一种可控硅耐冲击性能测试电路和设备的制作方法

本申请涉及电子技术领域，具体而言，涉及一种可控硅耐冲击性能测试电路和设备。

背景技术：

可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。随着可控硅在麻将机、洗衣机等家用电器中的广泛应用，对可控硅的性能要求、可靠性要求日趁严苛。在可控硅工作过程中，电机会在正转和反转中进行切换，此时会对线路中的可控硅产生电流过冲，电流过冲可能会导致可控硅出现失效或者失控的情况。为了避免可控硅在工作过程中由于电机正转和反转切换时出现失效或失控情况，提升可控硅的可靠性，需要在可控硅上机前，对其进行正反向耐冲击性能测试。

目前的测试方法都是利用机械开关进行手动操作电机换向，通过电机转向时对可控硅造成的电流过冲时，检测可控硅的失效或失控情况，以实现可控硅可靠性的检测。

当前的检测方法主要存在三方面的问题：首先，人工操作电机换向时，电机正反转的时间不受控，时快时慢的电机正反转会影响测试结果；其次，手工操作比较繁琐，容易造成检测人员的疲劳，进而导致检测过程效率低，操作出错率大的问题；最后，人工计数容易受外界干扰，导致发生记错的情况。

技术实现要素：

有鉴于此，本申请实施例的目的在于提供一种可控硅耐冲击性能测试电路和设备，通过开关控制电路控制电机进行周期性正转和反转，当电机进行周期性正转和反转的时候，能够实现对安装在可控硅安装构件上的可控硅进行正反向冲击，对可控硅的耐冲击性能进行测试，解决了人工操作电机正反转对可控硅的耐冲击性能进行测试时，错误率高、效率低的问题。

第一方面，本申请实施例提供了一种可控硅耐冲击性能测试电路，包括：开关控制电路以及可控硅安装构件；

所述可控硅安装构件设置有控制电压输入端、电源连接端、电机连接端以及插孔；

所述可控硅安装构件的插孔用于安装可控硅；

所述可控硅安装构件的电源连接端用于连接第一交流电源；

所述可控硅安装构件的电机连接端用于连接电机；

所述可控硅安装构件的控制电压输入端与所述开关控制电路的信号输出端连接；

所述开关控制电路用于控制电机进行周期性正转和反转。

结合第一方面，本申请实施例提供了第一方面的第一种可能的实施方式，其中：所述可控硅安装构件包括：两个子构件；每个所述子构件均设置有三个所述插孔；

每个所述子构件的三个插孔分别用于插入所述可控硅的门极、第一主电极和第二主电极，且当所述可控硅的三个电极插入到所述子构件的三个插孔中后，所述门极与所述控制电压输入端连接；所述第一主电极和所述电机连接端连接；所述第二主电极和所述电源连接端连接。

结合第一方面的第一种可能的实施方式，本申请实施例提供了第一方面的第二种可能的实施方式，其中：所述开关控制电路，包括：正反转控制电路以及中间继电器；

所述正反转控制电路的信号输出端与所述中间继电器的信号输入端连接；

所述中间继电器用于在正反转控制电路输入控制电压时，导通安装在其中一个子构件上的可控硅，并在所述正反转控制电路未输入控制电压时，导通安装在另外一个子构件上的可控硅。

结合第一方面的第二种可能的实施方式，本申请实施例提供了第一方面的第三种可能的实施方式，其中：所述中间继电器内设置有第一静触点、第二静触点、第一动触点；

其中，所述第一静触点与其中一个子构件连接；所述第二静触点与另外一个子构件连接；所述第一动触点连接所述电源连接端；

且正反转控制电路未输入控制电压时，所述第一动触点与所述第一静触点接通，与所述第二静触点断开；当所述正反转控制电路输入控制电压时，所述第一动触点与所述第二静触点接通，与所述第一静触点断开。

结合第一方面的第三种可能的实施方式，本申请实施例提供了第一方面的第四种可能的实施方式，其中：所述第一静触点和所述其中一个子构件之间还设置有第一电阻；

所述第二静触点和所述另外一个所述子构件之间还设置有第二电阻；

所述第一动触点和所述电源连接端之间设置有第三电阻。

结合第一方面的第二种可能的实施方式至第四种可能的实施方式的任意一项可能的实施方式，本申请实施例提供了第一方面的第五种可能的实施方式，其中：所述正反转控制电路包括：第一时间继电器以及第二时间继电器；

