应用于IGCT门极驱动的供电电路的制作方法

本公开涉及电子电力控制领域，具体涉及一种应用于igct门极驱动的供电电路。

背景技术：

集成门极换流晶闸管(integratedgatecommutatedthyristors，igct)是一种应用于中压变频器开发的巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体开关器件。igct包括门极换流晶闸管(gatecommutatedthyristors，gct)和门极驱动单元，具体是将可关断晶闸管(gateturn-offthyristor，gto)与反并联二极管，以及门极驱动电路集成在一起，再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接。igct具有gto高阻断能力和低通态压降，以及和igbt相同的开关性能，是一种较理想的兆瓦级、中压开关器件，广泛应用于大功率中压变流器。

igct作为全控型大功率半导体器件，与igbt器件一样，可以应用在电网领域替代晶闸管，高压直流输电的换流阀中同一个桥臂需要若干器件串联，不同器件之间通过均压元件实现静态均压及动态均压，因此其门极驱动单元的供电之间必须高压隔离。现有igct器件多级串联应用时，门极驱动的供电方式主要为地面变压器高压隔离供电，第一种实现方式是变压器高压隔离后通过ac/dc转换供给每只igct，第二种实现方式是ac/dc高压隔离转换供给每只igct，第二种实现方式是地面电流源高位ct感应线圈及转换电路供电，这三种供电方式需要从地面供电至igct器件端，对于电网多串联的应用不适合。

技术实现要素：

针对上述问题，本公开提供了一种应用于igct门极驱动的供电电路。

本公开提供一种应用于igct门极驱动的供电电路，包括：

高电位取能单元，其第一输入端连接gct器件的阳极，其第二输入端连接所述gct器件的阴极，用于根据所述gct器件的阳极与阴极的电压输出第一电压；

dc/dc转换单元，其输入端连接所述高电位取能单元的输出端，用于将所述高电位取能单元提供的所述第一电压转换为第二电压，并输出所述第二电压；

门极驱动单元，其输入端连接所述dc/dc转换单元的输出端，用于根据所述dc/dc转换单元提供的所述第二电压输出所述gct器件需要的门极控制电流，以实现igct门极驱动的自供电。

根据本公开的实施例，优选地，所述高电位取能单元包括电阻、第一电容、第一二极管、第二二极管、第二电容和晶闸管；

其中，所述电阻的第一端为所述高电位取能单元的第一输入端，所述电阻的第二端连接所述第一电容的第一端，所述第一电容的第二端连接所述第一二极管的阴极，所述第一二极管的阳极为所述高电位取能单元的第二输入端，所述第二二极管的阳极连接所述第一电容的第二端，所述第二二极管的阴极连接所述第二电容的第一端，所述第二电容的第二端连接所述第一二极管的阳极，所述晶闸管的阳极连接所述第二二极管的阳极，所述晶闸管的阴极连接所述第一二极管的阳极，所述晶闸管的控制极连接外部控制电路；

所述第二电容的第一端为所述高电位取能单元的第一输出端，所述第二电容的第二端为所述高电位取能单元的第二输出端。

根据本公开的实施例，优选地，

所述gct器件的阴极接地；

当所述gct器件的阳极电压为正电压时，所述第一电容和所述第二电容充电，当所述第二电容的电压达到所述第一电压时，通过外部控制电路将所述晶闸管导通，所述第二电容停止充电，所述第一电容继续充电；

当所述gct器件的阳极电压为负电压时，所述晶闸管自动关断，所述第二电容放电，所述高电位取能单元输出所述第一电压。

根据本公开的实施例，优选地，所述dc/dc转换单元包括第一晶体管、第二晶体管、第一电感和第三电容；

其中，所述第一晶体管的漏极为所述dc/dc转换单元的第一输入端并连接所述高电位取能单元的第一输出端，所述第一晶体管的源极连接所述第二晶体管的漏极，所述第二晶体管的源极接地，所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极均连接外部控制电路，所述第一电感的第一端连接所述第一晶体管的源极，所述第一电感的第二端为所述dc/dc转换单元的第二输入端并连接所述高电位取能单元的第二输出端，所述第三电容的第一端连接所述第二晶体管的源极，所述第三电容的第二端连接所述第一电感的第二端；

