功率调控方法、装置、厨房电器和计算机可读存储介质与流程

本发明涉及厨房用具技术领域，具体而言，涉及一种功率调控方法、一种功率调控装置、一种厨房电器和一种计算机可读存储介质。

背景技术：

随着人们生活水准的提高，技术人员研发出越来越多种类的厨房电器，厨房电器直接接入市电信号进行工作，为了提升对厨房电器的运行状态控制的可靠性和准确性，通常在厨房电器中设置继电器作为市电信号的开关元件，由于继电器是一种机械开关，因此，其使用寿命受到开关次数的限制，如果延长继电器开关周期，则可能导致对厨房电器的控制不够准确。

相关技术中，通常采用可控硅(也可称为晶闸管)来代替继电器控制市电信号的接入，由于可控硅为一种无触点半导体元件，其具备体积小、功耗低、响应速度快和使用寿命长等特点，通常采用斩波或丢波的方式控制可控硅调节功率，但是，丢波或斩波的方式均会导致交流信号发生波形畸变，也会导致市电信号输入的交流电压和交流电流产生相位偏差，进而产生较大的纹波信号和谐波信号，可能对电网造成冲击，同时，也可能击穿可控硅或厨房电器的其他电子元件，严重地影响了厨房电器的可靠性和使用寿命。

技术实现要素：

本发明旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。

为此，本发明的一个目的在于提供一种功率调控方法。

本发明的另一个目的在于提供一种功率调控装置。

本发明的另一个目的在于提供一种厨房电器。

本发明的另一个目的在于提供一种计算机可读存储介质。

为了实现上述目的，根据本发明的第一方面的实施例，提供了一种功率调控方法，包括：响应于针对可控硅发出的功率调节指令，确定功率调节指令中携带的功率参数；根据预设的功率与占空比之间的对应关系、市电信号的一个正弦波信号的周期时长，确定可控硅接入的正弦波信号的个数；在正弦波信号的过零点控制可控硅导通或截止。

在该技术方案中，通过根据预设的功率与占空比之间的对应关系、市电信号的一个正弦波信号的周期时长，确定可控硅接入的正弦波信号的个数，并且在正弦波信号的过零点控制可控硅导通或截止，进而使得可控硅导通过程中有若干个完整的正弦波信号，同时，可控硅截止过程中也对应着若干个完整的正弦波信号的时长，具体由于在过零点进行可控硅导通和截止状态之间的切换，相对于斩波和丢包技术而言，市电信号输入的交流电压和交流电源均能得到完整波形，且二者之间相位差几乎可以忽略，进而能够有效地降低纹波信号和谐波信号，有利于进一步地提高可控硅的可靠性和使用寿命。

其中，占空比通常是指pwm(pulse-widthmodulation，脉宽调变)信号的高低电平的比例，如果高电平下控制可控硅导通，低电平控制可控硅截止，那么高低电平的比例恰好是可控硅的导通时长与截止时长之间的比例。

在上述任一技术方案中，优选地，根据预设的功率与占空比之间的对应关系、市电信号的一个正弦波信号的周期时长，确定可控硅接入的正弦波信号的个数，具体包括：根据预设的功率与占空比之间的对应关系确定施加至可控硅的控制端的控制信号的占空比，控制信号的占空比为导通时长与关断时长之间的比例；计算导通时长与市电信号的一个正弦波信号的周期时长之间的比值，并将比值确定为可控硅连续接入的正弦波信号的个数。

在该技术方案中，通过根据预设的功率与占空比之间的对应关系确定施加至可控硅的控制端的控制信号的占空比，控制信号的占空比为导通时长与关断时长之间的比例，并且计算导通时长与市电信号的一个正弦波信号的周期时长之间的比值，并将比值确定为可控硅连续接入的正弦波信号的个数，即导通时长与截止时长均为正弦波信号周期时长的正整数倍，而不需要在一个正弦波信号内进行斩波或丢波，进而降低交流电压和交流电流的波形畸变。