第一时间继电器和第二时间继电器上均设置有：第一电源触点、第二电源触点、第一开关触点组以及第二开关触点组；

第一开关触点组以及第二开关触点组均包括：第三静触点、第四静触点和第二动触点，且当所述第三静触点与所述第二动触点闭合时，所述第四静触点和所述第二动触点断开；所述第四静触点与所述第二动触点闭合时，所述第三静触点和所述第二动触点断开；

所述第一时间继电器上的第一开关触点组中的第三静触点和所述第二时间继电器的第一开关触点组的第四静触点分别连接至第二交流电源的一极；

所述第一时间继电器的第一开关触点组的第二动触点连接至所述第二时间继电器的第一电源触点；

所述第二时间继电器的第一开关触点组的第二动触点连接至所述第一时间继电器的第一电源触点；

所述第一时间继电器和所述第二时间继电器的第二电源触点分别连接至第二交流电源的另一极；

所述第二时间继电器的第二开关触点组的第二动触点连接至第二交流电源的一极，所述第二时间继电器的第二开关触点组的第四静触点作为所述正反转控制电路的信号输出端，与所述中间继电器的信号输入端连接。

结合第一方面的第五种可能的实施方式，本申请实施例提供了第一方面的第六种可能的实施方式，其中：所述开关控制电路还包括：计数器；

所述计数器包括：第三电源触点、第四电源触点、一组常开触点和一组计数触点；

所述第三电源触点和所述第四电源触点用于分别连接所述第二交流电源的一极和另一极；

所述计数器的一组常开触点的两个常开触点分别连接至所述第二交流电源的一极和所述第二时间继电器的第一电源触点；

所述计数器的一组计数触点的两个计数触点分别连接至所述第一时间继电器的第二开关触点组的第四静触点和第二动触点。

结合第一方面的第一种可能的实施方式，本申请实施例提供了第一方面的第七种可能的实施方式，其中：还包括：电机；

所述电机包括第一接线端、第二接线端和第三接线端；

所述电机的第一接线端用于连接至第一个所述可控硅的第一主电极，所述电机的第二接线端用于连接至第二个所述可控硅的第一主电极，所述电机的第三接线端用于连接所述第一交流电源；

两个所述可控硅的交替导通使得电机进行周期性交替正转和反转。

第二方面，本申请实施例还提供一种可控硅耐冲击性能测试设备，包括：如第一方面和第一方面的第一种可能的实施方式至第七种可能的实施方式的任意一项所述的可控硅耐冲击性能测试电路，还包括：封装外壳；

所述封装外壳设置在所述可控硅耐冲击性能测试电路中的开关控制电路的外部；

所述可控硅耐冲击性能测试电路中的可控硅安装构件设置在所述封装外壳的外部，并穿过所述封装外壳的侧壁和所述开关控制电路连接。

结合第二方面，本申请实施例提供了第二方面的第一种可能的实施方式，其中：所述封装外壳上还设有电源开关控制构件；

所述电源开关控制单元用于控制所述第一交流电源和所述第二交流电源的开和关。

本申请实施例提供的可控硅耐冲击性能测试电路中包括：开关控制电路以及可控硅安装构件；所述可控硅安装构件设置有控制电压输入端、电源连接端、电机连接端以及插孔；所述可控硅安装构件的插孔用于安装可控硅；所述可控硅安装构件的电源连接端用于连接第一交流电源；所述可控硅安装构件的电机连接端用于连接电机；所述可控硅安装构件的控制电压输入端与所述开关控制电路的信号输出端连接；所述开关控制电路用于控制电机进行周期性正转和反转。可控硅耐冲击性能测试电路中，通过开关控制电路控制电机进行周期性正转和反转，电机进行周期性正转和反转的时候，能够实现对安装在可控硅安装构件上的可控硅进行正反向冲击，对可控硅的耐冲击性能进行测试，解决了人工操作电机正反转对可控硅的耐冲击性能进行测试时，错误率高、效率低的问题。

为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1示出了本申请实施例所提供的一种可控硅耐冲击性能测试电路的结构示意图；

