一种并联供电保护电路和电子设备的制作方法

文档序号:29914213发布日期:2022-05-06 03:12阅读:127来源:国知局
一种并联供电保护电路和电子设备的制作方法

1.本公开涉及电源技术领域,尤其涉及一种并联供电保护电路和电子设备。


背景技术:

2.多个供电单元并联供电的电路架构常应用在大功率电子设备,或者需要备份电源以减小故障率的电路系统。
3.常规的一种并联供电保护电路是在电源线上串联二极管进行防反接和防电流倒灌。这种电路明显的缺点是二极管导通压降太大,大电流时造成热耗太大,不适用于功耗要求严格的场合。而另一种并联供电保护电路是利用nmos管和oring控制器,实现接近理想二极管的电路,此方式虽然能够解决普通二极管带来的热耗问题,但实现成本高,oring控制器的正向耐压和反向耐压限制了其使用范围,并且在通信设备机房中,配电方案常用
“‑
48v”的供电系统,即电源“+”接地,该方式无法应用于上述
“‑
48v”的供电系统。


技术实现要素:

4.为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题,本公开提供了一种并联供电保护电路和电子设备,通过采用简单的电路结构,同时实现了通信电源的防电流倒灌、短路保护、反接保护以及电源自动选择,保障了通信电源的小型化、高可靠性以及低成本。
5.本公开实施例提供了一种并联供电保护电路,包括至少两个供电支路;每个所述供电支路包括电源正极接口、电源负极接口、功率nmos管、栅压偏置电路、开关管和比较器;
6.所述电源正极接口和所述电源负极接口用于接入供电单元,所述电源正极接口通过正极电源线与负载的负载正极端直接连接,所述电源负极接口通过负极电源线与所述负载的负载负极端连接;
7.所述功率nmos管串联于所述负极电源线上,且功率nmos管的漏极、比较器的第一输入端和电源负极接口相互连接,功率nmos管的源极、比较器的第二输入端和负载负极端相互连接,功率nmos管的栅极和栅压偏置电路的栅压偏置端连接,比较器的输出端与开关管的控制端连接,开关管的通路端与栅压偏置电路连接;
8.当功率nmos管的源极电压大于功率nmos管的漏极电压时,比较器输出第一控制信号,以使开关管控制栅压偏置电路为功率nmos管提供栅极电压;当功率nmos管的源极电压小于功率nmos管的漏极电压时,比较器输出第二控制信号,以使开关管控制栅压偏置电路停止为功率nmos管提供栅极电压。
9.本公开实施例提供的电路中,栅压偏置电路的第一端和负载正极端连接,开关管的第一通路端与栅压偏置端连接,栅压偏置电路的第二端、开关管的第二通路端和负载负极端相互连接。
10.本公开实施例提供的电路中,开关管为nmos管,开关管的第一通路端为漏极,开关管的第二通路端为源极,开关管的控制端为栅极,比较器的第一输入端为同相输入端,比较
器的第二输入端为反相输入端。
11.本公开实施例提供的电路中,还包括电压限幅电路,连接于功率nmos管的漏极与比较器的输入端之间,用于限制比较器的第一输入端和第二输入端的电压差的大小。
12.本公开实施例提供的电路中,电压限幅电路包括第一电阻和二极管,第一电阻的第一端和功率nmos管的漏极连接,第一电阻的第二端、二极管的阳极和比较器的第一输入端相互连接,二极管的阴极和比较器的第二输入端连接。
13.本公开实施例提供的电路中,第一电阻的阻值范围为105至106欧姆数量级。
14.本公开实施例提供的电路中,还包括供电电路,与比较器的电源正极端连接,用于为比较器供电,并限制比较器输出的高电平的幅度。
15.本公开实施例提供的电路中,供电电路包括第二电阻和稳压二极管,第二电阻的第一端和电源正极接口连接,第二电阻的第二端和稳压二极管的阴极连接,稳压二极管的阳极和负载负极端连接。
16.本公开实施例提供的电路中,比较器的电源负极端与负载负极端连接。
17.本公开实施例还提供了一种电子设备,包括设备本体和任一项如上所述的并联供电保护电路;所述设备本体包括所述负载正极端和所述负载负极端。