在上述任一技术方案中，优选地，在正弦波信号的过零点控制可控硅导通或截止，具体包括：可控硅与负载串联连接于市电零线和市电火线之间，实时检测可控硅靠近市电火线设置的一个端子的电压信号；在检测到电压信号过零点时，控制可控硅导通，以导通负载接入市电信号；在计数确定可控硅已连续接入的正弦波信号的个数与比值相等时，在检测到市电信号过零点时，控制可控硅关断且时长为关断时长，其中，比值为大于等于1的正整数，可控硅为双向可控硅或单向可控硅。

在该技术方案中，通过实时检测可控硅靠近市电火线设置的一个端子的电压信号，并且在检测到电压信号过零点时，控制可控硅导通，也即在市电信号过零点导通，进而能够降低谐波信号和浪涌电流，另外，在检测到市电信号过零点时，控制可控硅关断且时长为关断时长，同样是为了降低谐波信号和浪涌电流，以提高可控硅的可靠性和降低对电网的冲击。

本领域技术人员能够理解的是，上述可控硅与负载的串联连接方式具体可以包括市电零线、可控硅、负载和市电火线依次连接，还包括市电零线、负载、可控硅和市电火线依次连接。

在上述任一技术方案中，优选地，还包括：确定第一功率参数对应包含导通时长和关断时长的功率控制进程；确定第二功率参数对应包含导通时长和关断时长的功率控制进程；在检测到功率调节指令中携带的功率参数为第一功率参数和第二功率参数之间的平均功率时，交替执行第一功率参数对应的功率控制进程和第二功率参数对应的功率控制进程，其中，功率控制进程包括在导通时长内连续接入完整的正弦波信号的进程，其中，功率控制进程包括在导通时长内连续接入完整的正弦波信号的进程。

在该技术方案中，在检测到功率调节指令中携带的功率参数为第一功率参数和第二功率参数之间的平均功率时，交替执行第一功率参数对应的功率控制进程和第二功率参数对应的功率控制进程，不仅仅是降低谐波信号和纹波信号对电网的干扰，也是实现了无极调节功率的方案，有利于进一步平滑地调节功率，另外，如可控硅用于调节电磁加热电路的功率，则有利于降低的电磁加热电路的电磁串扰。

根据本发明的第二方面的技术方案，提供了一种功率调控装置，包括：确定单元，用于响应于针对可控硅发出的功率调节指令，确定功率调节指令中携带的功率参数；确定单元还用于：根据预设的功率与占空比之间的对应关系、市电信号的一个正弦波信号的周期时长，确定可控硅接入的正弦波信号的个数；控制单元，用于在正弦波信号的过零点控制可控硅导通或截止。

在该技术方案中，通过根据预设的功率与占空比之间的对应关系、市电信号的一个正弦波信号的周期时长，确定可控硅接入的正弦波信号的个数，并且在正弦波信号的过零点控制可控硅导通或截止，进而使得可控硅导通过程中有若干个完整的正弦波信号，同时，可控硅截止过程中也对应着若干个完整的正弦波信号的时长，具体由于在过零点进行可控硅导通和截止状态之间的切换，相对于斩波和丢包技术而言，市电信号输入的交流电压和交流电源均能得到完整波形，且二者之间相位差几乎可以忽略，进而能够有效地降低纹波信号和谐波信号，有利于进一步地提高可控硅的可靠性和使用寿命。

其中，占空比通常是指pwm(pulse-widthmodulation，脉宽调变)信号的高低电平的比例，如果高电平下控制可控硅导通，低电平控制可控硅截止，那么高低电平的比例恰好是可控硅的导通时长与截止时长之间的比例。

在上述任一技术方案中，优选地，确定单元还用于：根据预设的功率与占空比之间的对应关系确定施加至可控硅的控制端的控制信号的占空比，控制信号的占空比为导通时长与关断时长之间的比例；确定单元具体包括：计算子单元，用于计算导通时长与市电信号的一个正弦波信号的周期时长之间的比值，并将比值确定为可控硅连续接入的正弦波信号的个数。