图2示出了本申请实施例所提供的一种可控硅耐冲击性能测试电路中，可控硅安装构件的具体结构示意图；

图3示出了本申请实施例所提供的一种可控硅耐冲击性能测试电路中，开关控制电路的结构示意图；

图4示出了本申请实施例所提供的一种开关控制电路中，正反转控制电路的结构示意图；

图5示出了本申请实施例所提供的一种可控硅耐冲击性能测试电路的具体实施例的电路连接示意图；

图6示出了本申请实施例所提供的一种可控硅耐冲击性能测试设备的结构示意图；

图7示出了本申请实施例所提供的一种可控硅耐冲击性能测试设备中，封装外壳的结构示意图。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

目前可控硅耐冲击性能的测试方法都是利用机械开关进行手动操作电机换向，容易导致错误率高、效率低的问题。基于此，本申请实施例提供的一种可控硅耐冲击性能测试电路和设备，可控硅耐冲击性能测试电路中，通过开关控制电路控制电机进行周期性正转和反转，电机进行周期性正转和反转的时候，能够实现对安装在可控硅安装构件上的可控硅进行正反向冲击，对可控硅的耐冲击性能进行测试，解决了人工操作电机正反转对可控硅的耐冲击性能进行测试时，错误率高、效率低的问题。

为便于对本实施例进行理解，首先对本申请实施例所公开的一种可控硅耐冲击性能测试电路进行详细介绍。

需要注意的是，在本申请的描述中，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

另外，在本申请的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

参见图1所示，本申请实施例提供的一种可控硅耐冲击性能测试电路包括：开关控制电路11以及可控硅安装构件12；

所述可控硅安装构件12设置有控制电压输入端121、电源连接端122、电机连接端123以及插孔124；

所述插孔124用于安装可控硅；所述电源连接端122用于连接第一交流电源；所述电机连接端123用于连接电机；所述控制电压输入端121与所述开关控制电路11的信号输出端111连接；所述开关控制电路11用于控制电机进行周期性正转和反转。

可控硅耐冲击性能测试电路中，通过开关控制电路控制电机进行周期性正转和反转，电机进行周期性正转和反转的时候，能够实现对安装在可控硅安装构件上的可控硅进行正反向冲击，对可控硅的耐冲击性能进行测试，解决了人工操作电机正反转对可控硅的耐冲击性能进行测试时，错误率高、效率低的问题。

下面分别通过Ⅰ和Ⅱ对可控硅安装构件12和开关控制电路11加以说明。

Ⅰ：可控硅安装构件12：

可控硅安装构件12是在对可控硅的性能进行测试时的载体，其能够与可控硅可拆卸的连接，当对某可控硅进行性能测试时，将该可控硅安装在可控硅安装构件上，同时在电机连接端123连接测试用的电机，启动开关控制电路11控制电机周期性的正转和反转，使得电机在周期性正转和反转时，对安装在可控硅安装构件12上的可控硅造成电流过冲。

在具体实现的时候，可控硅一般会设置三个管脚。为了实现可控硅与可控硅安装构件的连接，在可控硅安装构件12上通常会设置与可控硅三个管脚分别对应的插孔124，使得可控硅安装在可控硅安装构件12上后，三个管脚分别与可控硅安装构件12的控制电压输入端121、电源连接端122、电机连接端123连接。

此处，可控硅的三个管脚分别对应第一主电极、第二主电极以及门极，其中，第一主电极与电机连接端123连接，用于连接电机；第二主电极与电源连接端122连接，用于连接第一交流电源；门极用于控制可控硅第一主电极和第二主电极之间的通断，当门极有电压输入的时候，第一主电极和第二主电极导通；当门极没有电压输入的时候，第一主电极和第二主电极断开，因而门极连接至控制电压输入端121。

另外，在另一种可控硅中，可控硅上的第一主电极、第二主电极和门极并未形成管脚，而是以端子的形式存在，针对这种可控硅，在将可控硅安装到可控硅安装构件12上的时候，插孔可以和端子之间再连接一个连接构件，例如导线等，将可控硅和可控硅安装构件12连接在一起。

具体地，参见图2所示：

本申请实施例中还提供一种可控硅安装构件12的具体结构，包括：两个子构件120，每个所述子构件120均设置有三个所述插孔124、控制电压输入端121、电源连接端122、以及电机连接端123；