18.本公开实施例提供的技术方案与现有技术相比具有如下优点:在负极电源线上串联功率nmos管,功率nmos管的漏极与比较器的第一输入端连接,功率nmos管的源极与比较器的第二输入端连接,比较器的输出端与开关管的控制端连接,开关管的通路端与栅压偏置电路连接,功率nmos管的栅极和栅压偏置电路的栅压偏置端连接。如此,一旦功率nmos管的漏极电压大于源极电压,即有电流倒灌趋势或供电单元反接,比较器便通过开关管控制栅压偏置电路停止为功率nmos管提供栅极电压,使得功率nmos管关闭,此时功率nmos管等效成一个反偏的二极管,其等效电阻很大,从而阻止电流倒灌并有效防止供电单元反接。而且,功率nmos管完全导通时的导通电阻只有毫欧量级,导通电阻极小,使得功率损耗很小。更为重要的是,供电系统的地不受本公开并联供电保护电路中各元器件的限制,即可正极接地,也可负极接地,因此,本公开并联供电保护电路的通用性强,能够应用在
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48v”的供电系统。
附图说明
19.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本公开的实施例,并与说明书一起用于解释本公开的原理。
20.为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,对于本领域普通技术人员而言,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
21.图1为现有的一种并联供电保护电路的结构简图;
22.图2为现有的另一种并联供电保护电路的结构简图;
23.图3为本公开实施例提供的一种并联供电保护电路的结构框图;
24.图4为本公开实施例提供的并联供电保护电路中另一种供电支路的结构框图;
25.图5为本公开实施例提供的并联供电保护电路中又一种供电支路的结构框图;
26.图6为本公开实施例提供的并联供电保护电路的电路图。
具体实施方式
27.为了能够更清楚地理解本公开的上述目的、特征和优点,下面将对本公开的方案进行进一步描述。需要说明的是,在不冲突的情况下,本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
28.在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本公开,但本公开还可以采用其他不同于在此描述的方式来实施;显然,说明书中的实施例只是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。
29.图1所示电路结构为一种常规的并联供电保护电路,在各供电单元(电源)的正极电源线上分别串联二极管,例如,在供电单元psu1的正极电源线上串联二极管d5,在供电单元psu2的正极电源线上串联二极管d4,利用二极管进行防反接和防电流倒灌,但是二极管导通压降太大,大电流时造成热耗太大,不适用于功耗要求严格场合。图2所示电路结构为另一种常规的并联供电保护电路,在各供电单元的正极电源线上分别串联nmos管,例如,在供电单元psu1的正极电源线上串联nmos管k1,在供电单元psu2的正极电源线上串联nmos管k2,并同时在nmos管上并接oring控制器,实现接近理想二极管的电路。该电路结构在防反接和防电流倒灌的同时解决了普通二极管的热耗问题,不过oring控制器和nmos管的接入方式限制了供电单元必须采用负极接地的方式,导致该电路不适用于供电单元正极接地的供电系统,如通信系统。
30.针对上述技术问题,本公开实施例提供了一种并联供电保护电路。具体的,图3为本公开实施例的两个供电单元并联供电保护电路的结构框图,如图3所示,该电路包括至少两个供电支路10(图中仅示意性地示出了两个供电支路);每个供电支路10包括电源正极接口in+、电源负极接口in-、功率nmos管11、栅压偏置电路12、开关管13和比较器14;电源正极接口in+和电源负极接口in-用于接入供电单元,电源正极接口in+通过正极电源线与负载的负载正极端直接连接,电源负极接口in-通过负极电源线与负载的负载负极端连接;功率nmos管11串联于负极电源线上,且功率nmos管11的漏极d、比较器14的第一输入端a1和电源负极接口in-相互连接,功率nmos管11的源极s、比较器14的第二输入端a2和负载负极端相互连接,功率nmos管11的栅极g和栅压偏置电路12的栅压偏置端c1连接,比较器14的输出端a3与开关管13的控制端b1连接,开关管13的第一通路端b2与栅压偏置电路12连接;当功率nmos管11的源极电压大于功率nmos管11的漏极电压时,比较器14输出第一控制信号,以使开关管13控制栅压偏置电路12为功率nmos管11提供栅极电压;当功率nmos管11的源极电压小于功率nmos管11的漏极电压时,比较器14输出第二控制信号,以使开关管13控制栅压偏置电路12停止为功率nmos管11提供栅极电压。
