超级电容充电电路的制作方法

技术特征：

1.超级电容充电电路，包括充电电路（1），所述的充电电路（1）用于给超级电容充电，其特征在于，还包括过流保护电路（2）和过压保护电路（3），所述的过流保护电路（2）连接充电电路（1），当超级电容的充电电流达到过流门限值时，充电关闭，所述的过压保护电路（3）连接充电电路（1），当超级电容电压到达过压门限值时，充电关闭。

2.根据权利要求1所述的超级电容充电电路，其特征在于，所述的充电电路（1）包括第一二极管（VD1）、第一电解电容（CE1）、第一电阻（R1）、第一PMOS管（M1）、第一电感（L1）、第二电阻（R2）、第二二极管（VD2）、第三电阻（R3）、第一NPN三极管（V1），所述的第三电阻（R3）连接有CONTROL信号输入端，所述的CONTROL信号输入端处于高电位。

3.根据权利要求1所述的超级电容充电电路，其特征在于，所述的过流保护电路（2）包括第九电阻（R9）、第一瓷片电容（C1）、第六电阻（R6）和第三NPN三极管（V3），通过调整第九电阻（R9）的大小来设置过流门限值，当充电电流达到过流门限值时，第九电阻（R9）上产生的电压大于第三NPN三极管（V3）的导通电压值，使第三NPN三极管（V3）导通，充电关闭。

4.根据权利要求3所述的超级电容充电电路，其特征在于，所述的过压保护电路（3）包括第四电阻（R4）、第七电阻（R7）、第二瓷片电容（C2）、电压检测芯片（N1）、第八电阻（R8）、第五电阻（R5）、第二NPN三极管（V2），电压检测芯片（N1）通过调整第四电阻（R4）和第七电阻（R7）的大小来设置过压门限值，当超级电容电压到达门限值时，电压检测芯片（N1）输出高电频使第二NPN三极管（V2）导通，从而使第一NPN三极管（V1）断开，充电关闭。

5.根据权利要求4所述的超级电容充电电路，其特征在于，CONTROL信号输入端连接第三电阻（R3）的一端，所述的第三电阻（R3）的另一端连接第一NPN三极管（V1）的基极、第二NPN三极管（V2）的集电极以及第三NPN三极管（V3）的集电极，第一二极管（VD1）的正极连接电压输入端（VIN），负极连接第一电解电容（CE1）的一端，第一电解电容（CE1）另一端接地，第一电解电容（CE1）的一端还连接第一电阻（R1）的一端，第一电阻（R1）的另一端连接第一NPN三极管（V1）的集电极，第一电阻（R1）的一端连接第一PMOS管（M1）的源极，第一PMOS管（M1）的栅极连接第二电阻（R2）的一端，第二电阻（R2）的另一端连接第一NPN三极管（V1）的集电极，第一PMOS管（M1）的漏极连接第二二极管（VD2）的负极，第二二极管（VD2）的正极接地，第二二极管（VD2）的负极连接第一电感（L1）的一端，第一电感（L1）的另一端连接超级电容接口的2脚，超级电容的1脚连接第九电阻（R9）。

6.根据权利要求5所述的超级电容充电电路，其特征在于，所述的第九电阻（R9）的一端接地，第九电阻（R9）的一端连接第一瓷片电容（C1）的一端，第九电阻（R9）的另一端连接第一瓷片电容（C1）的另一端，第九电阻（R9）的另一端连接第六电阻（R6）的一端，第六电阻（R6）的另一端连接第三NPN三极管（V3）的基极，所述的第三NPN三极管（V3）的发射极接地。

7.根据权利要求6所述的超级电容充电电路，其特征在于，所述的第四电阻（R4）的一端连接超级电容正极，另一端连接第七电阻（R7）的一端，第四电阻（R4）的另一端连接第二瓷片电容（C2）的一端，第七电阻（R7）的另一端连接第二瓷片电容（C2）的另一端，第二瓷片电容（C2）的一端连接电压检测芯片（N1）的3脚，第二瓷片电容（C2）的另一端连接电压检测芯片（N1）的1脚，所述的电压检测芯片（N1）的1脚接地，电压检测芯片（N1）的2脚连接第八电阻（R8）的一端，所述的电压检测芯片（N1）的1脚连接第八电阻（R8）的另一端，所述的第八电阻（R8）的一端连接第五电阻（R5）的一端，第五电阻（R5）的另一端连接第二NPN三极管（V2）的基极，第二NPN三极管（V2）的发射极接地。

8.根据权利要求2所述的超级电容充电电路，其特征在于，所述的CONTROL信号输入端连接处理器。