技术特征：
1.一种高功率模块，其特征在于，包含：一基板，包含一第一金属区、一第二金属区及设置在该第一金属区及该第二金属区之间的一第三金属区；以及多个第一功率芯片，设置于该第三金属区，并通过多个第一连接件连接至该第一金属区；多个第二功率芯片，设置于该第二金属区，并通过多个第二连接件连接至该第三金属区；一正电极片，呈c形环状，并连接于该第一金属区；以及一负电极片，呈c形环状，并连接于该第二金属区，且该负电极片的开口朝向与该正电极片的开口朝向相反；以及一输出端电极片，连接于该第三金属区的一端。2.根据权利要求1所述的高功率模块，其特征在于，更包含一第四金属区及一第五金属区，该第四金属区设置于该第一金属区及该第三金属区之间，并连接于该些第一功率芯片的栅极，该第五金属区设置于该第二金属区及该第三金属区之间，并连接于该些第二功率芯片的栅极，该第四金属区及该第五金属区连接至一外部栅极驱动电路。3.根据权利要求1所述的高功率模块，其特征在于，更包含一栅极驱动电路、一第四金属区及一第五金属区，该第四金属区设置于该第一金属区及该第三金属区之间，并连接于该些第一功率芯片的栅极，该第五金属区设置于该第二金属区及该第三金属区之间，并连接于该些第二功率芯片的栅极，该栅极驱动电路设置于该第一金属区、该第二金属区、该第三金属区、该第四金属区及该第五金属区上，并连接于该第四金属区及该第五金属区。4.根据权利要求3所述的高功率模块，其特征在于，该第一金属区包含一第一凹槽，该第二金属区包含一第二凹槽，该第三金属区包含一第三凹槽，该第四金属区包含一第四凹槽，而该第五金属区包含一第五凹槽，该栅极驱动电路设置于由该第一凹槽、该第二凹槽、该第三凹槽、该第四凹槽及该第五凹槽连接所形成的空间内。5.根据权利要求1所述的高功率模块，其特征在于，该基板包含一凹槽，而一栅极驱动电路设置于该凹槽内，使该栅极驱动电路被该基板及该第一金属区、该第二金属区及该第三金属区包覆。6.根据权利要求1所述的高功率模块，其特征在于，该些第一功率芯片呈直线排列以形成阵列，且以并联的方式连接，该些第二功率芯片呈直线排列以形成另一阵列，且以并联的方式连接。7.根据权利要求1所述的高功率模块，其特征在于，该些第一功率芯片对称于该些第二功率芯片；该正电极片对称于该负电极片。8.根据权利要求1所述的高功率模块，其特征在于，该输出端电极片呈平板状，并与该第三金属区平行且位于同一平面。9.根据权利要求1所述的高功率模块，其特征在于，该输出端电极片的宽度大于1个该第一功率芯片的宽度，且小于2个该第一功率芯片的宽度。10.根据权利要求1所述的高功率模块，其特征在于，该正电极片与该负电极片平行且该正电极片与该负电极片之间具有一距离。11.根据权利要求1所述的高功率模块，其特征在于，该正电极片的宽度大于该些第一
功率芯片的宽度及该正电极片的一中央凹槽的宽度及该些第一功率芯片之间的间距的总和宽度，且小于该第一金属区的宽度。12.根据权利要求1所述的高功率模块，其特征在于，该正电极片包含一正极端子、一连接部及多个正极接脚，该正极端子与该连接部连接的一端的宽度与该正电极片的宽度相等，该正极端子的另一端的宽度小于该正极端子的该宽度，该另一端的宽度大于或等于该宽度减上2个该第一功率芯片的宽度。13.根据权利要求1所述的高功率模块，其特征在于，该正电极片包含一正极端子、一连接部及多个正极接脚，该些正极接脚的位置分别对应于该些第一功率芯片，通过该连接部，该正极端子与该些正极接脚连接，使该正电极片呈c形环状，该正极端子与该些正极接脚分别位于两平面且在空间中平行。14.根据权利要求13所述的高功率模块，其特征在于，各个该正极接脚的宽度大于或等于该第一功率芯片的宽度，且小于各该第一功率芯片的宽度与二相邻的该些第一功率芯片之间距的总和。15.根据权利要求13所述的高功率模块，其特征在于，该些正极接脚分为一第一群组及一第二群组，该第一群组及该第二群组分别设置于该正电极片的中心轴的二侧，且该第一群组的该些正极接脚的有效通道宽度及该第二群组的该些正极接脚的有效通道宽度朝远离该正电极片的中心轴的方向递增。16.