1.一种采用H桥技术设计的电机驱动电路，其特征在于：设置有电机线圈控制电路、A相输入电路、B相输入电路及保护电路，所述A相输入电路和B相输入电路皆与电机线圈控制电路相连接，所述保护电路连接电机线圈控制电路，在所述电机线圈控制电路内设置有电机AB相绕组L、场效应管VT1、场效应管VT2、场效应管VT3、场效应管VT4、二极管D6、二极管D7、二极管D9、二极管D10、二极管D11、二极管D12、二极管D13、二极管D14，所述场效应管VT1的源极通过二极管D6连接电机AB相绕组L的A相端，A相端通过二极管D7与场效应管VT2的漏极相连接，场效应管VT2的源极与场效应管VT4的源极相连接且接地，场效应管VT4的漏极通过二极管D14连接电机AB相绕组L的B相端，B相端通过二极管D13与场效应管VT3的源极相连接，场效应管VT3的漏极与场效应管VT1的漏极相连接；所述二极管D9的正极及二极管D10的负极皆连接A相端，二极管D9的负极与二极管D11的负极相连接，二极管D11的正极连接B相端，B相端连接二极管D12的负极，二极管D12的正极与二极管D10的正极相连接且接地；场效应管VT1的栅极连接A相输入电路，场效应管VT2的栅极和场效应管VT4的栅极皆与保护电路相连接，场效应管VT3的栅极连接B相输入电路。
2.根据权利要求1所述的一种采用H桥技术设计的电机驱动电路，其特征在于：在所述A相输入电路内设置有二极管D1、电阻R1、晶体管V2、电位器W1、电阻R3、晶体管V1、二极管D2、电阻R6、位移杆D3，所述二极管D1的负极通过电阻R1连接晶体管V2的基极，晶体管V2的集电极分别连接位移杆D3的负极、二极管D2的负极、电位器W1的第二固定端、晶体管V1的基极，电位器W1的第一固定端通过电阻R3连接晶体管V1的集电极，二极管D2的正极连接晶体管V1的发射极，晶体管V1的发射极通过电阻R6连接场效应管VT1的栅极，稳压管D3的正极连接场效应管VT1的源极，晶体管V2的发射极接地。
3.根据权利要求2所述的一种采用H桥技术设计的电机驱动电路，其特征在于：在所述B相输入电路内设置有二极管D20、电阻R14、晶体管V4、晶体管V5、电位器W2、电阻R12、二极管D18、位移杆D16、电阻R9,二极管D20的负极通过电阻R14连接晶体管V4的基极，晶体管V4的发射极接地，晶体管V4的集电极分别于位移杆D16的负极、二极管D18的负极及晶体管V5的基极相连接，晶体管V5的发射极通过电阻R9连接场效应管VT3的栅极，晶体管V5的集电极通过电阻R12连接电位器W2的第一固定端，电位器W2的第二固定端连接晶体管V5的基极；晶体管V5的发射极还连接二极管D18的正极，稳压管D16的正极连接场效应管VT3的源极。
4.根据权利要求3所述的一种采用H桥技术设计的电机驱动电路，其特征在于：所述保护电路包括用于对电机AB相绕组L的A相端保护的A相端保护电路和用于对电机AB相绕组L的B相端保护的B相端保护电路；在所述A相端保护电路内设置有集电极开路器件U1、电阻R4、电阻R5、二极管D5、晶体管V3及稳压管D8，所述集电极开路器件U1的输出端分别于晶体管V3的基极和二极管D5的负极相连接，二极管D5的正极连接晶体管V3的发射极，所述晶体管V3的基极连接电阻R5的第二端，电阻R5的第一端连接电阻R4的第一端，电阻R4的第二端连接晶体管V3的集电极，稳压管D8的负极连接场效应管VT2的栅极，场效应管VT2的源极连接稳压管D8的正极。
5.根据权利要求4所述的一种采用H桥技术设计的电机驱动电路，其特征在于：在所述B相端保护电路内设置有集电极开路器件U2、晶体管V6、电阻R10、电阻R11、二极管D17、稳压管D15，所述场效应管VT4的源极连接稳压管D15的正极，稳压管D15的负极分别连接场效应管VT4的栅极、二极管D17的正极和晶体管V6的发射极，晶体管V6的集电极连接电阻R10的第一端，电阻R10的第二端通过电阻R11分别连接晶体管V6的基极、集电极开路器件U2的输出端及二极管D17的负极。
6.根据权利要求1-5任一项所述的一种采用H桥技术设计的电机驱动电路，其特征在于：在所述场效应管VT1的栅极和源极之间还并联有电阻R7，在所述场效应管VT3的栅极和源极之间还并联有电阻R8；所述二极管D6的负极与二极管D7的正极共接，所述二极管D13的负极和二极管D14的正极共接。