在该技术方案中，通过根据预设的功率与占空比之间的对应关系确定施加至可控硅的控制端的控制信号的占空比，控制信号的占空比为导通时长与关断时长之间的比例，并且计算导通时长与市电信号的一个正弦波信号的周期时长之间的比值，并将比值确定为可控硅连续接入的正弦波信号的个数，即导通时长与截止时长均为正弦波信号周期时长的正整数倍，而不需要在一个正弦波信号内进行斩波或丢波，进而降低交流电压和交流电流的波形畸变。

在上述任一技术方案中，优选地，可控硅与负载串联连接于市电零线和市电火线之间，检测子单元，用于实时检测可控硅靠近市电火线设置的一个端子的电压信号；控制单元还用于：在检测到电压信号过零点时，控制可控硅导通，以导通负载接入市电信号；控制单元具体还包括：计数子单元，用于在计数确定可控硅已连续接入的正弦波信号的个数与比值相等时，在检测到市电信号过零点时，控制可控硅关断且时长为关断时长，其中，比值为大于等于1的正整数，可控硅为双向可控硅或单向可控硅。

在该技术方案中，通过实时检测可控硅靠近市电火线设置的一个端子的电压信号，并且在检测到电压信号过零点时，控制可控硅导通，也即在市电信号过零点导通，进而能够降低谐波信号和浪涌电流，另外，在检测到市电信号过零点时，控制可控硅关断且时长为关断时长，同样是为了降低谐波信号和浪涌电流，以提高可控硅的可靠性和降低对电网的冲击。

本领域技术人员能够理解的是，上述可控硅与负载的串联连接方式具体可以包括市电零线、可控硅、负载和市电火线依次连接，还包括市电零线、负载、可控硅和市电火线依次连接。

在上述任一技术方案中，优选地，确定单元还用于：确定第一功率参数对应包含导通时长和关断时长的功率控制进程；确定单元还用于：确定第二功率参数对应包含导通时长和关断时长的功率控制进程；控制单元还用于：在检测到功率调节指令中携带的功率参数为第一功率参数和第二功率参数之间的平均功率时，交替执行第一功率参数对应的功率控制进程和第二功率参数对应的功率控制进程，其中，功率控制进程包括在导通时长内连续接入完整的正弦波信号的进程。

在该技术方案中，在检测到功率调节指令中携带的功率参数为第一功率参数和第二功率参数之间的平均功率时，交替执行第一功率参数对应的功率控制进程和第二功率参数对应的功率控制进程，不仅仅是降低谐波信号和纹波信号对电网的干扰，也是实现了无极调节功率的方案，有利于进一步平滑地调节功率，另外，如可控硅用于调节电磁加热电路的功率，则有利于降低的电磁加热电路的电磁串扰。

根据本发明的第三方面的技术方案，提供了一种厨房电器，包括：加热模组，加热模组中设有可控硅，可控硅与负载串联接入市电零线和市电火线之间，可控硅的控制端连接至控制模组；控制模组，控制模组包括如上述任一项技术方案的功率调节装置；和/或控制模组执行计算机程序时实现如上述任一项技术方案的功率调节方法置。

根据本发明的第三方面的实施例提供的厨房电器，因而具有上述第二方面的任一实施例所具有的一切有益效果，在此不再赘述。

根据本发明的第四方面的技术方案，提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质上存储有计算机程序，计算机程序被执行时实现如上述任一项技术方案限定的功率调控方法。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述部分中给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1示出了根据本发明的实施例一的功率调控方法的示意流程图；

