1.一种交流侧分裂对称解耦单相逆变器，其特征在于，所述交流侧分裂对称解耦单相逆变器包括h桥逆变器，所述h桥逆变器包括对称的上半桥结构和下半桥结构，所述上半桥结构包括并联的上半桥第一单元和上半桥第二单元，所述上半桥第一单元包括并联的绝缘栅双极型晶体管g1、二极管d1和电容c3，所述上半桥第二单元包括并联的绝缘栅双极型晶体管g3、二极管d3和电容c4；所述下半桥结构包括并联的下半桥第一单元和下半桥第二单元，所述下半桥第一单元包括并联的绝缘栅双极型晶体管g2、二极管d2和电容c1，所述下半桥第二单元包括并联的绝缘栅双极型晶体管g4、二极管d4和电容c2，所述上半桥第一单元和所述下半桥第一单元之间设有电感l1，所述上半桥第二单元和所述下半桥第二单元之间设有电感l2。
2.根据权利要求1所述的交流侧分裂对称解耦单相逆变器，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管g1的集电极和发射集之间并联所述二极管d1，所述绝缘栅双极型晶体管g2的集电极和发射集之间并联所述二极管d2，所述绝缘栅双极型晶体管g3的集电极和发射集之间并联所述二极管d3，所述绝缘栅双极型晶体管g4的集电极和发射集之间并联所述二极管d4。
3.根据权利要求1所述的交流侧分裂对称解耦单相逆变器，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管g1的集电极、所述二极管d1的负极和所述电容c3的正极接电源的正极端，所述绝缘栅双极型晶体管g3的集电极、所述二极管d3的负极和所述电容c4的正极接电源的正极端；所述绝缘栅双极型晶体管g2的发射极、所述二极管d2的正极和所述电容c1的负极接电源的负极端，所述绝缘栅双极型晶体管g4的发射极、所述二极管d4的正极和所述电容c2的负极接电源的负极端。
4.根据权利要求1所述的交流侧分裂对称解耦单相逆变器，其特征在于，所述电感l1和所述电感l2为交流侧滤波电感。
5.根据权利要求1所述的交流侧分裂对称解耦单相逆变器，其特征在于，所述电容c1、所述电容c2、所述电容c3和所述电容c4为交流侧原有对称分裂滤波电容，所述电容c1、所述电容c2、所述电容c3和所述电容c4用于缓冲系统二倍频功率。
6.根据权利要求1所述的交流侧分裂对称解耦单相逆变器，其特征在于，还包括电阻，所述电阻位于所述上半桥第一单元、所述上半桥第二单元、所述下半桥第一单元和所述下半桥第二单元之间。