一种H桥驱动电路的制作方法

本实用新型涉及电路设计技术领域，具体涉及一种H桥驱动电路。

背景技术：

H桥驱动电路是一种典型的直流电机控制电路，因为它的电路形状酷似字母H，故得名“H桥”。H桥式电机驱动电路包括4个三极管和一个电机。要使电机运转，必须导通对角线上的一对三极管。根据不同三极管对的导通情况，电流可能会从左至右或从右至左流过电机，从而控制电机的转向。

在实际应用中，H桥驱动电路通常以PWM(脉冲宽度调制)方式进行小功率直流驱动。因其结构简单、效率高、成本低等优点而被广泛采用。H桥驱动电路一般采用4只MOS管作为驱动芯片而构成H桥的4个桥臂，目前广泛使用的是H桥集成电路驱动方式，即使用H桥芯片直接驱动负载单元，这种方式使用简单，但成本高，灵活性低、运行频率不高。限制H桥驱动电路运行频率的主要原因是MOS管的门极和源极之间存在较大的结电容，既负载单元在两端的电压变化时，负载单元显现出电容效应，相当于产生充电和放电的效果。电容效应的容量一般在几百PF到数千PF之间不等，结电容的存在延缓了MOS管门极驱动电压的上升和下降时间，从而阻碍了H桥驱动电路输出频率的提高。

因此，目前需要本领域技术人员迫切解决的一个技术问题就是：避免H桥电路负载单元在电压变化时的电容效应，提高H桥驱动电路输出频率。

技术实现要素：

有鉴于此，为了解决现有技术中的上述问题，本实用新型提出一种H桥驱动电路。

本实用新型通过以下技术手段解决上述问题：

一种H桥驱动电路，包括芯片U12、电阻R44、电阻R49、电容C34、电容C35、电容C38和二极管D10；芯片U12的型号为IR2014；

芯片U12的脚1分别连接电源15V、电容C34的一端、二极管D10的正极，电容C34的另一端接地，二极管D10的负极分别连接电容C35的一端、芯片U12的脚8，电容C35的另一端连接芯片U12的脚6，芯片U12的脚2连接电阻R44的一端，电阻R44的另一端接地，芯片U12的脚3分别连接电阻R49的一端、电容C38的一端，电阻R49的另一端连接电源15V，电容C38的另一端接地，芯片U12的脚4接地；

还包括带阻尼二极管NPN三极管Q3、带阻尼二极管NPN三极管Q4、稳压二极管ZD3、稳压二极管ZD4、电阻R42、电阻R43、电阻R40、电阻R45、电阻R46、电阻R48、电容C36、电容C37和接头J6；

带阻尼二极管NPN三极管Q3的基极分别连接电阻R43的一端、稳压二极管ZD3的负极、电阻R42的一端，电阻R42的另一端连接芯片U12的脚7，芯片U12的脚6分别连接稳压二极管ZD3的正极、电阻R42的另一端、带阻尼二极管NPN三极管Q3的发射极、带阻尼二极管NPN三极管Q4的集电极、电容C36的一端、电阻R45的一端、接头J6，电容C36的另一端连接电阻R40的一端，电阻R40的另一端分别连接电源320V、带阻尼二极管NPN三极管Q3的集电极，带阻尼二极管NPN三极管Q4的基极分别连接电阻R48的一端、稳压二极管ZD4的负极、电阻R46的一端，电阻R46的另一端连接芯片U12的脚5，稳压二极管ZD4的正极分别连接电阻R48的另一端、带阻尼二极管NPN三极管Q3的发射极、电容C37的一端，电容C37的另一端连接电阻R45的另一端；

还包括带阻尼二极管NPN三极管Q6、带阻尼二极管NPN三极管Q7、稳压二极管ZD5、稳压二极管ZD6、电阻R51、电阻R52、电阻R53、电阻R54、电阻R56、电阻R57、电阻R58、电容C41、电容C42和接头J7；

带阻尼二极管NPN三极管Q6的基极分别连接电阻R54的一端、稳压二极管ZD5的负极、电阻R52的一端，稳压二极管ZD5的正极分别连接电阻R54的另一端、带阻尼二极管NPN三极管Q6的发射极、带阻尼二极管NPN三极管Q7的集电极、电容C41的一端、电阻R56的一端、接头J7，电容C41的另一端连接电阻R51的一端，电阻R51的另一端分别连接电源320V、带阻尼二极管NPN三极管Q6的集电极，带阻尼二极管NPN三极管Q7的基极分别连接电阻R58的一端、稳压二极管ZD6的负极、电阻R57的一端，稳压二极管ZD6的正极分别连接电阻R58的另一端、带阻尼二极管NPN三极管Q7的发射极、电容C42的一端、电阻R53的一端、稳压二极管ZD4的正极，电阻R53的另一端接地，电容C42的另一端连接电阻R56的另一端；

