本实用新型涉及集成电子电路技术，具体来说是一种新型小功率IGBT驱动电路。
背景技术：
本实用新型公开了一种新型小功率IGBT驱动电路，该小功率IGBT驱动电路包括驱动电源电路和PWM隔离信号电路。驱动电源电路产生正负15V的驱动电压；PWM隔离信号电路将MCU的占空比信号转化为正负交替的IGBT驱动信号，实现弱电信号和强电的安全隔离，负驱动电压使IGBT快速、可靠地关断。本实用新型能够提高IGBT的关断速度，降低IGBT 的开关损耗，特别适合一些对效率要求较高的场合。并且驱动电路采用的各元器件都是市场上很成熟的产品，成本较低，可靠性较高。
技术实现要素：
本实用新型的目的是为了解决现有技术中IGBT驱动电路复杂度高和可靠性低缺陷，提供一种一种新型小功率IGBT驱动电路来解决上述问题,该IGBT驱动电路不仅能实现IGBT 安全的开通与关断，而且为产生PWM的弱电信号系统和IGBT之间提供电气隔离。
为了实现上述目的，本实用新型的技术方案如下：一种新型小功率IGBT驱动电路,其特征在于包括驱动电源电路和PWM隔离信号电路；
所述驱动电源电路包括隔离电源模块M1，极性电容C3和C4串联后与所述隔离电源模块M1输出端并联，稳压管ZD1的K极与极性C3的正极相连，稳压管ZD1的A极连接到电阻R4，电阻R4连接到极性电容C4的负极，C3的负极连接到稳压管ZD1的A极，极性电容 C3的正极为电源VCC1，极性电容C4的负极为电源VCC2，极性电容C3和C4的连接端为IGBT Q3的E极；
所述的PWM隔离信号电路包括隔离光耦芯片IC1，电阻R1、R2、R3、电容C1、C2，NPN 型三极管Q1、PNP型三极管Q2，+12V直流电源，PWM信号，所述隔离光耦芯片IC1的1和 4脚均接GND端，+12V电源连接到电阻R1，电阻R1接IC1的2脚，电阻R1和电阻R2串联，电阻R1和电阻R2的连接端连接隔离光耦芯片IC1的2脚，电阻R2接PWM信号，PWM信号连接到隔离光耦芯片IC1的3脚，电容C1与电阻R2并联，隔离光耦芯片IC1的5脚连接到电源VCC2，隔离光耦芯片IC1的6脚连接电阻R3，电阻R3连接NPN型三极管Q1和PNP 型三极管Q2的B极，隔离光耦芯片IC1的7脚架空，隔离光耦芯片IC1的8脚连接电源VCC1，NPN型三极管Q1的C极连接电源VCC1，NPN型三极管Q1的E极连接PNP型三极管Q2的E 极，并连接到电阻R5，电阻R5连接IGBT Q3的G极，IGBT Q3的G极连接电阻R6，电阻 R6连接IGBT Q3的E极，PNP型三极管Q2的C极连接电源VCC2。
进一步改进，所述隔离电源模块M1的输出电压是30V，ZD1是15V的稳压管，C3和C4 电容值都为10uF，C3和C4两端电压为15V。
进一步改进，所述隔离光耦芯片IC1型号选用FOD3120，具有2.5A的电流输出能力。
本实用新型的有益效果是，有效降低了IGBT驱动电路的复杂度，实现了TGBT的快速，安全的导通与关断，提高了电路的可靠性和稳定性。
附图说明
图1为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
为使对本实用新型的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，用以较佳的实施例及附图配合详细的说明，说明如下：
如图1所示，本实施例提供的一种新型小功率IGBT驱动电路,其特征在于包括驱动电源电路和PWM隔离信号电路；
所述驱动电源电路包括隔离电源模块M1，极性电容C3和C4串联后与所述隔离电源模块M1输出端并联，稳压管ZD1的K极与极性C3的正极相连，稳压管ZD1的A极连接到电阻R4，电阻R4连接到极性电容C4的负极，C3的负极连接到稳压管ZD1的A极，极性电容 C3的正极为电源VCC1，极性电容C4的负极为电源VCC2，极性电容C3和C4的连接端为IGBT Q3的E极；
所述的PWM隔离信号电路包括隔离光耦芯片IC1，电阻R1、R2、R3、电容C1、C2，NPN 型三极管Q1、PNP型三极管Q2，+12V直流电源，PWM信号，所述隔离光耦芯片IC1的1和 4脚均接GND端，+12V电源连接到电阻R1，电阻R1接IC1的2脚，电阻R1和电阻R2串联，电阻R1和电阻R2的连接端连接隔离光耦芯片IC1的2脚，电阻R2接PWM信号，PWM信号连接到隔离光耦芯片IC1的3脚，电容C1与电阻R2并联，隔离光耦芯片IC1的5脚连接到电源VCC2，隔离光耦芯片IC1的6脚连接电阻R3，电阻R3连接NPN型三极管Q1和PNP 型三极管Q2的B极，隔离光耦芯片IC1的7脚架空，隔离光耦芯片IC1的8脚连接电源VCC1， NPN型三极管Q1的C极连接电源VCC1，NPN型三极管Q1的E极连接PNP型三极管Q2的E 极，并连接到电阻R5，电阻R5连接IGBT Q3的G极，IGBT Q3的G极连接电阻R6，电阻 R6连接IGBT Q3的E极，PNP型三极管Q2的C极连接电源VCC2。
进一步改进，所述隔离电源模块M1的输出电压是30V，ZD1是15V的稳压管，C3和C4 电容值都为10uF，这样C3和C4两端电压为15V。
进一步改进，所述隔离光耦芯片IC1型号选用FOD3120，具有2.5A的电流输出能力。
本实施例中，PWM信号是MCU发出的占空比信号，当PWM信号是低电平时，IC1的6 脚输出高电平，NPN型三极管Q1导通，IGBT Q3的G极点位即为VCC1，IGBT Q3的E极点位是极性电容C3的负极，那么IGBT Q3的驱动电压Vge即为极性电容C3的电压，为正的 15V，Q3管导通。当PWM信号是低高电平时，IC1的6脚输出低电平，NPN型三极管Q2导通， IGBT Q3的G极点位即为VCC2，IGBT Q3的E极点位是极性电容C4的正极，那么IGBT Q3 的驱动电压Vge即为极性电容C4的负电压，为负的15V，Q3管截止。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型的范围内。本实用新型要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。