每个所述子构件120的三个插孔124分别用于插入所述可控硅的门极、第一主电极和第二主电极，且当所述可控硅的三个电极插入到所述子构件120的三个插孔124中后，所述门极与所述控制电压输入端121连接；所述第一主电极和所述电机连接端123连接；所述第二主电极和所述电源连接端122连接。

本申请采用的电机有三个接线端，包括：第一接线端、第二接线端和第三接线端；其中，当第三接线端与第一接线端或第二接线端其中一个接线端之间有电压时，电机正转；当第三接线端与第一接线端或第二接线端其中另一个接线端之间有电压时，电机反转。为了控制电机周期性的正转和反转，就需要周期性的交替向电机的第三接线端和第一接线端之间和第三接线端和第二接线端之间输入电压。为了实现上述目的，本申请采用了将可控硅安装构件设置成两个子构件，每个子构件上均设置有电机连接端。

其中一个子构件上的电机连接端用于与电机的第一接线端连接，另外一个子构件上的电机连接端用于与电机的第二接线端连接，第三接线端连接至第一交流电源。

两个子构件上还分别设置有一个控制电压输入端，开关控制电路交替向两个子构件上控制电压输入端输入控制电压，交替导通安装在两个子构件上的可控硅，以控制电机进行周期性的正转和反转。

Ⅱ：开关控制电路11：

开关控制电路11用于周期性的控制控制电机进行周期性正转和反转。

具体实现的时候，由于可控硅的特殊性，如果向其门极施加电压，则可控硅的两个主电极导通，如果不向其门极施加电压，则可控硅的两个主电极断开。因此，开关控制电路11通过交替向连接在电机的第一接线端和第二接线端的两个可控硅输入控制电压，来控制两个可控硅交替导通，从而控制连接在电机连接端的电机周期性正转和反转。

在其中一种实施方式中，可以通过单片机来控制交替向安装在两个子构件上的可控硅输入控制电压。例如在单片机的两个控制信号输出端口分别连接信号放大器电路，在两个信号放大器电路的电压输出端分别连接一个子构件的控制电压输入端。

单片机向第一个控制信号输出端口输出高电平信号，向第二个控制信号输出端口输出低电平信号，同时内部的计时器计时，并在达到计时周期时，向第一个控制信号输出端口输出低电平信号，向第二个控制信号输出端口输出高电平信号；内部的计时器计时再次达到计时周期时，向第一个控制信号输出端口输出高电平信号，向第二个控制信号输出端口输出低电平信号。高电平信号经过信号放大器，被施加在控制电压输入端，控制对应的可控硅导通。

单片机造价高，不利于大规模应用，且需要编写程序进行控制，使用不方便。

因此，在本申请另一种实施方式中，通过中间继电器来控制交替向安装在两个子构件上的可控硅输入控制电压。

具体地，参见图3所示，本申请实施例提供的可控硅耐冲击性能测试电路中的开关控制电路11，包括：正反转控制电路112以及中间继电器KA；

所述正反转控制电路112的信号输出端1121与所述中间继电器KA的信号输入端1131连接；

所述正反转控制电路112用于周期性的向所述中间继电器KA输入控制电压；

所述中间继电器KA的信号输出端1132作为开关控制电路11的信号输出端111，用于在正反转控制电路112输入控制电压时，导通安装在其中一个子构件上的可控硅，并在所述正反转控制电路未输入控制电压时，导通安装在另外一个子构件上的可控硅。

此处，控制电压实际上是正反转控制的电路112向中间继电器KA所输出的电压。在中间继电器KA上，设置有第一静触点、第二静触点、第一动触点，还设置有电压输入管脚和电压输出管脚；所述第一静触点与其中一个子构件连接；所述第二静触点与另外一个子构件连接；所述第一动触点连接所述可控硅安装构件12的电源连接端123，用于连接第一交流电源；

中间继电器KA的信号输入端1131实际上就是中间继电器KA上的电压输入管脚，正反转控制电路112的信号输出端1121与中间继电器KA上的电压输入管脚连接，用于周期性的向所述中间继电器KA输入控制电压；

