1.一种基于d型氮化镓开关器件的低损耗快充电源，其特征在于，包括反激式开关电路及驱动保护电路，其中，所述反激式开关电路包括反激变压器、d型氮化镓开关器件及吸收电路，所述驱动保护电路包括稳压源和二极管；
所述d型氮化镓开关器件的源极串联n型mosfet的漏极，所述n型mosfet的源极与所述d型氮化镓开关器件的门极连接；
所述驱动保护电路中的二极管的阴极与所述稳压源连接，其阳极连接到所述d型氮化镓开关器件的源极节点与n型mosfet的漏极节点的中间连接点，所述二极管用于在所述n型mosfet关断时，将所述d型氮化镓开关器件的门极对源极的负电压钳位在高于所述稳压源电压的水平。
2.根据权利要求1所述的基于d型氮化镓开关器件的低损耗快充电源，其特征在于，所述驱动保护电路还包括与所述二极管并联的高阻值电阻，所述高阻值电阻的阻值大于或等于10mω。
3.根据权利要求2所述的基于d型氮化镓开关器件的低损耗快充电源，其特征在于，所述驱动保护电路还包括与稳压二极管，所述稳压二极管与所述二极管串联，以提高所述d型氮化镓开关器件的门极对源极的钳位电压。
4.根据权利要求2所述的基于d型氮化镓开关器件的低损耗快充电源，其特征在于，所述高阻值电阻的阻值大于或等于20mω。
5.根据权利要求1所述的基于d型氮化镓开关器件的低损耗快充电源，其特征在于，所述反激变压器的初级绕组和次级绕组绕制的导线为单股扁平导线，所述初级绕组和次级绕组采用多层相互交叠绕制。
6.根据权利要求1所述的基于d型氮化镓开关器件的低损耗快充电源，其特征在于，所述反激变压器的初级绕组和次级绕组均使用多股导线并排绕制并且所述初级绕组和次级绕组采用多层相互交叠绕制。
7.根据权利要求6所述的基于d型氮化镓开关器件的低损耗快充电源，其特征在于，所述导线为扁平导线。
8.根据权利要求1所述的基于d型氮化镓开关器件的低损耗快充电源，其特征在于，所述反激变压器的交流输入端包括集成交流输入电路板(1)和电源主电路板(2)，所述集成交流输入电路板(1)上设有交流输入插头(11)和用于抑制电磁干扰的滤波网络(12)；
所述集成交流输入电路板(1)上的滤波网络(12)与所述电源主电路板(2)上的电源主电路(21)通过焊接实现电连接。
9.根据权利要求8所述的基于d型氮化镓开关器件的低损耗快充电源，其特征在于，所述滤波网络(12)还具有前端电容(13)，所述前端电容(13)直接跨接在所述交流输入插头(11)的端口。