图2示出了根据本发明的实施例二的功率调控方法的导通市电信号的示意波形图；

图3示出了根据本发明的实施例三的功率调控方法的导通市电信号的示意波形图；

图4示出了根据本发明的实施例四的功率调控方法的导通市电信号的示意波形图；

图5示出了根据本发明的实施例五的功率调控装置的示意框图；

图6示出了根据本发明的实施例六的厨房电器的示意框图。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。

实施例一：

图1示出了根据本发明的实施例一的功率调控方法的示意流程图。

如图1所示，根据本发明的实施例一的功率调控方法，包括：步骤s102，响应于针对可控硅发出的功率调节指令，确定功率调节指令中携带的功率参数；步骤s104，根据预设的功率与占空比之间的对应关系、市电信号的一个正弦波信号的周期时长，确定可控硅接入的正弦波信号的个数；步骤s106，在正弦波信号的过零点控制可控硅导通或截止。

在该技术方案中，通过根据预设的功率与占空比之间的对应关系、市电信号的一个正弦波信号的周期时长，确定可控硅接入的正弦波信号的个数，并且在正弦波信号的过零点控制可控硅导通或截止，进而使得可控硅导通过程中有若干个完整的正弦波信号，同时，可控硅截止过程中也对应着若干个完整的正弦波信号的时长，具体由于在过零点进行可控硅导通和截止状态之间的切换，相对于斩波和丢包技术而言，市电信号输入的交流电压和交流电源均能得到完整波形，且二者之间相位差几乎可以忽略，进而能够有效地降低纹波信号和谐波信号，有利于进一步地提高可控硅的可靠性和使用寿命。

其中，占空比通常是指pwm(pulse-widthmodulation，脉宽调变)信号的高低电平的比例，如果高电平下控制可控硅导通，低电平控制可控硅截止，那么高低电平的比例恰好是可控硅的导通时长与截止时长之间的比例。

在上述任一技术方案中，优选地，根据预设的功率与占空比之间的对应关系、市电信号的一个正弦波信号的周期时长，确定可控硅接入的正弦波信号的个数，具体包括：根据预设的功率与占空比之间的对应关系确定施加至可控硅的控制端的控制信号的占空比，控制信号的占空比为导通时长与关断时长之间的比例；计算导通时长与市电信号的一个正弦波信号的周期时长之间的比值，并将比值确定为可控硅连续接入的正弦波信号的个数。

在该技术方案中，通过根据预设的功率与占空比之间的对应关系确定施加至可控硅的控制端的控制信号的占空比，控制信号的占空比为导通时长与关断时长之间的比例，并且计算导通时长与市电信号的一个正弦波信号的周期时长之间的比值，并将比值确定为可控硅连续接入的正弦波信号的个数，即导通时长与截止时长均为正弦波信号周期时长的正整数倍，而不需要在一个正弦波信号内进行斩波或丢波，进而降低交流电压和交流电流的波形畸变。

在上述任一技术方案中，优选地，在正弦波信号的过零点控制可控硅导通或截止，具体包括：可控硅与负载串联连接于市电零线和市电火线之间，实时检测可控硅靠近市电火线设置的一个端子的电压信号；在检测到电压信号过零点时，控制可控硅导通，以导通负载接入市电信号；在计数确定可控硅已连续接入的正弦波信号的个数与比值相等时，在检测到市电信号过零点时，控制可控硅关断且时长为关断时长，其中，比值为大于等于1的正整数，可控硅为双向可控硅或单向可控硅。

在该技术方案中，通过实时检测可控硅靠近市电火线设置的一个端子的电压信号，并且在检测到电压信号过零点时，控制可控硅导通，也即在市电信号过零点导通，进而能够降低谐波信号和浪涌电流，另外，在检测到市电信号过零点时，控制可控硅关断且时长为关断时长，同样是为了降低谐波信号和浪涌电流，以提高可控硅的可靠性和降低对电网的冲击。