所述第三电容的第一端为所述dc/dc转换单元的第一输出端，所述第三电容的第二端为所述dc/dc转换单元的第二输出端。

根据本公开的实施例，优选地，所述高电位取能单元包括电阻、第一电容、第一二极管、第二二极管、第二电容、第三电容和晶闸管；

其中，所述电阻的第一端为所述高电位取能单元的第一输入端，所述电阻的第二端连接所述第一电容的第一端，所述第一电容的第二端连接所述第一二极管的阴极，所述第一二极管的阳极为所述高电位取能单元的第二输入端，所述第二二极管的阳极连接所述第一电容的第二端，所述第二二极管的阴极连接所述第二电容的第一端，所述第二电容的第二端连接所述第三电容的第一端，所述第三电容的第二端连接所述第一二极管的阳极，所述晶闸管的阳极连接所述第二二极管的阳极，所述晶闸管的阴极连接所述第一二极管的阳极，所述晶闸管的控制极连接外部控制电路；

所述第二电容的第一端为所述高电位取能单元的第一输出端，所述第三电容的第二端为所述高电位取能单元的第二输出端。

根据本公开的实施例，优选地，

所述gct器件的阴极接地；

当所述gct器件的阳极电压为正电压时，所述第一电容、所述第二电容和所述第三电容充电，当所述第二电容和所述第三电容的串联电压达到所述第一电压时，通过外部控制电路将所述晶闸管导通，所述第二电容和所述第三电容停止充电，所述第一电容继续充电；

当所述gct器件的阳极电压为负电压时，所述晶闸管自动关断，所述第二电容和所述第三电容放电，所述高电位取能单元输出所述第一电压。

根据本公开的实施例，优选地，所述dc/dc转换单元包括第一晶体管、第二晶体管、变压器、第三二极管、第四二极管、第一电感和第四电容；

其中，所述第一晶体管的漏极为所述dc/dc转换单元的第一输入端并连接所述高电位取能单元的第一输出端，所述第一晶体管的源极连接所述第二晶体管的漏极，所述第二晶体管的源极为所述dc/dc转换单元的第二输入端并连接所述高电位取能单元的第二输出端，所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极均连接外部控制电路，所述变压器的原边绕组的第一端连接所述第二电容的第二端，所述变压器的原边绕组的第二端连接所述第二晶体管的漏极，所述变压器的副边绕组的第一端连接所述第三二极管的阳极，所述变压器的副边绕组的第二端接地，所述变压器的副边绕组的第三端连接所述第四二极管的阳极，所述第三二极管的阴极连接所述第一电感的第一端，所述第四二极管的阴极连接所述第三二极管的阴极，所述第一电感的第二端连接所述第四电容的第一端，所述第四电容的第二端连接所述变压器的副边绕组的第二端；

所述第四电容的第一端为所述dc/dc转换单元的第一输出端，所述第四电容的第二端为所述dc/dc转换单元的第二输出端。

根据本公开的实施例，优选地，所述第一晶体管和所述第二晶体管交替导通，以将所述高电位取能单元提供的所述第一电压转换为第二电压，并输出所述第二电压。

根据本公开的实施例，优选地，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为n型mosfet。

根据本公开的实施例，优选地，所述门极驱动单元包括第三晶体管、第二电感、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和控制电压转换单元，所述控制电压转换单元用于调整所述第二电压的大小，以调控所述gct器件导通所需的门极控制电流的大小；

其中，所述第三晶体管的源极为所述门极驱动单元的第一输入端并连接所述dc/dc转换单元的第一输出端，所述第三晶体管的漏极连接所述第二电感的第一端，所述第二电感的第二端连接所述第四晶体管的源极，所述第四晶体管的漏极为所述门极驱动单元的第二输入端并连接所述dc/dc转换单元的第二输出端，所述第五晶体管的源极连接所述第三晶体管的漏极，所述第五晶体管的漏极连接所述第六晶体管的漏极，所述第六晶体管的源极连接所述第三晶体管的源极，所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管的栅极均连接外部控制电路，所述控制电压转换单元的第一端连接所述第六晶体管的源极，所述控制电压转换单元的第二端连接所述第四晶体管的漏极；