中间继电器KA的信号输出端1132实际上就是中间继电器KA内的第一静触点和第二静触点，并作为开关控制电路11的信号输出端111，用于交替导通安装在可控硅安装构件上的两个可控硅。

第一静触点和其中一个子构件之间还设置有第一电阻；第二静触点和另外一个所述子构件之间还设置有第二电阻；第一动触点和电源连接端123之间设置有第三电阻。

在具体实现的时候第一静触点和第一动触点组成一组开关，第二静触点和第一动触点组成另外一组开关。当中间继电器KA的电压输入管脚没有电压输入的时候，第一静触点和第一动触点组成的一组开关闭合，第二静触点和第一动触点组成另外一组开关断开，此时与第一静触点连接的可控硅被导通，电机正转或反转。当中间继电器KA的电压输入管脚有电压输入的时候，第二静触点和第一动触点组成的一组开关闭合，第一静触点和第一动触点组成另外一组开关断开，此时与第二静触点连接的可控硅被导通，电机反转或正转。

参见图4所示，本申请实施例还提供一种开关控制电路11的具体结构，正反转控制电路112包括：第一时间继电器KT1以及第二时间继电器KT2；

第一时间继电器KT1和第二时间继电器KT2上均设置有：第一电源触点7、第二电源触点2、第一开关触点组K2和K3以及第二开关触点组K1和K4；

第一开关触点组K2和K3以及第二开关触点组K1和K4均包括：第三静触点、第四静触点和第二动触点，且当所述第三静触点与所述第二动触点闭合时，所述第四静触点和所述第二动触点断开；所述第四静触点与所述第二动触点闭合时，所述第三静触点和所述第二动触点断开；

所述第一时间继电器KT1上的第一开关触点组K2中的第三静触点和所述第二时间继电器KT2的第一开关触点组K3的第四静触点分别连接至第二交流电源的一极；

所述第一时间继电器KT1的第一开关触点组K2的第二动触点连接至所述第二时间继电器KT2的第一电源触点7；

所述第二时间继电器KT2的第一开关触点组K3的第二动触点连接至所述第一时间继电器KT1的第一电源触点7；

所述第一时间继电器KT1和所述第二时间继电器KT2的第二电源触点2分别连接至第二交流电源的另一极；

所述第二时间继电器KT2的第二开关触点组K4的第二动触点连接至第二交流电源的一极，所述第二时间继电器KT2的第二开关触点组K4的第四静触点作为所述正反转控制电路112的信号输出端1121，与所述中间继电器KA的信号输入端1131连接。

第二交流电源没有在图4中画出。

参见图3和图4所示，在本申请另一实施例中的可控硅耐冲击性能测试电路中的开关控制电路11还包括：计数器BZ；

计数器BZ包括：第三电源触点、第四电源触点、一组常开触点和一组计数触点；

所述第三电源触点和所述第四电源触点用于分别连接所述第二交流电源的一极和另一极；

所述计数器BZ的一组常开触点的两个常开触点分别连接至所述第二交流电源的一极和所述第二时间继电器KT2的第一电源触点7；

所述计数器BZ的一组计数触点的两个计数触点分别连接至所述第一时间继电器KT1的第二开关触点组K1的第四静触点和第二动触点。

计数器BZ用于对开关控制电路11控制电机正转和反转的次数进行计数，并在计数到达预设次数后，控制开关控制电路11断开对中间继电器KA的控制，使得中间继电器KA的两组开关不再周期性的交替导通，从而使得中间继电器KA无法再控制电机换向。

下面结合图5对本申请实施例提供的可控硅耐冲击性能测试电路的工作过程加以说明：

图5中的KT1为第一时间继电器，KT2为第二时间继电器，第一时间继电器KT1和第二时间继电器KT2组成了正反转控制电路112，KA为中间继电器，第一时间继电器KT1、第二时间继电器KT2和中间继电器KA组成了开关控制电路11；BZ为计数器；

图5中的L2和N2分别为第一交流电源的火线和零线，L1和N1分别为第二交流电源的火线和零线；

图5中的Q1和Q2为分别安装在可控硅安装构件12的两个子构件上的两个可控硅，可控硅的上端为第二主电极，与第一交流电源的火线L2连接，可控硅的下端为第一主电极，与电机M的第一接线端或第二接线端连接，可控硅的右端为门极，与开关控制电路11中的中间继电器KA连接；