本领域技术人员能够理解的是，上述可控硅与负载的串联连接方式具体可以包括市电零线、可控硅、负载和市电火线依次连接，还包括市电零线、负载、可控硅和市电火线依次连接。

在上述任一技术方案中，优选地，还包括：确定第一功率参数对应包含导通时长和关断时长的功率控制进程；确定第二功率参数对应包含导通时长和关断时长的功率控制进程；在检测到功率调节指令中携带的功率参数为第一功率参数和第二功率参数之间的平均功率时，交替执行第一功率参数对应的功率控制进程和第二功率参数对应的功率控制进程，其中，功率控制进程包括在导通时长内连续接入完整的正弦波信号的进程，其中，功率控制进程包括在导通时长内连续接入完整的正弦波信号的进程。

在该技术方案中，在检测到功率调节指令中携带的功率参数为第一功率参数和第二功率参数之间的平均功率时，交替执行第一功率参数对应的功率控制进程和第二功率参数对应的功率控制进程，不仅仅是降低谐波信号和纹波信号对电网的干扰，也是实现了无极调节功率的方案，有利于进一步平滑地调节功率，另外，如可控硅用于调节电磁加热电路的功率，则有利于降低的电磁加热电路的电磁串扰。

综上，电磁加热电路的emc(electromagneticcompatibility，电磁兼容性)测试的一个主要测试内容为emi(electro-magneticinterference，电磁干扰)测试，emi测试主要包含辐射骚扰测试、传导骚扰测试、谐波电流骚扰测试以及电压变换和闪烁测试(即flicker测试)，而根据本发明的技术方案，通过导通完整的若干个正弦波信号，并且在过零点导通和截止可控硅，能够有效地保持交流电路和交流电压的波形为相同的正弦波，大量实验数据可以证实的是，上述功率调控方案在谐波电流骚扰测试和flicker测试中得到十分优异的测试结果。

下面以50hz的市电信号(一个正弦波信号的周期时长为20毫秒)为例，结合实施例二至实施例四对根据本发明的功率调控方案进行具体说明。

实施例二：

图2示出了根据本发明的实施例二的功率调控方法的导通市电信号的示意波形图。

如图2所示，功率调节指令中携带的功率参数对应的占空比为10％时，在检测到市电信号过零时(记作0时刻)，导通可控硅，然后控制端保持给电，使可控硅在每次市电过零后都能马上重新导通，直到开通100毫秒后(100毫秒对应5个完整的正弦波信号的波形)，然后控制可控硅截止，控制可控硅连续截止900毫秒(900毫秒对应45个完整的正弦波信号的波形)，直到1秒市电信号再次过零点，则控制可控硅导通，并在1.1秒对应的市电信号过零点截止可控硅，如此循环至功率调控结束。

实施例三：

图3示出了根据本发明的实施例三的功率调控方法的导通市电信号的示意波形图。

如图3所示，功率调节指令中携带的功率参数对应的占空比为20％时，在检测到市电信号过零时(记作0时刻)，导通可控硅，然后控制端保持给电，使可控硅在每次市电过零后都能马上重新导通，直到开通200毫秒后(200毫秒对应10个完整的正弦波信号的波形)，然后控制可控硅截止，控制可控硅连续截止800毫秒(800毫秒对应40个完整的正弦波信号的波形)，直到1秒市电信号再次过零点，则控制可控硅导通，并在1.2秒对应的市电信号过零点截止可控硅，如此循环至功率调控结束。

实施例四：

图4示出了根据本发明的实施例四的功率调控方法的导通市电信号的示意波形图。

如图4所示，功率调节指令中携带的功率参数对应的占空比为15％时，将图2所示的功率控制过程记作第一功率参数对应的功率控制进程，将图3所示的功率控制过程记作第二功率参数对应的功率控制进程，则可以交替执行第一功率参数对应的功率控制进程和第二功率参数对应的功率控制进程。

又如，功率调节指令中携带的功率参数对应的占空比为100％时，控制可控硅一直保持导通，上述功率调控方法简单可靠地实现了无级调功率。

实施例五：

图5示出了根据本发明的实施例五的功率调控装置的示意框图。

如图5所示，根据本发明的实施例五的功率调控装置500，包括：确定单元502，用于响应于针对可控硅发出的功率调节指令，确定功率调节指令中携带的功率参数；确定单元502还用于：根据预设的功率与占空比之间的对应关系、市电信号的一个正弦波信号的周期时长，确定可控硅接入的正弦波信号的个数；控制单元504，用于在正弦波信号的过零点控制可控硅导通或截止。