所述第五晶体管的漏极为所述门极驱动单元的输出端。

根据本公开的实施例，优选地，

当所述第四晶体管导通，并配合所述第三晶体管与所述第五晶体管的交替导通，所述门极驱动单元输出所述gct器件导通所需的门极控制电流，以使所述gct器件处于导通状态；

当第六晶体管导通时，所述gct器件的门极接地，以使所述gct器件处于截止状态。

根据本公开的实施例，优选地，所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管均为n型mosfet。

采用上述技术方案，至少能够达到如下技术效果：

本公开提供一种应用于igct门极驱动的供电电路，包括高电位取能单元、dc/dc转换单元和门极驱动单元，该供电电路通过所述高电位取能单元获取gct的阳极与阴极之间的电压并输出第一电压，再经过dc/dc转换单元，将所述第一电压转换为第二电压并提供给所述门极驱动单元，以输出所述gct器件需要的门极控制电流，以实现igct门极驱动的自供电。该供电电路结构简单，无需额外隔离措施，无需地面供电，无须二次稳压，效率更高。

附图说明

附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：

图1是本公开一示例性实施例示出的一种应用于igct门极驱动的供电电路的连接框架图；

图2是本公开一示例性实施例示出的一种应用于igct门极驱动的供电电路的电路图；

图3是本公开一示例性实施例示出的另一种应用于igct门极驱动的供电电路的电路图。

具体实施方式

以下将结合附图及实施例来详细说明本公开的实施方式，借此对本公开如何应用技术手段来解决技术问题，并达到相应技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。本公开实施例以及实施例中的各个特征，在不相冲突前提下可以相互结合，所形成的技术方案均在本公开的保护范围之内。

应理解，尽管可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本公开教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本公开的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

为了彻底理解本公开，将在下列的描述中提出详细的结构，以便阐释本公开提出的技术方案。本公开的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本公开还可以具有其他实施方式。

实施例一

图1是本公开一示例性实施例示出的一种应用于igct门极驱动的供电电路100的连接框架图。如图1所示，本公开实施例提供一种应用于igct门极驱动的供电电路100，包括高电位取能单元101、dc/dc转换单元102和门极驱动单元103。

高电位取能单元101，其第一输入端连接gct器件的阳极，其第二输入端连接gct器件的阴极，用于根据gct器件的阳极a与阴极k的电压输出第一电压u1。

dc/dc转换单元102，其输入端连接高电位取能单元101的输出端，用于将高电位取能单元101提供的第一电压u1转换为第二电压u2，并输出第二电压u2。

门极驱动单元103，其输入端连接dc/dc转换单元102的输出端，用于根据dc/dc转换单元102提供的第二电压u2输出gct器件需要的门极控制电流，以实现igct门极驱动的自供电。

需要说明的是，本公开主要是针对电网中igct器件多级串联应用，提供一种igct自供电方式，解决igct门极驱动单元的供电问题。

图2是本公开一示例性实施例示出的一种应用于igct门极驱动的供电电路100的电路图。

具体地，如图2所示，高电位取能单元101包括电阻r1、第一电容c1、第一二极管d1、第二二极管d2、第二电容c2和晶闸管scr。其中，电阻r1的第一端为高电位取能单元101的第一输入端并连接gct器件的阳极a，电阻r1的第二端连接第一电容c1的第一端，第一电容c1的第二端连接第一二极管d1的阴极，第一二极管d1的阳极为高电位取能单元101的第二输入端并连接gct器件的阴极k，第二二极管d2的阳极连接第一电容c1的第二端，第二二极管d2的阴极连接第二电容c2的第一端，第二电容c2的第二端连接第一二极管d1的阳极，晶闸管scr的阳极连接第二二极管d2的阳极，晶闸管scr的阴极连接第一二极管d1的阳极，晶闸管scr的控制极连接外部控制电路。第二电容c2的第一端为高电位取能单元101的第一输出端，第二电容c2的第二端为高电位取能单元101的第二输出端。

