一种纯硬件关断延迟电路的制作方法

文档序号:14862245发布日期:2018-07-04 08:15阅读:692来源:国知局
一种纯硬件关断延迟电路的制作方法

本实用新型涉及一种数字信号的长时间延迟电路,特别涉及一种应用于新能源汽车逆变器的关断延迟电路。



背景技术:

目前。一般的新能源汽车在钥匙信号关断后,逆变器内部微控制器(MCU)要进入数据处理模式,控制器还需要外部供电以维持运行一段时间(一般为10秒以内),但是逆变器内部的电源支撑电容基本不能满足此要求。

结合图1所示,一般的处理方法是:系统采集钥匙信号(K1)的状态(高),在钥匙信号(K1)断开以后,逆变器内部继续输出一个钥匙控制信号(K2),使系统继续由外部蓄电池供电,系统进入数据处理模式,待处理完成以后,系统自动断开钥匙控制信号(K2),系统下电完成。

一般处理方法的劣势:第一个是成本劣势,此系统需要用两个缓冲器buff(电平转换);第二个是占用MCU资源。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于针对现有技术的上述不足和缺陷,提供一种纯硬件关断延迟电路,直接通过简单的电路器件搭建,能够延迟开关关断,降低三相逆变器系统的成本,精简系统,降低主芯片的资源消耗。

本实用新型所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现:

一种纯硬件关断延迟电路,其特征在于,输入的钥匙信号通过一延迟电路后分为两路分别与钥匙控制模块以及逆变器内部微控制器连接,所述延迟电路包括第一、第二、第三、第四电阻、第一电容、第一、第二二极管、缓冲器、三极管、P型金氧半场效晶体管和电池,输入的钥匙信号接所述第一电阻的一端,所述第一电阻的另一端接所述第一二极管的阳极,所述第一二极管的阴极接所述第一电容的一端,所述第一电容的另一端接地,所述第一二极管的阴极接所述第二电阻的一端,所述第二电阻的另一端接所述三极管的基极,所述三极管的发射极接地,所述三极管的集电极接所述第四电阻的一端,所述第四电阻的另一端接所述P型金氧半场效晶体管的门极,所述P型金氧半场效晶体管的门极再接所述第三电阻的一端,所述第三电阻的另一端接输入所述电池的正极,所述电池的正极接所述P型金氧半场效晶体管的源极,所述P型金氧半场效晶体管的漏极接所述钥匙控制模块,所述第二二极管的阳极接所述第一电阻的另一端,所述第二二极管的阴极通过所述缓冲器输送给所述逆变器内部微控制器。

由于采用了如上的技术方案,本实用新型简化了逆变器系统内部电路,使主控制芯片内部处理简单高效,电路中采用一般的电子元件,结构简单,使用成本低。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是传统方案的信号流程图。

图2是本实用新型的信号流程图。

图3是本实用新型的电路原理图。

具体实施方式

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面进一步阐述本实用新型。

参见图2和图3所示的一种纯硬件关断延迟电路,输入的钥匙信号K1通过一延迟电路后分为两路分别与钥匙控制模块以及逆变器内部微控制器MCU连接。

延迟电路包括第一、第二、第三、第四电阻R1、R2、R3、R4、第一电容C1、第一、第二二极管D1、D2、缓冲器Buff、三极管Q1、P型金氧半场效晶体管Q2和电池BATT。输入的钥匙信号K1接第一电阻R1的一端,第一电阻R1的另一端接第一二极管D1的阳极,第一二极管D1的阴极接第一电容C1的一端,第一电容C1的另一端接地,第一二极管D1的阴极接第二电阻R2的一端,第二电阻R2的另一端接三极管Q1的基极,三极管Q1的发射极接地,三极管Q1的集电极接第四电阻R4的一端,第四电阻R4的另一端接P型金氧半场效晶体管Q2的门极,P型金氧半场效晶体管Q2的门极再接第三电阻R3的一端,第三电阻R3的另一端接输入电池BATT的正极,电池BATT的正极接P型金氧半场效晶体管Q2的源极,P型金氧半场效晶体管Q2的漏极接钥匙控制模块。第二二极管D2的阳极接第一电阻R1的另一端,第二二极管D2的阴极通过缓冲器Buff输送给逆变器内部微控制器MCU进行钥匙信号K1监控。

本实用新型的工作原理如下:

系统上电一瞬间,钥匙信号K1由低到高,电流经过第一电阻R1给第一电容C1充电;三极管Q1的基极通过第二电阻R2被导通,第四电阻R4、第三电阻R3分压后,P型金氧半场效晶体管Q2的门极导通,一个高电平输入到钥匙控制模块中。下电瞬间,钥匙信号K1由高到低,钥匙信号K1通过第二二极管D2和缓冲器Buff后给MCU监控,第一电容C1内存储的电荷继续给三极管Q1的基极提供电流,保持三极管Q1处于导通状态,第四电阻R4、第三电阻R3继续分压,保证P型金氧半场效晶体管Q2处于导通状态,P型金氧半场效晶体管Q2放电通过第二电阻R2以及第一二极管D1反向阻断电流,所以放电时间可以为4*R2*C2=T,当经过T时间以后,三极管Q1关闭,P型金氧半场效晶体管Q2关闭。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

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