一种同步整流MOSFET驱动控制电路的制作方法

本实用新型涉及驱动控制电路，尤其涉及一种同步整流mosfet驱动控制电路。

背景技术：

现有mosfet驱动控制电路驱动mosfet的导通与关断速度较慢。

技术实现要素：

为了解决现有技术中的问题，本实用新型提供了一种同步整流mosfet驱动控制电路。

本实用新型提供了一种同步整流mosfet驱动控制电路，包括控制单元和mos管q2，所述控制单元包括信号采集及放大电路、阻容分压滤波电路、驱动电路，所述信号采集及放大电路的输出端与所述阻容分压滤波电路的输入端连接，所述阻容分压滤波电路的输出端与所述驱动电路的输入端连接，所述驱动电路的输出端与所述mos管q2的栅极连接。

作为本实用新型的进一步改进，所述驱动电路包括mosfet驱动集成芯片u1、电阻r4、电阻r5、电阻r6，所述mosfet驱动集成芯片u1的outh引脚与所述电阻r4的一端连接，所述电阻r4的另一端与所述mos管q2的栅极连接，所述mosfet驱动集成芯片u1的outl引脚与所述电阻r5的一端连接，所述电阻r5的另一端与所述mos管q2的栅极连接，所述电阻r6的一端与所述mos管q2的栅极连接，所述电阻r6的另一端与所述mos管q2的源极连接，所述mos管q2的源极接内部电压v_in，所述mos管q2的漏极接外部电压v_out。

作为本实用新型的进一步改进，所述信号采集及放大电路包括二极管d1a、二极管d1b、三极管q1a、三极管q1b，所述三极管q1a的集电极接电阻r4后接供电电压vcc，所述三极管q1a的基极与所述三极管q1b的基极连接，所述三极管q1a的发射极与所述二极管d1a的阳极连接，所述二极管d1a的阴极接外部电压v_out，所述三极管q1b的集电极接供电电压vcc，所述三极管q1b的发射极与所述二极管d1b的阳极连接，所述二极管d1b的阴极接内部电压v_in。

作为本实用新型的进一步改进，所述二极管d1a、二极管d1b的参数一致，所述三极管q1a、三极管q1b的参数一致。

作为本实用新型的进一步改进，所述阻容分压滤波电路包括电阻r1、电阻r2、电阻r3和电容c1，所述电阻r1的一端接供电电压vcc，所述电阻r1的另一端接所述三极管q1b的集电极，所述电阻r2的一端连接于所述电阻r1、三极管q1b的集电极之间，所述电阻r2的另一端分别与所述电阻r3的一端、电容c1的一端、mosfet驱动集成芯片u1的in引脚连接，所述电阻r3的另一端接内部电压v_in，所述电容c1的另一端接内部电压v_in。

本实用新型的有益效果是：通过上述方案，提高了mosfet的导通与关断速度、减小导通延迟时间；提高mosfet驱动电压，降低了导通损耗，提高了电路效率。

附图说明

图1是本实用新型一种同步整流mosfet驱动控制电路的电路图。

具体实施方式

下面结合附图说明及具体实施方式对本实用新型作进一步说明。

如图1所示，一种同步整流mosfet驱动控制电路，包括控制单元和mos（mosfet）管q2，所述控制单元包括信号采集及放大电路、阻容分压滤波电路、驱动电路，所述信号采集及放大电路的输出端与所述阻容分压滤波电路的输入端连接，所述阻容分压滤波电路的输出端与所述驱动电路的输入端连接，所述驱动电路的输出端与所述mos管q2的栅极连接。

如图1所示，所述驱动电路包括mosfet驱动集成芯片u1、电阻r4、电阻r5、电阻r6，所述mosfet驱动集成芯片u1的outh引脚与所述电阻r4的一端连接，所述电阻r4的另一端与所述mos管q2的栅极连接，所述mosfet驱动集成芯片u1的outl引脚与所述电阻r5的一端连接，所述电阻r5的另一端与所述mos管q2的栅极连接，所述电阻r6的一端与所述mos管q2的栅极连接，所述电阻r6的另一端与所述mos管q2的源极连接，所述mos管q2的源极接内部电压v_in，所述mos管q2的漏极接外部电压v_out。

如图1所示，所述信号采集及放大电路包括二极管d1a、二极管d1b、三极管q1a、三极管q1b，所述三极管q1a的集电极接电阻r4后接供电电压vcc，所述三极管q1a的基极与所述三极管q1b的基极连接，所述三极管q1a的发射极与所述二极管d1a的阳极连接，所述二极管d1a的阴极接外部电压v_out，所述三极管q1b的集电极接供电电压vcc，所述三极管q1b的发射极与所述二极管d1b的阳极连接，所述二极管d1b的阴极接内部电压v_in。

如图1所示，所述二极管d1a、二极管d1b的参数一致，选择两个二极管集成在一起的器件d1，所述三极管q1a、三极管q1b的参数一致，选择两个三极管集成在一起的器件q1。

如图1所示，所述阻容分压滤波电路包括电阻r1、电阻r2、电阻r3和电容c1，所述电阻r1的一端接供电电压vcc，所述电阻r1的另一端接所述三极管q1b的集电极，所述电阻r2的一端连接于所述电阻r1、三极管q1b的集电极之间，所述电阻r2的另一端分别与所述电阻r3的一端、电容c1的一端、mosfet驱动集成芯片u1的in引脚连接，所述电阻r3的另一端接内部电压v_in，所述电容c1的另一端接内部电压v_in。

本实用新型提供的一种同步整流mosfet驱动控制电路，其工作原理如下：

mosfet应用在同步整流电路中，其d、s两端电压为交流信号。当mos管q2的d、s两极电压差vds为负值（v_in>v_out），电源的输出电流正向经过mosfet的体二极管，输出电流逐渐增大时，三极管q1a逐渐导通（由截止、线性导通、最后到饱和导通），q1b逐渐截止（由饱和导通、线性导通、最后到截止），va和vb的电压逐渐升高，当vb的电压大于驱动芯片输入引脚的导通阈值电压时，mosfet驱动集成芯片u1输出高电平，mos管q2导通；

当mos管q2的d、s两极电压差vds≥0(v_in≤v_out)时，三极管q1a逐渐截止（由饱和导通、线性导通、最后到截止），三极管q1b逐渐导通（由截止、线性导通、最后到饱和导通），va和vb电压的逐渐下降，当vb的电压小于驱动芯片输入引脚的关断阈值电压时，mosfet驱动集成芯片u1输出低电平，mos管q2关断。

本实用新型通过信号采集及放大电路、阻容分压滤波电路、mosfet驱动集成芯片为主体的驱动电路，实现同步整流mosfet的导通与关断。通过调整阻容（电阻r1,电阻r2,电阻r3,电容c1）的参数，可调整vb处的驱动信号的延迟时间、上升时间和下降时间，从而调整mos管q2的导通与关断速度，并增强驱动信号的稳定性。同时利用mosfet驱动芯片的延迟时间短、驱动能力强的特点，同时其输入驱动信号的电压高电平的阈值远小于其供电vcc电压（也是mosfet的正常驱动电压），可显著提高mosfet的导通与关断速度、减小导通延迟时间。

本实用新型提供的一种同步整流mosfet驱动控制电路的优点如下：

通过提高同步整流mosfet的导通与关断速度、减小导通延迟时间，从而减小mosfet体二极管的导通电流时间、减小同步整流mosfet的导通损耗和开关损耗，提高电源工作效率，并提高mosfet的驱动信号的稳定性。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。