本实施例中，高电位取能单元101的工作原理如下：gct器件的阳极a与阴极k之间为交流电压信号，阴极k接地。当阳极a输入正电压时，通过电阻r1向第一电容c1和第二电容c2充电(第二电容c2的电压方向为第一端为正，第二端接地)，当第二电容c2的电压达到第一电压u1时，通过外部控制电路将晶闸管scr导通，第二电容c2停止充电，第一电容c1继续充电；

当阳极a输入负电压时，晶闸管scr自动关断，形成电阻r1、第一电容c1与gct器件的阳极a和阴极k并联的结构，第二电容c2向dc/dc转换单元102放电，高电位取能单元101输出第一电压u1。第一电压u1为预设值，可以根据需要进行设定。

dc/dc转换单元102包括第一晶体管v1、第二晶体管v2、第一电感l1和第三电容c3。其中，第一晶体管v1的漏极为dc/dc转换单元102的第一输入端并连接高电位取能单元101的第一输出端(即连接第二电容c2的第一端)，第一晶体管v1的源极连接第二晶体管v2的漏极，第二晶体管v2的源极接地gnd，第一晶体管v1和第二晶体管v2的栅极均连接外部控制电路，第一电感l1的第一端连接第一晶体管v1的源极，第一电感l1的第二端为dc/dc转换单元102的第二输入端并连接高电位取能单元101的第二输出端(即连接第二电容c2的第二端)，第三电容c3的第一端连接第二晶体管v2的源极即接地gnd，第三电容c3的第二端连接第一电感l1的第二端。第三电容c3的第一端为dc/dc转换单元102的第一输出端，第三电容c3的第二端为dc/dc转换单元102的第二输出端。

本实施例中，第一晶体管v1和第二晶体管v2均为n型mosfet。dc/dc转换单元102为高频非隔离dc/dc转换单元，同时起电气隔离的作用。

本实施例中，dc/dc转换单元102的工作原理如下：第一晶体管v1和第二晶体管v2交替导通。第一阶段：第一晶体管v1导通，第二晶体管v2截止，第一电压u1向第一电感l1充电；第二阶段：第一晶体管v1截止，第二晶体管v2导通，第一电感l1续流，产生的电流方向从第一电感l1的第一端流向第二端，该电流向第三电容c3充电，第三电容c3的电压方向为第一端接地gnd，第二端为正。第三阶段：当第二晶体管v2再次截止时，第三电容c3放电，dc/dc转换单元102输出第二电压u2。

门极驱动单元103包括第三晶体管v3、第二电感l2、第四晶体管v4、第五晶体管v5、第六晶体管voff和控制电压转换单元，控制电压转换单元用于调整第二电压u2的大小，以调控gct器件导通所需的门极控制电流的大小。其中，第三晶体管v3的源极为门极驱动单元103的第一输入端并连接dc/dc转换单元102的第一输出端(即连接第三电容c3的第一端，即接地gnd)，第三晶体管v3的漏极连接第二电感l2的第一端，第二电感l2的第二端连接第四晶体管v4的源极，第四晶体管v4的漏极为门极驱动单元103的第二输入端并连接dc/dc转换单元102的第二输出端(即连接第三电容c3的第二端)，第五晶体管v5的源极连接第三晶体管v3的漏极，第五晶体管v5的漏极连接第六晶体管voff的漏极，第六晶体管voff的源极连接第三晶体管v3的源极即接地gnd，第三晶体管v3、第四晶体管v4、第五晶体管v5和第六晶体管voff的栅极均连接外部控制电路，控制电压转换单元的第一端连接第六晶体管voff的源极，控制电压转换单元的第二端连接第四晶体管v4的漏极。第五晶体管v5的漏极为门极驱动单元103的输出端，用于输出门极控制电流。

本实施例中，第三晶体管v3、第四晶体管v4、第五晶体管v5和第六晶体管voff均为n型mosfet。

门极驱动单元103的工作原理如下：当第四晶体管v4导通，并配合第三晶体管v3与第五晶体管v5的交替导通，门极驱动单元103输出gct器件导通所需的门极控制电流(gct器件为电流控制器件)，以使gct器件处于导通状态。具体的，第一阶段：第三晶体管v3和第四晶体管v4导通，第五晶体管v5截止，第二电压u2向第二电感l2充电；第二阶段：第四晶体管v4和第五晶体管v5导通，第三晶体管v3截止，第二电感l2续流，产生的电流方向从第二电感l2的第二端流向第一端，该电流通过第五晶体管v5，流向gct器件的门极g，即第五晶体管v5的漏极输出门极驱动电流。而控制电压转换单元可以调控该门极驱动电流的大小，以导通gct器件。当第六晶体管voff导通时，gct器件的门极接地gnd，gct器件处于截止状态。

