1.一种装置，包括：
一个同步整流控制器；
一个多功能开关，导电耦合到同步整流控制器上，其中多功能开关包括一个结型场效应晶体管(jfet)，其源极耦合到同步整流控制器的充电输入端和定时/控制输入端。
2.权利要求1所述的装置，还包括一个次级侧整流金属氧化物场效应晶体管(mosfet)，耦合到同步整流控制器上，其中次级侧整流mosfet的栅极电极导电耦合到同步整流控制器上。
3.权利要求2所述的装置，还包括一个功率变压器，其中多功能开关导电耦合到功率变压器的次级侧或次级侧整流mosfet的漏极电极上。
4.权利要求3所述的装置，还包括一个初级侧mosfet，其中功率变压器的初级侧导电耦合到初级侧mosfet上，并且其中初级侧mosfet和变压器的初级侧进行了配置，使得流经初级侧mosfet和功率变压器的初级侧的电流，当初级侧mosfet“断开”时，电流流经功率变压器的次级侧。
5.权利要求1所述的装置，还包括一个导电耦合到jfet上的电阻器，其中jfet是一个n-通道jfet，并且其中n-通道jfet的栅极电极和电阻器的一个端子都导电耦合到同一个接地平面上，或者共同短接，与功率转换器的接地端分开。
6.权利要求1所述的装置，还包括一个第一or-ingmosfet，导电耦合到jfet上以及同步整流控制器的充电输入端上，其中第一or-ingmosfet被配置成当来自变压器次级绕组或转换器输出的高压侧线路的电压不足以对同步整流器控制器充电时“导通”。
7.权利要求6所述的装置，还包括一个第二or-ingmosfet导电耦合到同步整流控制器的充电输入端以及变压器的次级侧的高压侧线路或功率转换器的输出端上，其中当来自功率变压器次级绕组的高压侧线路或功率转换器输出端的电压，不足以为同步整流控制器充电时，第二or-ingmosfet被配置为“导通”，第一or-ingmosfet被配置为“断开”。
8.权利要求1所述的装置，还包括一个二极管，导电耦合到多功能开关和同步整流控制器的充电输入端上。
9.权利要求1所述的装置，其中jfet导电耦合到次级侧整流mosfet的漏极电极上，其中配置jfet，当来自变压器的次级侧的电压超过电压极限时，配置jfet可以承载超出电压极限以上的多余电压，并且如果第一or-ingmosfet接通的话，jfet将传导电流。
10.权利要求2所述的装置，其中从耦合到jfet的变压器的次级侧的电压变化和jfet的电压输出的变化之间存在小于1秒的延迟。
11.权利要求9所述的装置，其中电压极限是同步整流控制器的电压公差，或者电压极限处于或低于100伏。
12.一种提供次级侧控制信号和功率转换器中的充电输入端的方法，包括：
从jfet向同步整流控制器提供电流，jfet具有导电耦合到次级侧整流mosfet的漏极，其中jfet的源极耦合到同步整流控制器的定时/传感输入和充电输入；
使jfet的源极到栅极电压在jfet的导通阈值处偏置，用于充电的固定输出，其中jfet在低电压下通过次级侧整流mosfet的漏极至源极进行定时/传感；以及
通过jfet在次级侧整流mosfet的漏源电极上以低电压向同步整流控制器施加输入电压，或者通过jfet在充电输入端向第一mosfet施加输入电压，或者在高压下通过次级侧向第一个or-ingmosfet施加输入电压整流mosfet。
13.权利要求12所述的方法，其中同步整流控制器为整流mosfet提供一个控制信号，其中配置控制信号，防止反向电流在充电工作周期内流经功率变压器的次级侧。
14.权利要求12所述的方法，其中jfet导电耦合到功率变压器的次级侧的低压侧线路，或次级整流mosfet的漏极电极上。
15.权利要求12所述的方法，其中通过第一or-ingmosfet为同步整流器控制器供电的电流，并且当第二or-ingmosfet处的电压处于或低于较高的电压公差，并且处于或高于同步整流控制器的最小工作电压时，第一or-ingmosfet被断开。
16.权利要求15所述的方法，还包括当从功率变压器的次级侧接收到电压等于或低于上电压公差，且等于或高于同步整流控制器的最小工作电压的电压时，接通第二or-ingmosfet，并当第二个mosfet处于“导通”状态时，通过第二mosfet向同步整流控制器和电容器提供电流。
17.权利要求16所述的方法，其中从变压器的次级侧的高压侧线路或转换器的输出端，接收第二or-ingmosfet处的电压，并且其中第二or-ingmosfet导电耦合到变压器的次级侧的高压侧线路或转换器的输出端上。
18.权利要求12所述的方法，还包括从变压器的次级侧的低压侧线路接收jfet处的电流，并且其中jfet导电耦合到变压器的次级侧的低压侧线路上。
19.权利要求12所述的方法，还包括从次级侧整流mosfet的漏极电极接收jfet处的电流，并且其中jfet导电耦合到次级侧整流mosfet的漏极电极上。
20.权利要求12所述的方法，其中jfet是一个n-通道jfet。