技术特征：
1.一种mosfet栅极负反馈有源驱动电路，用于连接驱动信号，进行控制被控mosfet的开和关，其特征在于：包括：一辅助mosfet，所述辅助mosfet为p沟道mosfet，所述辅助mosfet源极与被控mosfet栅极相连接，用于构造负反馈调节机制，所述辅助mosfet漏极连接到驱动电压；所述驱动电压为驱动芯片经过无源网络滤波后的电压。2.根据权利要求1所述的一种mosfet栅极负反馈有源驱动电路，其特征在于：还包括：第一节点、第二节点以及第三节点；驱动推挽电路，用于提供驱动电流以驱动被控mosfet，所述驱动信号连接至所述驱动推挽电路，所述驱动推挽电路与第三节点串联；驱动电阻r，所述驱动电阻r一端与驱动推挽电路串联，另一端与第一节点相连，用于限制驱动推挽电路对辅助电容c的充放电电流，第一节点与被控mosfet源极之间的电压差为驱动电压；辅助电容c，所述辅助电容c一端与第一节点相连接，另一端通过第三节点与被控mosfet源极相连接，与驱动电阻r构成无源网络，用于调节被控mosfet的开关速度；所述辅助mosfet漏极和栅极通过第二节点与所述驱动电阻r串联。3.根据权利要求2所述的一种mosfet栅极负反馈有源驱动电路，其特征在于：所述驱动推挽电路包括一mosfet驱动芯片、开通偏置电压v
cc
以及关断偏置电压v
ee
；所述mosfet驱动芯片输出电源正端口连接至开通偏置电压v
cc
的正极，所述mosfet驱动芯片输出电源负端口连接至关断偏置电压v
ee
的负极，所述mosfet驱动芯片的驱动输出端口连接至所述驱动电阻r的一端，所述驱动芯片的驱动输入端口连接至驱动信号；所述开通偏置电压v
cc
的负极以及关断偏置电压v
ee
的正极均连接至所述第三节点；在驱动能力上，mosfet的驱动芯片输出电流应不小于(v
cc
‑
v
ee
)/r
g
，其中r
g
为被控mosfet的栅极寄生电阻。4.根据权利要求1所述的一种mosfet栅极负反馈有源驱动电路，其特征在于：所述辅助mosfet的漏源击穿电压不小于v
cc
‑
v
ee
，且承受的连续漏极电流不小于(v
cc
‑
v
ee
)/r
g
。
技术总结
本实用新型提供了一种MOSFET栅极负反馈有源驱动电路，用于SiC、GaN等宽禁带半导体器件在桥臂电路中的高速驱动。基于负反馈控制原理，在不牺牲开关速度的前提下，自动抑制栅源电压干扰，实现高速开关下的栅压稳定。所述电路包括：驱动推挽电路、驱动电阻、辅助电容和辅助MOSFET。其中驱动推挽电路为普通的MOSFET驱动芯片，驱动电阻为电阻R，辅助电容为电容C，辅助MOSFET为P沟道MOSFET Q
技术研发人员：邵天骢 李志君 郑琼林 黄波 王俊兴
受保护的技术使用者：北京交通大学
技术研发日：2020.10.15
技术公布日：2021/9/3