本公开实施例提供一种应用于igct门极驱动的供电电路100，包括高电位取能单元101、dc/dc转换单元102和门极驱动单元103，该供电电路100通过高电位取能单元101获取gct器件的阳极a与阴极k之间的电压并输出第一电压u1，再经过dc/dc转换单元102，将第一电压u1转换为第二电压u2并提供给门极驱动单元103，以输出gct器件需要的门极控制电流，以实现igct门极驱动的自供电。该供电电路结构简单，无需额外隔离措施，无需地面供电，无须二次稳压，效率更高。

实施例二

本公开实施例提供另一种应用于igct门极驱动的供电电路200，包括高电位取能单元201、dc/dc转换单元202和门极驱动单元203。其连接框架图与实施例一相同，这里不再赘述。

高电位取能单元201，其第一输入端连接gct器件的阳极，其第二输入端连接gct器件的阴极，用于根据gct器件的阳极a与阴极k的电压输出第一电压u1。

dc/dc转换单元202，其输入端连接高电位取能单元201的输出端，用于将高电位取能单元201提供的第一电压u1转换为第二电压u2，并输出第二电压u2。

门极驱动单元203，其输入端连接dc/dc转换单元202的输出端，用于根据dc/dc转换单元202提供的第二电压u2输出gct器件需要的门极控制电流，以实现igct门极驱动的自供电。

需要说明的是，本公开主要是针对电网中igct器件多级串联应用，提供一种igct自供电方式，解决igct门极驱动单元的供电问题。

图3是本公开一示例性实施例示出的另一种应用于igct门极驱动的供电电路200的电路图。

具体地，如图3所示，高电位取能单元201包括电阻r1、第一电容c1、第一二极管d1、第二二极管d2、第二电容c2、第三电容c3和晶闸管scr。其中，电阻r1的第一端为高电位取能单元201的第一输入端并连接gct器件的阳极a，电阻r1的第二端连接第一电容c1的第一端，第一电容c1的第二端连接第一二极管d1的阴极，第一二极管d1的阳极为高电位取能单元201的第二输入端并连接gct器件的阴极k，第二二极管d2的阳极连接第一电容c1的第二端，第二二极管d2的阴极连接第二电容c2的第一端，第二电容c2的第二端连接第三电容c3的第一端，第三电容c3的第二端连接第一二极管d1的阳极，晶闸管scr的阳极连接第二二极管d2的阳极，晶闸管scr的阴极连接第一二极管d1的阳极，晶闸管scr的控制极连接外部控制电路。第二电容c2的第一端为高电位取能单元201的第一输出端，第三电容c3的第二端为高电位取能单元201的第二输出端。

本实施例中，高电位取能单元201的工作原理如下：gct器件的阳极a与阴极k之间为交流电压信号，阴极k接地。当阳极a输入正电压时，通过电阻r1向第一电容c1、第二电容c2和第三电容c3充电(第二电容c2和第三电容c3的串联电压方向为第二电容c2第一端为正，第三电容c3第二端接地)，当第二电容c2和第三电容c3的串联电压达到第一电压u1时，通过外部控制电路将晶闸管scr导通，第二电容c2和第三电容c3停止充电，第一电容c1继续充电；当阳极a输入负电压时，晶闸管scr自动关断，形成电阻r1和第一电容c1与gct器件的阳极a和阴极k并联的结构，第二电容c2和第三电容c3向dc/dc转换单元202放电，高电位取能单元201输出第一电压u1。第一电压u1为预设值，可以根据需要进行设定。

