一种GaN基单相逆变电源的制作方法

文档序号:25272733发布日期:2021-06-01 23:57阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种gan基单相逆变电源,其特征在于:包括逆变器下壳体和逆变器上壳体;

所述逆变器下壳体和所述逆变器上壳体活动连接;

所述逆变器下壳体和所述逆变器上壳体形成中空空间m;

所述中空空间m内部设置有驱动与控制电路基板,所述驱动与控制电路基板上设置有boost电感、氮化镓基功率电子器件、llc谐振电感、llc主变压器和逆变器电感;

所述驱动与控制电路基板包括升压电路、llc谐振电路和逆变电路;

所述升压电路一端与所述llc谐振电路一端相连接,所述llc谐振电路的另一端与所述逆变电路相连接。

2.根据权利要求1所述的一种gan基单相逆变电源,其特征还在于:所述boost电感、氮化镓基功率电子器件、llc谐振电感、llc主变压器和逆变器电感外部设置均设置有导热壳体。

3.根据权利要求2所述的一种gan基单相逆变电源,其特征还在于:所述导热壳体内部填充有导热胶。

4.根据权利要求1所述的一种gan基单相逆变电源,其特征还在于:所述逆变器下壳体的边沿和逆变器上壳体的边沿通过密封胶条连接。

5.根据权利要求1所述的一种gan基单相逆变电源,其特征还在于:该电源的外形尺寸为560mm×380mm×110mm。

6.根据权利要求1所述的一种gan基单相逆变电源,其特征还在于:该电源的防护等级为ip65。


技术总结
本实用新型公开了一种GaN基单相逆变电源,属于逆变器技术领域,该电源包括逆变器下壳体和逆变器上壳体;逆变器下壳体和逆变器上壳体活动连接;逆变器下壳体和逆变器上壳体形成中空空间M;中空空间M内部设置有驱动与控制电路基板,驱动与控制电路基板上设置有Boost电感、氮化镓基功率电子器件、LLC谐振电感、LLC主变压器和逆变器电感;驱动与控制电路基板包括升压电路、LLC谐振电路和逆变电路;升压电路一端与LLC谐振电路一端相连接,LLC谐振电路的另一端与逆变电路相连接,该电路采用三级式架构,可有效保证电源的输出品质,逆变电源散热方式可极大简化其散热系统,提高运行可靠性;可减小系统的体积和重量。

技术研发人员:程存欣;梁佳昱;石运卓
受保护的技术使用者:中车大连电力牵引研发中心有限公司
技术研发日:2020.10.30
技术公布日:2021.06.01
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