电机M包括第一连接端、第二连接端和第三连接端；电机M的第一连接端用于连接至可控硅Q1的第一主电极，电机M的第二连接端用于连接至可控硅Q2的第一主电极，电机M的第三连接端用于连接第一交流电源的零线N2；可控硅Q1和可控硅Q2的交替导通使得电机M进行周期性交替正转和反转。

假如电机M的第一接线端为红线，第二接线端为蓝线，第三接线端为黑线。第一交流电源接通红线和黑线时，电机正转，第一交流电源接通蓝线和黑线时，电机反转。因此，当可控硅Q1导通时，相当于电机M的红线接通，电机正转；当可控硅Q2导通时，相当于电机M的蓝线接通，电机反转。

图5中的中间继电器KA内的5脚为第一静触点，6脚为第二静触点，8脚为第一动触点；正反转控制电路112中的第二时间继电器KT2的6脚作为正反转控制电路112的信号输出端1121，中间继电器KA的2脚为电压输入管脚，作为信号输入端1131，且正反转控制电路112未向中间继电器KA的2脚输入控制电压时，中间继电器KA的8脚与5脚接通，与6脚断开，此时可以使可控硅Q1导通；当正反转控制电路112向中间继电器KA的2脚输入控制电压时，中间继电器KA的8脚与6脚接通，与5脚断开，此时可以使可控硅Q2导通。

中间继电器KA内的5脚和可控硅Q1之间设置有第一电阻R2；中间继电器KA内的6脚和可控硅Q2之间设置有第二电阻R1；中间继电器KA内的8脚和可控硅安装构件12的电源连接端122之间设置有第三电阻R3。

图5中第一时间继电器KT1和第二时间继电器KT2中的7脚和2脚分别为第一电源触点和第二电源触点，第一时间继电器KT1中的K2和第二时间继电器KT2中的K3为第一开关触点组，第一时间继电器KT1中的K1和第二时间继电器KT2中的K4为第二开关触点组；第一时间继电器KT1和第二时间继电器KT2的4脚、5脚为第三静触点，第一时间继电器KT1和第二时间继电器KT2的3脚、6脚为第四静触点，第一时间继电器KT1和第二时间继电器KT2的1脚、8脚为第二动触点，且当第三静触点与第二动触点闭合时，第四静触点和第二动触点断开；第四静触点与第二动触点闭合时，第三静触点和第二动触点断开。

第一时间继电器KT1上的第一开关触点组K2中的第三静触点4脚和第二时间继电器KT2的第一开关触点组K3的第四静触点3脚分别连接至第二交流电源的火线L1；

第一时间继电器KT1的第一开关触点组K2的第二动触点1脚连接至第二时间继电器KT2的第一电源触点7脚上；

第二时间继电器KT2的第一开关触点组K3的第二动触点1脚连接至第一时间继电器KT1的第一电源触点7脚上；

第一时间继电器KT1和第二时间继电器KT2的第二电源触点2脚分别连接至第二交流电源的零线N1；

第二时间继电器KT2的第二开关触点组K4的第二动触点8脚连接至第二交流电源的火线L1，第二时间继电器KT2的第二开关触点组K4的第四静触点6脚作为正反转控制电路112的信号输出端1121，与中间继电器KA的2脚连接。

图5中计数器BZ的7脚为第三电源触点，2脚为第四电源触点，5脚和8脚为一组常开触点，1脚和4脚为一组计数触点；

第三电源触点7脚和第四电源触点2脚用于分别连接第二交流电源的火线L1和零线N1；

计数器BZ的5脚和8脚分别连接至第二交流电源的火线L1和第二时间继电器KT2的第一电源触点7脚；

计数器BZ的1脚和4脚分别连接至第一时间继电器KT1的第二开关触点组K1的第四静触点6脚和第二动触点8脚。

结合图5，具体介绍本申请提供的可控硅耐冲击性能测试电路的工作原理：

步骤1：首先需要对第一时间继电器KT1、第二时间继电器KT2设置计时时间，对计数器BZ设置计数次数，第一时间继电器KT1、第二时间继电器KT2的计时时间为电机一次正转或反转的时间，计数器BZ设置计数次数为电机完成交替正反转的次数；