根据权利要求13所述的高功率模块，其特征在于，该些正极接脚分为一第一群组及一第二群组，该第一群组及该第二群组分别设置于该正电极片的中心轴的二侧，且该第一群组的该些正极接脚的有效通道宽度及该第二群组的该些正极接脚的有效通道宽度朝远离该正电极片的中心轴的方向呈一等差级数递增。17.根据权利要求16所述的高功率模块，其特征在于，该等差级数递增的公差为最远离该正电极片的中心轴的该正极接脚的有效通道宽度除以该第一群组的该些正极接脚及一栅极驱动电路的数量总和或该第二群组的该些正极接脚及该栅极驱动电路的数量总和。18.根据权利要求13所述的高功率模块，其特征在于，该些正极接脚分为一第一群组及一第二群组，该第一群组及该第二群组分别设置于该正电极片的中心轴的二侧，且各个该正极接脚包含一孔洞，且该第一群组的该些正极接脚的该些孔洞的面积及该第二群组的该些正极接脚的该些孔洞的面积朝远离该正电极片的中心轴的方向递减。19.根据权利要求18所述的高功率模块，其特征在于，该第一群组的该些正极接脚的宽度及该第二群组的该些正极接脚的宽度分别扣除对应的该些孔洞的直径后，该些正极接脚的有效通道宽度朝远离该正电极片的中心轴的方向呈一等差级数递增。20.根据权利要求19所述的高功率模块，其特征在于，该等差级数的公差为最远离该正电极片的中心轴的该正极接脚的有效通道宽度除以该第一群组的该些正极接脚及一栅极驱动电路的数量总和或该第二群组的该些正极接脚及该栅极驱动电路的数量总和。21.根据权利要求1所述的高功率模块，其特征在于，该负电极片的宽度大于该些第二功率芯片的宽度、该负电极片的一中央凹槽的宽度及该些第二功率芯片之间的间距的总和宽度，且小于该第二金属区的宽度。22.根据权利要求1所述的高功率模块，其特征在于，该负电极片包含一负极端子、一连接部及多个负极接脚，该负极端子与该连接部连接的一端的宽度与该负电极片的宽度相
等，该负极端子的另一端的宽度小于该负极端子的该宽度，该另一端的宽度大于或等于该宽度减上2个该第二功率芯片的宽度。23.根据权利要求1所述的高功率模块，其特征在于，该负电极片包含一负极端子、一连接部及多个负极接脚，该些负极接脚的位置分别对应于该些第二功率芯片，该负极端子通过该连接部与该些负极接脚连接，使该负电极片呈c形环状，该负极端子与该些负极接脚分别位于两平面且在空间中平行。24.根据权利要求23所述的高功率模块，其特征在于，各个该负极接脚的宽度大于或等于该第二功率芯片的宽度，且小于各该第二功率芯片的宽度与二相邻的该些第二功率芯片之间距的总和。25.根据权利要求23所述的高功率模块，其特征在于，该些负极接脚分为一第三群组及一第四群组，该第三群组及该第四群组分别设置于该负电极片的中心轴的二侧，且该第三群组的该些负极接脚的有效通道宽度及该第四群组的该些负极接脚的有效通道宽度朝远离该负电极片的中心轴的方向递增。26.根据权利要求23所述的高功率模块，其特征在于，该些负极接脚分为一第三群组及一第四群组，该第三群组及该第四群组分别设置于该负电极片的中心轴的二侧，且该第三群组的该些负极接脚的有效通道宽度及该第四群组的该些负极接脚的有效通道宽度朝远离该负电极片的中心轴的方向呈一等差级数递增。27.根据权利要求26所述的高功率模块，其特征在于，该等差级数递增的公差为最远离该负电极片的中心轴的该负极接脚的有效通道宽度除以该些第三群组的该些负极接脚及一栅极驱动电路的数量总和或该第四群组的该些负极接脚及该栅极驱动电路的数量总和。28.根据权利要求23所述的高功率模块，其特征在于，该些负极接脚分为一第三群组及一第四群组，该第三群组及该第四群组分别设置于该负电极片的中心轴的二侧，且各个该负极接脚包含一孔洞，且该第三群组的该些负极接脚的该些孔洞的面积及该第四群组的该些负极接脚的该些孔洞的面积朝远离该负电极片的中心轴的方向递减。29.根据权利要求28所述的高功率模块，其特征在于，该第三群组的该些负极接脚的宽度及该第四群组的该些负极接脚的宽度分别扣除对应的该些孔洞的直径后，该些负极接脚的有效通道宽度朝远离该负电极片的中心轴的方向呈一等差级数递增。30.根据权利要求29所述的高功率模块，其特征在于，该等差级数的公差为最远离该负电极片的中心轴的该负极接脚的有效通道宽度除以该些第三群组的该些负极接脚及一栅极驱动电路的数量总和或该第四群组的该些负极接脚及该栅极驱动电路的数量总和。