磁场屏蔽结构以及包括该磁场屏蔽结构的移动装置的制作方法

文档序号:15545502发布日期:2018-09-28 20:45阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种磁场屏蔽结构,其特征在于,所述磁场屏蔽结构包括:

磁性层;以及

谐振屏蔽电路,包括电容器和连接到所述电容器且具有环路形式的导体;

其中,所述磁性层的至少一部分在所述磁性层的厚度方向上与由所述导体围绕的区域重叠。

2.根据权利要求1所述的磁场屏蔽结构,其特征在于,所述导体设置在所述磁性层的表面上。

3.根据权利要求2所述的磁场屏蔽结构,其特征在于,所述电容器设置在所述磁性层的表面上。

4.根据权利要求2所述的磁场屏蔽结构,其特征在于,所述磁场屏蔽结构还包括结合层,所述结合层介于所述磁性层和所述导体之间且将所述磁性层结合到所述导体。

5.根据权利要求2所述的磁场屏蔽结构,其特征在于,所述导体为电路板中的导体。

6.根据权利要求1所述的磁场屏蔽结构,其特征在于,所述磁性层设置在由所述导体围绕的区域中。

7.根据权利要求1所述的磁场屏蔽结构,其特征在于,所述磁性层和所述导体设置在相同的高度上。

8.根据权利要求1所述的磁场屏蔽结构,其特征在于,所述电容器为多层陶瓷电容器。

9.根据权利要求1所述的磁场屏蔽结构,其特征在于,所述导体为具有至少两匝的线圈。

10.根据权利要求9所述的磁场屏蔽结构,其特征在于,所述线圈为螺线管。

11.根据权利要求9所述的磁场屏蔽结构,其特征在于,所述线圈的不同匝设置在相同的高度上。

12.根据权利要求1所述的磁场屏蔽结构,其特征在于,所述电容器和所述导体形成电感电容电路。

13.根据权利要求1所述的磁场屏蔽结构,其特征在于,所述谐振屏蔽电路被电隔离。

14.根据权利要求1所述的磁场屏蔽结构,其特征在于,所述磁性层包括形成堆叠结构的多个磁性层。

15.根据权利要求14所述的磁场屏蔽结构,其特征在于,所述导体设置在所述堆叠结构的表面上。

16.根据权利要求14所述的磁场屏蔽结构,其特征在于,所述导体介于所述堆叠结构的两个相邻磁性层之间。

17.根据权利要求14所述的磁场屏蔽结构,其特征在于,所述导体围绕所述堆叠结构的侧表面。

18.根据权利要求1所述的磁场屏蔽结构,其特征在于,所述磁场屏蔽结构还包括另一谐振屏蔽电路。

19.根据权利要求18所述的磁场屏蔽结构,其特征在于,所述谐振屏蔽电路的所述导体设置在所述磁性层的一个表面上;并且

所述另一谐振屏蔽电路的导体设置在所述磁性层的在所述磁性层的与所述一个表面相反的那侧的另一表面上。

20.根据权利要求18所述的磁场屏蔽结构,其特征在于,所述谐振屏蔽电路的所述导体和所述另一谐振屏蔽电路的导体设置在所述磁性层的同一表面上。

21.一种移动装置,其特征在于,所述移动装置包括:

移动装置主体;

电池;

线圈部;以及

磁场屏蔽结构,介于所述电池和所述线圈部之间且包括磁性层和谐振屏蔽电路,所述谐振屏蔽电路包括电容器和连接到所述电容器且具有环路形式的导体,其中,所述磁性层的至少一部分在所述磁性层的厚度方向上与由所述导体围绕的区域重叠。

22.根据权利要求21所述的移动装置,其特征在于,所述磁性层介于所述谐振屏蔽电路和所述线圈部之间。

23.一种磁场屏蔽结构,其特征在于,所述磁场屏蔽结构包括:

磁性层;以及

谐振屏蔽电路,被构造为阻挡穿过所述磁性层的磁场的至少一部分并包括电容器和连接到所述电容器的两端且具有环路形式的导体。

24.根据权利要求23所述的磁场屏蔽结构,其特征在于,所述谐振屏蔽电路具有大致等于所述磁场的频率的谐振频率。

25.根据权利要求23所述的磁场屏蔽结构,其特征在于,所述磁性层的至少一部分设置于电力接收线圈和所述谐振屏蔽电路之间。

26.根据权利要求23所述的磁场屏蔽结构,其特征在于,所述导体设置在所述磁性层的表面上,或设置在所述磁性层的内部,或所述磁性层设置在由所述导体围绕的区域中。

27.一种移动装置,其特征在于,所述移动装置包括:

移动装置主体;

电池,设置在所述移动装置主体中;

电力接收线圈,设置在所述移动装置主体中且被构造为通过磁感应和磁谐振中的任意一者或两者接收无线电力;以及

磁场屏蔽结构,在所述移动装置主体中设置在所述电池和所述电力接收线圈之间且被构造为阻挡由所述电力接收线圈产生的磁场的至少一部分到达所述电池;

其中,所述磁场屏蔽结构包括:

磁性层,被构造为阻挡由所述电力接收线圈产生的所述磁场的至少一部分穿过所述磁性层;以及

谐振屏蔽电路,被构造为阻挡来自由所述电力接收线圈产生的所述磁场的穿过所述磁性层的任意漏磁场的至少一部分,所述谐振屏蔽电路包括电容器和连接到所述电容器的两端且具有环路形式的导体。

28.根据权利要求27所述的移动装置,其特征在于,所述磁性层还被构造为通过磁感应法阻挡由所述电力接收线圈产生的所述磁场的所述至少一部分;并且

所述谐振屏蔽电路还被构造为通过磁谐振法阻挡穿过所述磁性层的任意漏磁场的所述至少一部分。

29.根据权利要求27所述的移动装置,其特征在于,所述磁性层的至少一部分设置在所述电力接收线圈和所述谐振屏蔽电路之间。

30.根据权利要求27所述的移动装置,其特征在于,所述导体设置在所述磁性层的表面上,或设置在所述磁性层的内部,或所述磁性层设置在由所述导体围绕的区域中。

当前第2页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1