1.一种非隔离电源，其特征在于，包括：第一电源芯片、第二电源芯片、第一同步电阻R1、第一分压电阻R2和第二分压电阻R3；
第一电源芯片的同步输入SYNCI端口通过第一同步电阻R1与第二电源芯片的同步输出SYNCO端口连接，第二电源芯片的同步输入SYNCI端口与第一电源芯片的同步输出SYNCO端口连接；
第一电源芯片的使能EN端口与第二电源芯片的使能EN端口连接；
第一电源芯片的EAIN端口与第二电源芯片的EAIN端口连接后，通过第一分压电阻R2与第一电源芯片的电压输出VOUT端口连接，并且通过第二分压电阻R3接地。
2.根据权利要求1所述的非隔离电源，其特征在于，还包括第一匹配电感L1、第二匹配电感L2：
第一电源芯片的VS1端口通过第一匹配电感L1与第一电源芯片的VS2端口连接，第二电源芯片的VS1端口通过第二匹配电感L2与第二电源芯片的VS2端口连接。
3.根据权利要求1所述的非隔离电源，其特征在于，所述第一电源芯片的同步输入SYNCI端口与第一电源芯片的PGD端口连接，和/或所述第二电源芯片的同步输入SYNCI端口与第二电源芯片的PGD端口连接。
4.根据权利要求1所述的非隔离电源，其特征在于，还包括第一采样电阻R4、第一采样电容C1和微控制单元MCU：
第一电源芯片的电压输出VOUT端口通过第一采样电阻R4连接印制电路板PCB的电压输出端口，并且第一电源芯片的电压输出VOUT端口通过第一采样电阻R4连接第一电源芯片的ISN端口和第一分压电阻R2，第一电源芯片的IMON端口通过第一采样电容C1接地，第一电源芯片的IMON端口与微控制单元MCU的输入数模转换ADC端口连接。
5.根据权利要求4所述的非隔离电源，其特征在于，还包括第二采样电阻R5和第二采样电容C2：
第二电源芯片的电压输出VOUT端口通过第二采样电阻R5连接印制电路板PCB的电压输出端口，并且第二电源芯片的电压输出VOUT端口通过第二采样电阻R5连接第二电源芯片的ISN端口和第一分压电阻R2，第二电源芯片的IMON端口通过第二采样电容C2接地，第二电源芯片的IMON端口与微控制单元MCU的输入数模转换ADC端口连接。
6.根据权利要求1所述的非隔离电源，其特征在于，还包括金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET开关；
所述金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET开关包括金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、三极管、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、和第五电容C5：
金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的源端接电源电压，并且通过并联的第六电阻R6和第五电容C5与栅端连接，金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的漏端接电源电压，金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的栅端通过第七电阻R7与三极管的集电极连接，三极管的发射机接地并通过第八电阻R8与三极管的基极连接，三极管的基极通过第九电阻R9与第一电源芯片的使能EN端口和/或第二电源芯片的使能EN端口连接。
7.根据权利要求6所述的非隔离电源，其特征在于，还包括第一开关电容C3、第二开关电容C4；
第一电源芯片的TRK端口通过第一开关电容C3接地；第二电源芯片的TRK端口通过第二开关电容C4接地。
8.根据权利要求1-7任一项所述的非隔离电源，其特征在于，第一电源芯片和第二电源芯片的走线在印制电路板PCB上分多层布置，并在所述印制电路板PCB上间隔布置多个通孔使印制电路板PCB的每一层相互连接。
9.根据权利要求8所述的非隔离电源，其特征在于，在印制电路板PCB的每一层同时将第一电源芯片和第二电源芯片的走线宽度增加到预设宽度。
10.根据权利要求8所述的非隔离电源，其特征在于，所述第一电源芯片的电压输入走线、第二电源芯片的电压输入走线、第一电源芯片的电压输出走线和第二电源芯片的电压输出走线露铜，并在露铜表面设置焊锡。