dc/dc转换单元202包括第一晶体管v1、第二晶体管v2、变压器t1、第三二极管d3、第四二极管d4、第一电感l1和第四电容c4。其中，第一晶体管v1的漏极为dc/dc转换单元的第一输入端并连接高电位取能单元201的第一输出端即连接第二电容c2的第一端，第一晶体管v1的源极连接第二晶体管v2的漏极，第二晶体管v2的源极为dc/dc转换单元的第二输入端并连接高电位取能单元201的第二输出端即连接第三电容c3的第二端，第一晶体管v1和第二晶体管v2的栅极均连接外部控制电路，变压器t1的原边绕组的第一端连接第二电容c2的第二端，变压器t1的原边绕组的第二端连接第二晶体管v2的漏极，变压器t1的副边绕组的第一端连接第三二极管d3的阳极，变压器t1的副边绕组的第二端接地gnd，变压器t1的副边绕组的第三端连接第四二极管d4的阳极，第三二极管d3的阴极连接第一电感l1的第一端，第四二极管d4的阴极连接第三二极管d3的阴极，第一电感l1的第二端连接第四电容c4的第一端，第四电容c4的第二端连接变压器t1的副边绕组的第二端。第四电容c4的第一端为dc/dc转换单元202的第一输出端，第四电容c4的第二端为dc/dc转换单元202的第二输出端。

本实施例中，第一晶体管v1和第二晶体管v2均为n型mosfet。dc/dc转换单元202为半桥型隔离dc/dc转换单元。

本实施例中，dc/dc转换单元202的工作原理如下：第一晶体管v1和第二晶体管v2交替导通。导通的时间相同，但不能同时导通。第四电容c4两端的电压即第二电压u2与第一电压u1、变压器原边绕组和副边绕组的匝数有关。

需要说明的是，本实施例中，第四电容c4第一端电压为正，第二端电压接地，所以dc/dc转换单元202与门极驱动单元203之间还通过电位转换单元(图中未示出)连接，电位转换单元用于将第二电压u2进行电位转换，以驱动门极驱动单元203。

本实施例中，门极驱动单元203的具体电路(图中未示出)与实施例一中门极驱动单元103的电路相同。同样的，门极驱动单元203包括第三晶体管v3、第二电感l2、第四晶体管v4、第五晶体管v5、第六晶体管voff和控制电压转换单元，控制电压转换单元用于调整第二电压u2的大小，以调控gct器件导通所需的门极控制电流的大小。其中，第三晶体管v3的源极为门极驱动单元203的第一输入端并连接dc/dc转换单元202的第一输出端，第三晶体管v3的漏极连接第二电感l2的第一端，第二电感l2的第二端连接第四晶体管v4的源极，第四晶体管v4的漏极为门极驱动单元203的第二输入端并连接dc/dc转换单元202的第二输出端，第五晶体管v5的源极连接第三晶体管v3的漏极，第五晶体管v5的漏极连接第六晶体管voff的漏极，第六晶体管voff的源极连接第三晶体管v3的源极，第三晶体管v3、第四晶体管v4、第五晶体管v5和第六晶体管voff的栅极均连接外部控制电路，控制电压转换单元的第一端连接第六晶体管voff的源极，控制电压转换单元的第二端连接第四晶体管v4的漏极。第五晶体管v5的漏极为门极驱动单元203的输出端。

本实施例中，第三晶体管v3、第四晶体管v4、第五晶体管v5和第六晶体管voff均为n型mosfet。

本实施例中，门极驱动单元203的工作原理与实施例一门极驱动单元103的工作原理相同，此处不再赘述。

本公开实施例提供一种应用于igct门极驱动的供电电路200，包括高电位取能单元201、dc/dc转换单元202和门极驱动单元203，该供电电路200通过高电位取能单元201获取gct器件的阳极a与阴极k之间的电压并输出第一电压u1，再经过dc/dc转换单元202，将第一电压u1转换为第二电压u2并供给门极驱动单元203，以输出gct器件需要的门极控制电流，以实现igct门极驱动的自供电。该供电电路结构简单，无需额外隔离措施，无需地面供电，无须二次稳压，效率更高。

以上仅为本公开的优选实施例而已，并不用于限制本公开，对于本领域的技术人员来说，本公开可以有各种更改和变化。凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。虽然本公开所公开的实施方式如上，但的内容只是为了便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属技术领域内的技术人员，在不脱离本公开所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本公开的保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。