在该技术方案中，通过根据预设的功率与占空比之间的对应关系、市电信号的一个正弦波信号的周期时长，确定可控硅接入的正弦波信号的个数，并且在正弦波信号的过零点控制可控硅导通或截止，进而使得可控硅导通过程中有若干个完整的正弦波信号，同时，可控硅截止过程中也对应着若干个完整的正弦波信号的时长，具体由于在过零点进行可控硅导通和截止状态之间的切换，相对于斩波和丢包技术而言，市电信号输入的交流电压和交流电源均能得到完整波形，且二者之间相位差几乎可以忽略，进而能够有效地降低纹波信号和谐波信号，有利于进一步地提高可控硅的可靠性和使用寿命。

其中，占空比通常是指pwm(pulse-widthmodulation，脉宽调变)信号的高低电平的比例，如果高电平下控制可控硅导通，低电平控制可控硅截止，那么高低电平的比例恰好是可控硅的导通时长与截止时长之间的比例。

在上述任一技术方案中，优选地，确定单元502还用于：根据预设的功率与占空比之间的对应关系确定施加至可控硅的控制端的控制信号的占空比，控制信号的占空比为导通时长与关断时长之间的比例；确定单元502具体包括：计算子单元5022，用于计算导通时长与市电信号的一个正弦波信号的周期时长之间的比值，并将比值确定为可控硅连续接入的正弦波信号的个数。

在该技术方案中，通过根据预设的功率与占空比之间的对应关系确定施加至可控硅的控制端的控制信号的占空比，控制信号的占空比为导通时长与关断时长之间的比例，并且计算导通时长与市电信号的一个正弦波信号的周期时长之间的比值，并将比值确定为可控硅连续接入的正弦波信号的个数，即导通时长与截止时长均为正弦波信号周期时长的正整数倍，而不需要在一个正弦波信号内进行斩波或丢波，进而降低交流电压和交流电流的波形畸变。

在上述任一技术方案中，优选地，可控硅与负载串联连接于市电零线和市电火线之间，控制单元504具体包括：检测子单元5042，用于实时检测可控硅靠近市电火线设置的一个端子的电压信号，可控硅的另一个端子连接至市电零线；控制单元504还用于：在检测到电压信号过零点时，控制可控硅导通，以导通负载接入市电信号；控制单元504具体还包括：计数子单元5044，用于在计数确定可控硅已连续接入的正弦波信号的个数与比值相等时，在检测到市电信号过零点时，控制可控硅关断且时长为关断时长，其中，比值为大于等于1的正整数，可控硅为双向可控硅或单向可控硅。

在该技术方案中，通过实时检测可控硅靠近市电火线设置的一个端子的电压信号，并且在检测到电压信号过零点时，控制可控硅导通，也即在市电信号过零点导通，进而能够降低谐波信号和浪涌电流，另外，在检测到市电信号过零点时，控制可控硅关断且时长为关断时长，同样是为了降低谐波信号和浪涌电流，以提高可控硅的可靠性和降低对电网的冲击。

本领域技术人员能够理解的是，上述可控硅与负载的串联连接方式具体可以包括市电零线、可控硅、负载和市电火线依次连接，还包括市电零线、负载、可控硅和市电火线依次连接。

在上述任一技术方案中，优选地，确定单元502还用于：确定第一功率参数对应包含导通时长和关断时长的功率控制进程；确定单元502还用于：确定第二功率参数对应包含导通时长和关断时长的功率控制进程；控制单元504还用于：在检测到功率调节指令中携带的功率参数为第一功率参数和第二功率参数之间的平均功率时，交替执行第一功率参数对应的功率控制进程和第二功率参数对应的功率控制进程，其中，功率控制进程包括在导通时长内连续接入完整的正弦波信号的进程。

