一放电隔离二极管(D11)的负极与所述第一同步整流MOS管(Q11)的栅极相连;所述第一同步整流驱动绕组(NS1)的第二端与所述第一同步整流MOS管(Q11)的源极相连;所述第一同步整流MOS管输入电容充电限流电阻(R11)与所述第一耦合电容(C11)之间的连接点通过所述第一基极电阻(R12)与所述第一放电速率控制三极管(Q12)的基极相连,所述第一放电速率控制三极管(Q12)的发射极与所述第一同步整流MOS管(Q11)的栅极相连,所述第一放电速率控制三极管(Q12)的集电极通过第一集电极电阻(R13)与所述第一同步整流MOS管(Q11)的源 极相连;所述第一同步整流MOS管栅-源泄放电阻(R14)的第一端与所述第一同步整流MOS管(Q11)栅极相连,所述第一同步整流MOS管栅-源泄放电阻(R14)的第二端与所述第一同步整流MOS管(Q11)的源极相连;所述第一同步整流MOS管输入电容充电限流电阻(R11)与所述第一耦合电容(C11)之间的连接点与所述第一反向充电二极管(D12)的负极相连,所述第一反向充电二极管(D12)的正极与所述第一同步整流MOS管(Q11)的源极相连;所述第一同步整流驱动绕组(NS1)和所述第二驱动电路内第二同步整流驱动绕组(NS2)与变压器(T)次级绕组(NS)共同缠绕在同一磁芯骨架上;

所述受第二同步整流MOS管栅-源电压控制的锁定电路(12)包括:第一控制电阻(R15)和第一控制三极管(Q13);

所述第一控制电阻(R15)的第一端与所述第一控制三极管(Q13)的基极相连,所述第一控制电阻(R15)的第二端与所述第二同步整流MOS管(Q21)的栅极相连;所述第一控制三极管(Q13)的发射极接次级公共电位参考点(GND),所述第一控制三极管(Q13)的集电极与所述第一放电速率控制三极管(Q12)的基极相连;

所述受第一同步整流MOS管栅-源电压控制的锁定电路(22)包括:第二控制电阻(R25)和第二控制三极管(Q23);

所述第二控制电阻(R25)的第一端与所述第二控制三极管(Q23)的基极相连,所述第二控制电阻(R25)的第二端与所述第一同步整流MOS管(Q11)的栅极相连;所述第二控制三极管(Q23)的发射极接次级公共电位参考点(GND),所述第二控制三极管(Q23)的集电极与所述第二驱动电路(21)内第二放电速率控制三极管(Q22)的基极相连。

2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,该装置还包括:承担辅助续流功能的肖特基功率整流二极管(D23);

所述承担辅助续流功能的肖特基功率整流二极管(D23)的负极与所述第二同步整流MOS管(Q21)的漏极相连,所述承担辅助续流功能的肖特基功率整流二极管(D23)的正极与第二同步整流MOS管(Q21)的源极相连。

3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一同步整流驱动电路和所述第二同步整流驱动电路的驱动脉冲通过PWM控制芯片输出信号经隔离变压器Td次级绕组产生。

4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,应用于正激变换器次级侧同步整流驱动时,所述正激变换器为三绕组去磁正激变换器或者二极管去磁双管正激变换器。

5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,应用于桥式变换器次级侧同步整流驱动时,所述第一同步整流MOS管(Q11)和所述第二驱动电路(21)内第二同步整流MOS管(Q21)的驱动方式为电压自驱动方式或者绕组驱动方式。

6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述桥式变换器为传统硬开关桥式变换器或者LLC桥式变换器。

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