可选地，第一时间继电器KT1、第二时间继电器KT2设置的计时时间可以相等，也可以不相等。

步骤2：第一交流电源和第二交流电源接通后，此时，中间继电器KA的8脚和5脚处于接通状态，可控硅Q1被导通，电机的红线与黑线接通，电机开始正转。同时，第一时间继电器KT1的1脚和4脚处于闭合状态，第二交流电源L1通过第一时间继电器KT1的4脚到1脚给第二时间继电器KT2的7脚供电，此时，第二时间继电器KT2开始计时，即对电机的正转时间进行计时；

步骤3：第二时间继电器KT2根据设定的计时时间计时结束后，第二时间继电器KT2中的K3和K4换向，即第二时间继电器KT2的3脚和1脚接通，6脚和8脚接通。此时，第二交流电源L1通过第二时间继电器KT2的8脚到6脚给中间继电器KA的2脚供电，即给了中间继电器KA一个控制电压，这时，中间继电器KA的5脚和8脚断开，6脚和8脚接通，使可控硅Q2被导通，电机的蓝线与黑线接通，电机开始从正转转为反转。由于电机的换向，使得可控硅Q2受到了较大的电流冲击；与此同时，第二交流电源L1通过第二时间继电器KT2的3脚到1脚给第一时间继电器KT1的7脚供电，此时，第一时间继电器KT1开始计时，即对电机的反转时间进行计时；

步骤4：第一时间继电器KT1根据设定的计时时间计时结束后，第一时间继电器KT1的K1和K2换向，即第一时间继电器KT1的3脚和1脚接通，6脚和8脚接通。此时,第二时间继电器KT2被断电，由于第二时间继电器KT2被断电，第一时间继电器KT1随之被断电，这时，第一时间继电器KT1和第二时间继电器KT2断电后进行复位，即第一时间继电器KT1的1脚和4脚接通、5脚和8脚接通，第二时间继电器KT2的1脚和4脚接通、5脚和8脚接通。此时，回到步骤2，电机开始由反转变为正转，此时可控硅Q1受到了较大的电流冲击；与此同时，第一时间继电器KT1的6脚和8脚给计数器BZ的1脚和4脚提供一次短路信号，计数器BZ计数一次；

步骤5：重复上述步骤2-4，直到计数器BZ的计数次数达到步骤1中对计数器BZ设置的计数次数，此时，计数器BZ内的K5闭合，即5脚和8脚接通，第二交流电源L1通过计数器BZ的5脚到8脚给第二时间继电器KT2的7脚供电，并且保持稳定。这时候，第二时间继电器KT2不能被第一时间继电器KT1断电，同时第一时间继电器KT1不能被第二时间继电器KT2断电，电机则保持反转不变，电机停止换向；

步骤6：将第一交流电源和第二交流电源断电，把受到电流冲击的可控硅Q1和可控硅Q2从插孔上取下来，使用检测仪器对它们分别进行检测，记录可控硅的受到电流冲击后的可用程度的情况。

需要注意的是：第一交流电源和第二交流电源的火线端和零线端与电路的连接不受限制，即图5中的L1和N1可以调换位置，L2和N2可以调换位置，只要形成回路即可；

安装的可控硅可以是单向可控硅，也可以是双向可控硅，当可控硅是单向可控硅时，可控硅的第一主电极和第二主电极分别为阳极和阴极，或阴极和阳极，阳极连接至第一交流电源的火线，阴极连接至第一交流电源的零线；当可控硅是双向可控硅时，第一主电极和第二主电极不区分阳极和阴极；

两个可控硅可以是同一型号，也可以是不同型号，当通过电机交替正反转对可控硅进行电流冲击时，如果两个可控硅的型号一致，可以设置一组不同的冲击次数，记录在每个冲击次数下的两个可控硅的可用程度的情况，如果两个可控硅的型号不一致，可以设置一个较大的冲击次数，则先坏掉的可控硅的耐冲击性能不好；

电机可以根据实际情况更换不同型号的电机，例如电机可以为工作电压为110V的电机或工作电压为220V的电机，当电机的工作电压为110V时，第一交流电源的电压应该是110V，当电机的工作电压为220V时，第一交流电源的电压应该是220V；