在该技术方案中，在检测到功率调节指令中携带的功率参数为第一功率参数和第二功率参数之间的平均功率时，交替执行第一功率参数对应的功率控制进程和第二功率参数对应的功率控制进程，不仅仅是降低谐波信号和纹波信号对电网的干扰，也是实现了无极调节功率的方案，有利于进一步平滑地调节功率，另外，如可控硅用于调节电磁加热电路的功率，则有利于降低的电磁加热电路的电磁串扰。

实施例六：

图6示出了根据本发明的实施例六的厨房电器的示意框图。

如图6所示，根据本发明的实施例六的厨房电器600，包括：加热模组602，加热模组602中设有可控硅，可控硅的两个指定端子分别接入市电零线和市电火线，可控硅的控制端连接至控制模组；控制模组，控制模组包括如上述任一项技术方案限定的功率调节装置500；和/或控制模组执行计算机程序时实现如上述任一项技术方案限定的功率调节方法。

其中，功率调控装置600兼容于mcu、cpu、dsp、单片机和嵌入式设备等控制器，确定单元502中的计算子单元5022和控制单元504可以包括加法器、减法器、乘法器和除法器等逻辑运算器件，计数子单元5044可以为计数器，检测子单元5042可以为电压检测电路，电压检测电路用于检测可控硅导通的电信号的过零点，且电压检测电路可以包括分压模块、整流模块和滤波模块等硬件模块。

实施例七：

根据本发明的实施例七，提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质上存储有计算机程序，计算机程序被执行时实现以下步骤：响应于针对可控硅发出的功率调节指令，确定功率调节指令中携带的功率参数；根据预设的功率与占空比之间的对应关系、市电信号的一个正弦波信号的周期时长，确定可控硅接入的正弦波信号的个数；在正弦波信号的过零点控制可控硅导通或截止。

在该技术方案中，通过根据预设的功率与占空比之间的对应关系、市电信号的一个正弦波信号的周期时长，确定可控硅接入的正弦波信号的个数，并且在正弦波信号的过零点控制可控硅导通或截止，进而使得可控硅导通过程中有若干个完整的正弦波信号，同时，可控硅截止过程中也对应着若干个完整的正弦波信号的时长，具体由于在过零点进行可控硅导通和截止状态之间的切换，相对于斩波和丢包技术而言，市电信号输入的交流电压和交流电源均能得到完整波形，且二者之间相位差几乎可以忽略，进而能够有效地降低纹波信号和谐波信号，有利于进一步地提高可控硅的可靠性和使用寿命。

其中，占空比通常是指pwm(pulse-widthmodulation，脉宽调变)信号的高低电平的比例，如果高电平下控制可控硅导通，低电平控制可控硅截止，那么高低电平的比例恰好是可控硅的导通时长与截止时长之间的比例。

在上述任一技术方案中，优选地，根据预设的功率与占空比之间的对应关系、市电信号的一个正弦波信号的周期时长，确定可控硅接入的正弦波信号的个数，具体包括：根据预设的功率与占空比之间的对应关系确定施加至可控硅的控制端的控制信号的占空比，控制信号的占空比为导通时长与关断时长之间的比例；计算导通时长与市电信号的一个正弦波信号的周期时长之间的比值，并将比值确定为可控硅连续接入的正弦波信号的个数。

在该技术方案中，通过根据预设的功率与占空比之间的对应关系确定施加至可控硅的控制端的控制信号的占空比，控制信号的占空比为导通时长与关断时长之间的比例，并且计算导通时长与市电信号的一个正弦波信号的周期时长之间的比值，并将比值确定为可控硅连续接入的正弦波信号的个数，即导通时长与截止时长均为正弦波信号周期时长的正整数倍，而不需要在一个正弦波信号内进行斩波或丢波，进而降低交流电压和交流电流的波形畸变。

