技术特征：
1.一种低电流失配的电荷泵电路，其特征在于，包括基准电流偏置电路，基准电流偏置电路分别与充电电路和放电电路的输入端连接，充电电路和放电电路的输出端分别与运算放大器输入端的正极和负极连接，运算放大器的负极与运算放大器的输出端连接形成单位增益负反馈结构，运算放大器的正极作为电荷泵的输出端口，分别连接第一源跟随器的输入端和第二源跟随器的输入端；基准电流偏置电路用于产生充电电流基准和放电电流基准；充电电路用于复制基准电流源电流，并将充电电流送到电荷泵电路的输出端；放电电路用于复制基准电流源电流，并将放电电流送到电荷泵电路的输出端；运算放大器用于稳定电压；第一源跟随器用于实现电压vn跟随输出电压v
out
变化；第二源跟随器用于实现电压vp跟随输出电压v
out
变化。2.根据权利要求1所述的低电流失配的电荷泵电路，其特征在于，基准电流偏置电路包括m1，电源v
dd
经基准电流源i
cp
与m1的漏极连接，m1的栅极分别与m3的栅极和偏置电压v
bn
连接，m1的源极与m2的漏极连接，m2的栅极与m4的栅极、m1的漏极连接，m2的源极与gnd连接，m4的源极与gnd连接，m4的漏极与m3的源极连接，m3的漏极与m12的源极连接，m12的栅极与vn连接，m12的漏极与m11的漏极连接，m11的栅极与vp连接，m11的源极与m10的漏极连接，m10的栅极与偏置电压v
bp
连接，m10的源极与m9的漏极连接，m9的栅极与m11、m12的漏极连接，m9的源极与v
dd
连接。3.根据权利要求2所述的低电流失配的电荷泵电路，其特征在于，m1，m2，m3，m4，m12均为n沟道场效应晶体管；m9，m10，m11均为p沟道场效应晶体管。4.根据权利要求1所述的低电流失配的电荷泵电路，其特征在于，充电电路包括m13，m13的源极与电源v
dd
连接，m13的栅极分别与基准电流偏置电路中m9的栅极、m11的漏极、m12的漏极连接；m13的漏极与m14的源极连接，m14的栅极与基准电流偏置电路中m10的栅极连接，m14的漏极分别与m17的源极、m18的源极连接，m17的栅极与up连接；m17的漏极分别与运算放大器的输出、运算放大器的负极输入、放电电路中m19的漏极连接，m18的栅极与upb连接，m18的漏极分别与运算放大器的正极输入端、放电电路中m20的漏极、电荷泵的输出端v
out
连接。5.根据权利要求4所述的低电流失配的电荷泵电路，其特征在于，m9，m11，m13，m14，m17，m18均为p沟道场效应晶体管；m12，m19，m20均为n沟道场效应晶体管。6.根据权利要求1所述的低电流失配的电荷泵电路，其特征在于，放电电路包括m6，m6的源极与gnd连接，m6的栅极与基准电流偏置中m2的栅极、m4的栅极、m1的漏极连接，m6的漏极与m5的源极连接；m5的栅极与基准电流偏置中m1的栅极、m3的栅极连接，m5的漏极与m19的源极、m20的源极连接，m19的栅极与dnb连接，m19的漏极分别与运算放大器的输出、运算放大器的负极输入、充电电路中m17的漏极连接，m20的栅极与dn连接，m20的漏极分别与运算放大器的正极输入端、充电电路中m18的漏极、电荷泵的输出端v
out
连接。7.根据权利要求6所述的低电流失配的电荷泵电路，其特征在于，m17，m18均为p沟道场效应晶体管；m1，m2，m3，m4，m5，m6，m19，m20均为n沟道场效应晶体管。8.根据权利要求1所述的低电流失配的电荷泵电路，其特征在于，第一源跟随器包括m15和m16，m15的源极电源与v
dd
连接，m15的栅极分别与充电电路中m13的栅极、基准电流偏置中m9的栅极、基准电流偏置中m11的漏极、基准电流偏置中m12的漏极连接，m15的漏极分别与m16的源极、vn连接，m16的栅极与输出电压v
out
连接，m16的漏极与gnd连接；第一源跟随
器的输出vn与基准电流偏置中m12的栅极连接；m9，m11，m13、m15，m16为p沟道场效应晶体管，m12为n沟道场效应晶体管，m12、m15和m16为低阈值晶体管。9.根据权利要求1所述的低电流失配的电荷泵电路，其特征在于，第二源跟随器包括m7和m8，m7的漏极与电源v
dd
连接，m7的栅极与输出电压v
out
连接，m7的源极分别与m8的漏极、vp连接，m8的栅极分别与放电电路中m6的栅极、基准电流偏置中m1漏极、基准电流偏置中m2栅极、基准电流偏置中m4栅极连接，m8源极与gnd连接；第二源跟随器的输出vp与基准电流偏置中m11的栅极连接；m1，m2，m4，m7，m8均为n沟道场效应晶体管，m7、m8和m11为低阈值晶体管。