电机的红线和蓝线和两个可控硅的连接不受限制，如果电机的红线与可控硅Q1连接，蓝线与可控硅Q2连接，则电机从正转开始，以反转结束，第二时间继电器KT2对电机的正转计时，第一时间继电器KT1对电机的反转计时；如果电机的红线与可控硅Q2连接，蓝线与可控硅Q1连接，则电机从反转开始，以正转结束，第二时间继电器KT2对电机的反转计时，第一时间继电器KT1对电机的正转计时；

图5中的第一时间继电器KT1、第二时间继电器KT2、中间继电器KA和计数器BZ均具有8个管脚，可以理解，根据实际情况，本领域技术人员还可以将第一时间继电器KT1、第二时间继电器KT2、中间继电器KA和计数器BZ替换成可以实现同样功能的不同型号的其他的时间继电器、中间继电器和计数器；

第一时间继电器KT1、第二时间继电器KT2和中间继电器KA均为对称结构，即左右两边的管脚的功能一致，本领域技术人员还可以将通过将时间继电器和中间继电器左右变换得到其他的连接方式。

本申请实施例提供的一种可控硅耐冲击性能测试电路，包括：开关控制电路以及可控硅安装构件；所述可控硅安装构件设置有控制电压输入端、电源连接端、电机连接端以及插孔；所述可控硅安装构件的插孔用于安装可控硅；所述可控硅安装构件的电源连接端用于连接第一交流电源；所述可控硅安装构件的电机连接端用于连接电机；所述可控硅安装构件的控制电压输入端与所述开关控制电路的信号输出端连接；所述开关控制电路用于控制电机进行周期性正转和反转。可控硅耐冲击性能测试电路中，通过开关控制电路控制电机进行周期性正转和反转，电机进行周期性正转和反转的时候，能够实现对安装在可控硅安装构件上的可控硅进行正反向冲击，对可控硅的耐冲击性能进行测试，解决了人工操作电机正反转对可控硅的耐冲击性能进行测试时，错误率高、效率低的问题。

本申请又一实施例还提供了一种可控硅耐冲击性能测试设备，参见图6所示，本申请实施例所提供的可控硅耐冲击性能测试设备包括：可控硅耐冲击性能测试电路1，还包括：封装外壳2；

封装外壳2设置在可控硅耐冲击性能测试电路1中的开关控制电路11的外部；

可控硅耐冲击性能测试电路1中的可控硅安装构件12设置在所述封装外壳2的外部，并穿过所述封装外壳2的侧壁和所述开关控制电路11连接。这种设置方式可以方便更换可控硅和电机。

参见图7所示，封装外壳2上还设有电源开关控制构件21，电源开关控制构件21用于控制第一交流电源和第二交流电源的开和关；并且，

第一时间继电器的计时设置面板22、第二时间继电器的计时设置面板23、计数器的计数设置面板24均设置在封装外壳2的上面，方便对第一时间继电器、第二时间继电器和计数器进行设定。

本申请实施例提供的一种可控硅耐冲击性能测试设备，其中，可控硅耐冲击性能测试电路，包括：开关控制电路以及可控硅安装构件；所述可控硅安装构件设置有控制电压输入端、电源连接端、电机连接端以及插孔；所述可控硅安装构件的插孔用于安装可控硅；所述可控硅安装构件的电源连接端用于连接第一交流电源；所述可控硅安装构件的电机连接端用于连接电机；所述可控硅安装构件的控制电压输入端与所述开关控制电路的信号输出端连接；所述开关控制电路用于控制电机进行周期性正转和反转。可控硅耐冲击性能测试电路中，通过开关控制电路控制电机进行周期性正转和反转，电机进行周期性正转和反转的时候，能够实现对安装在可控硅安装构件上的可控硅进行正反向冲击，对可控硅的耐冲击性能进行测试，解决了人工操作电机正反转对可控硅的耐冲击性能进行测试时，错误率高、效率低的问题。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的电路和设备的具体工作过程，可以参考前述实施例中的对应过程，在此不再赘述。在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的电路和设备，可以通过其它的方式实现。以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述电路或构件的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式。

最后应说明的是：以上所述实施例，仅为本申请的具体实施方式，用以说明本申请的技术方案，而非对其限制，本申请的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请实施例技术方案的精神和范围，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。