在上述任一技术方案中，优选地，在正弦波信号的过零点控制可控硅导通或截止，具体包括：可控硅与负载串联连接于市电零线和市电火线之间，实时检测可控硅靠近市电火线设置的一个端子的电压信号，可控硅的另一个端子连接至市电零线；在检测到电压信号过零点时，控制可控硅导通，以导通负载接入市电信号；在计数确定可控硅已连续接入的正弦波信号的个数与比值相等时，在检测到市电信号过零点时，控制可控硅关断且时长为关断时长，其中，比值为大于等于1的正整数，可控硅为双向可控硅或单向可控硅。

在该技术方案中，通过实时检测可控硅靠近市电火线设置的一个端子的电压信号，并且在检测到电压信号过零点时，控制可控硅导通，也即在市电信号过零点导通，进而能够降低谐波信号和浪涌电流，另外，在检测到市电信号过零点时，控制可控硅关断且时长为关断时长，同样是为了降低谐波信号和浪涌电流，以提高可控硅的可靠性和降低对电网的冲击。

本领域技术人员能够理解的是，上述可控硅与负载的串联连接方式具体可以包括市电零线、可控硅、负载和市电火线依次连接，还包括市电零线、负载、可控硅和市电火线依次连接。

在上述任一技术方案中，优选地，还包括：确定第一功率参数对应包含导通时长和关断时长的功率控制进程；确定第二功率参数对应包含导通时长和关断时长的功率控制进程；在检测到功率调节指令中携带的功率参数为第一功率参数和第二功率参数之间的平均功率时，交替执行第一功率参数对应的功率控制进程和第二功率参数对应的功率控制进程，其中，功率控制进程包括在导通时长内连续接入完整的正弦波信号的进程，其中，功率控制进程包括在导通时长内连续接入完整的正弦波信号的进程。

在该技术方案中，在检测到功率调节指令中携带的功率参数为第一功率参数和第二功率参数之间的平均功率时，交替执行第一功率参数对应的功率控制进程和第二功率参数对应的功率控制进程，不仅仅是降低谐波信号和纹波信号对电网的干扰，也是实现了无极调节功率的方案，有利于进一步平滑地调节功率，另外，如可控硅用于调节电磁加热电路的功率，则有利于降低的电磁加热电路的电磁串扰。

以上结合附图详细说明了本发明的技术方案，本发明提供了一种功率调控方法、装置、厨房电器和计算机可读存储介质，通过根据预设的功率与占空比之间的对应关系、市电信号的一个正弦波信号的周期时长，确定可控硅接入的正弦波信号的个数，并且在正弦波信号的过零点控制可控硅导通或截止，进而使得可控硅导通过程中有若干个完整的正弦波信号，同时，可控硅截止过程中也对应着若干个完整的正弦波信号的时长，具体由于在过零点进行可控硅导通和截止状态之间的切换，相对于斩波和丢包技术而言，市电信号输入的交流电压和交流电源均能得到完整波形，且二者之间相位差几乎可以忽略，进而能够有效地降低纹波信号和谐波信号，有利于进一步地提高可控硅的可靠性和使用寿命。

本发明方法中的步骤可根据实际需要进行顺序调整、合并和删减。

本发明装置中的单元可根据实际需要进行合并、划分和删减。

本领域普通技术人员可以理解上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成，该程序可以存储于一计算机可读存储介质中，存储介质包括只读存储器(read-onlymemory，rom)、随机存储器(randomaccessmemory，ram)、可编程只读存储器(programmableread-onlymemory，prom)、可擦除可编程只读存储器(erasableprogrammablereadonlymemory，eprom)、一次可编程只读存储器(one-timeprogrammableread-onlymemory，otprom)、电子抹除式可复写只读存储器(electrically-erasableprogrammableread-onlymemory，eeprom)、只读光盘(compactdiscread-onlymemory，cd-rom)或其他光盘存储器、磁盘存储器、磁带存储器、或者能够用于携带或存储数据的计算机可读的任何其他介质。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。