一种低压智能抑制谐波电容器的制作方法

文档序号:14861572发布日期:2018-07-04 07:45阅读:来源:国知局
一种低压智能抑制谐波电容器的制作方法

技术特征:

1.一种低压智能抑制谐波电容器,其结构包括:触点式变压器(1)、抑制谐波线圈组(2)、线圈组磁芯(3)、线圈组底架(4)、电容器基座(5)、电容器电芯块(6)、电芯块围板(7)、触点导通板(8)、滑动变阻器(9)、智能控制器(10),所述电芯块围板(7)竖直紧贴于电容器电芯块(6)右下角并且电容器电芯块(6)垂直固定在滑动变阻器(9)右下角,所述智能控制器(10)倾斜插嵌在滑动变阻器(9)右上角,所述触点式变压器(1)与电容器电芯块(6)通过触点导通板(8)电连接,其特征在于:

所述触点式变压器(1)水平固定在滑动变阻器(9)下并且水平安装于抑制谐波线圈组(2)上,所述线圈组磁芯(3)设有三个并且均竖直插嵌在抑制谐波线圈组(2)内部,所述抑制谐波线圈组(2)垂直固定在线圈组底架(4)上,所述线圈组底架(4)水平焊接在电容器基座(5)左上侧,所述电容器电芯块(6)垂直固定在电容器基座(5)右上侧;

所述触点式变压器(1)设有低压铜线架(100)、触点变压器体(101)、高压铜线架(102)、触点顶柱板(103),所述低压铜线架(100)竖直固定在高压铜线架(102)左侧并且二者水平安装于触点变压器体(101)内部,所述触点顶柱板(103)水平插嵌在触点变压器体(101)右侧并且与高压铜线架(102)电连接,所述触点变压器体(101)水平固定在滑动变阻器(9)下并且水平安装于抑制谐波线圈组(2)上。

2.根据权利要求1所述的一种低压智能抑制谐波电容器,其特征在于:所述电容器电芯块(6)的内部电芯和线圈组磁芯(3)通过触点式变压器(1)内部电路电连接。

3.根据权利要求1所述的一种低压智能抑制谐波电容器,其特征在于:所述线圈组底架(4)与电容器基座(5)焊接成一体结构。

4.根据权利要求1所述的一种低压智能抑制谐波电容器,其特征在于:所述电容器电芯块(6)与滑动变阻器(9)处于同一竖直面上。

5.根据权利要求1所述的一种低压智能抑制谐波电容器,其特征在于:所述电芯块围板(7)与电容器基座(5)相互垂直。

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