还包括芯片U13、电阻R55、电容C39、电容C40和二极管D12；芯片U13的型号为IR2014；

芯片U13的脚1分别连接电源15V、电容C39的一端、二极管D12的正极，电容C39的另一端接地，二极管D12的负极分别连接电容C40的一端、芯片U13的脚8，电容C40的另一端分别连接芯片U13的脚6、稳压二极管ZD5的正极，芯片U13的脚7连接电阻R52的另一端，芯片U13的脚5连接电阻R57的另一端，芯片U13的脚2连接电阻R55的一端，电阻R55的另一端接地，芯片U13的脚3连接电阻R49的一端，芯片U13的脚4接地。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果至少包括：

本实用新型降低了整个驱动桥电路的导通电阻，提高了整个H桥驱动电路的驱动性能，降低了电路设计的成本，同时提高了整个H桥驱动电路的安全性，延长了使用寿命，使其满足更多的应用场景。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型H桥驱动电路的电路原理图。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合附图和具体的实施例对本实用新型的技术方案进行详细说明。需要指出的是，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例

如图1所示，本实用新型提供一种H桥驱动电路，包括芯片U12、电阻R44、电阻R49、电容C34、电容C35、电容C38和二极管D10；芯片U12的型号为IR2014；

芯片U12的脚1分别连接电源15V、电容C34的一端、二极管D10的正极，电容C34的另一端接地，二极管D10的负极分别连接电容C35的一端、芯片U12的脚8，电容C35的另一端连接芯片U12的脚6，芯片U12的脚2连接电阻R44的一端，电阻R44的另一端接地，芯片U12的脚3分别连接电阻R49的一端、电容C38的一端，电阻R49的另一端连接电源15V，电容C38的另一端接地，芯片U12的脚4接地；

还包括带阻尼二极管NPN三极管Q3、带阻尼二极管NPN三极管Q4、稳压二极管ZD3、稳压二极管ZD4、电阻R42、电阻R43、电阻R40、电阻R45、电阻R46、电阻R48、电容C36、电容C37和接头J6；

带阻尼二极管NPN三极管Q3的基极分别连接电阻R43的一端、稳压二极管ZD3的负极、电阻R42的一端，电阻R42的另一端连接芯片U12的脚7，芯片U12的脚6分别连接稳压二极管ZD3的正极、电阻R42的另一端、带阻尼二极管NPN三极管Q3的发射极、带阻尼二极管NPN三极管Q4的集电极、电容C36的一端、电阻R45的一端、接头J6，电容C36的另一端连接电阻R40的一端，电阻R40的另一端分别连接电源320V、带阻尼二极管NPN三极管Q3的集电极，带阻尼二极管NPN三极管Q4的基极分别连接电阻R48的一端、稳压二极管ZD4的负极、电阻R46的一端，电阻R46的另一端连接芯片U12的脚5，稳压二极管ZD4的正极分别连接电阻R48的另一端、带阻尼二极管NPN三极管Q3的发射极、电容C37的一端，电容C37的另一端连接电阻R45的另一端；

还包括带阻尼二极管NPN三极管Q6、带阻尼二极管NPN三极管Q7、稳压二极管ZD5、稳压二极管ZD6、电阻R51、电阻R52、电阻R53、电阻R54、电阻R56、电阻R57、电阻R58、电容C41、电容C42和接头J7；

带阻尼二极管NPN三极管Q6的基极分别连接电阻R54的一端、稳压二极管ZD5的负极、电阻R52的一端，稳压二极管ZD5的正极分别连接电阻R54的另一端、带阻尼二极管NPN三极管Q6的发射极、带阻尼二极管NPN三极管Q7的集电极、电容C41的一端、电阻R56的一端、接头J7，电容C41的另一端连接电阻R51的一端，电阻R51的另一端分别连接电源320V、带阻尼二极管NPN三极管Q6的集电极，带阻尼二极管NPN三极管Q7的基极分别连接电阻R58的一端、稳压二极管ZD6的负极、电阻R57的一端，稳压二极管ZD6的正极分别连接电阻R58的另一端、带阻尼二极管NPN三极管Q7的发射极、电容C42的一端、电阻R53的一端、稳压二极管ZD4的正极，电阻R53的另一端接地，电容C42的另一端连接电阻R56的另一端；

还包括芯片U13、电阻R55、电容C39、电容C40和二极管D12；芯片U13的型号为IR2014；

芯片U13的脚1分别连接电源15V、电容C39的一端、二极管D12的正极，电容C39的另一端接地，二极管D12的负极分别连接电容C40的一端、芯片U13的脚8，电容C40的另一端分别连接芯片U13的脚6、稳压二极管ZD5的正极，芯片U13的脚7连接电阻R52的另一端，芯片U13的脚5连接电阻R57的另一端，芯片U13的脚2连接电阻R55的一端，电阻R55的另一端接地，芯片U13的脚3连接电阻R49的一端，芯片U13的脚4接地。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果至少包括：

本实用新型降低了整个驱动桥电路的导通电阻，提高了整个H桥驱动电路的驱动性能，降低了电路设计的成本，同时提高了整个H桥驱动电路的安全性，延长了使用寿命，使其满足更多的应用场景。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。