31.上述并联供电保护电路中,功率nmos管11为大功率nmos管,以在降低热功耗的同时,能够长时间在大功率环境(如为大功率电子设备供电)下工作。本公开实施例中,比较器14为普通运放工作在开环状态所构成,比较器14输出的第一控制信号和第二控制信号为高电平或低电平,相应的,开关管13为电压控制的开关器件,如mos管。可选的,比较器14的第一输入端a1为同相输入端,比较器14的第二输入端a2为反相输入端,此时,功率nmos管11的漏极电压大于源极电压时,即比较器14的同相输入端的电压大于比较器14的反相输入端的电压,比较器14输出的第二控制信号为高电平。或者,比较器14的第一输入端a1为反相输入端,比较器14的第二输入端a2为同相输入端,此时,功率nmos管11的漏极电压大于源极电压
时,即比较器14的反相输入端的电压大于比较器14的同相输入端的电压,比较器14输出的第二控制信号为低电平。本实施例对开关管的类型和连接结构不作限制,对应上述比较器14输入端的两种设置情况,只要保证开关管13能够基于比较器14输出第一控制信号,控制栅压偏置电路12为功率nmos管11提供栅极电压,且基于比较器14输出第二控制信号,控制栅压偏置电路12停止为功率nmos管11提供栅极电压即可。另外,可以理解的是,由于功率nmos管11串联于负极电源线上,因此,功率nmos管11的耐压需大于负载的工作电压。
32.基于上述技术方案,并联供电保护电路的工作原理如下:对于任一供电支路10,当供电单元正确接入并联供电保护电路,即供电单元的正极接电源正极接口in+,供电单元的负极接电源负极接口in-,且正常供电时,功率nmos管11的源极电压会稍大于其漏极电压,此时比较器14的第一输入端a1的电压小于比较器14的第二输入端a2的电压,比较器14通过比较比较器14的第一输入端a1的电压和比较器14的第二输入端a2的电压,输出第一控制信号,开关管13基于第一控制信号进行自身的关闭或导通,使得栅压偏置电路12为功率nmos管11提供栅极电压,从而保证功率nmos管11的正常工作。当对应的供电单元反接或存在电流倒灌趋势时,功率nmos管11的漏极电压会大于其源极电压,此时比较器14的第一输入端a1的电压大于比较器14的第二输入端a2的电压,比较器14通过比较比较器14的第一输入端a1的电压和比较器14的第二输入端a2的电压,输出第二控制信号,开关管13基于第二控制信号进行自身的导通或关闭,使得栅压偏置电路12停止为功率nmos管11提供栅极电压,此时功率nmos管11的栅极电压接近于0,功率nmos管11处于关闭状态,其等效成一个反偏的二极管,反偏的等效电阻很大,从而阻止电流从功率nmos管11的漏极d流向源极s。需要说明的是,刚上电瞬间,功率nmos管11内部体二极管正向导通,紧接着,栅压偏置电路12给功率nmos管11提供完全导通的栅极电压,从而内部体二极管被旁路,没有电流流过,功率nmos管11完全导通且完全导通时的导通电阻只有几欧姆至几十欧姆,功率损耗很小。
33.另外,本公开实施例提供的并联供电保护电路还可应用于需要电源备份的场景。具体的,当其中一个供电支路10对应的供电单元的供电电压较低时,该供电支路10中功率nmos管11的漏极电压与源极电压之差为较高供电电压与较低供电电压之差,且大于零。如此,通过比较器14、开关管13和栅压偏置电路12的配合,该供电支路10中功率nmos管11被关闭,从而使得该供电支路10连接的供电单元成为备份电源。当供电单元电压相同或很相近时,由于电源传输线存在压降,使得到达负载电源端口的电压完全相同,供电单元都将为负载提供电流。可以理解的是,供电单元的电压越接近则输出的电流越接近。
34.上述实施例提供的并联供电保护电路,在负极电源线上串联功率nmos管,功率nmos管的漏极与比较器的第一输入端连接,功率nmos管的源极与比较器的第二输入端连接,比较器的输出端与开关管的控制端连接,开关管的通路端与栅压偏置电路连接,功率nmos管的栅极和栅压偏置电路的栅压偏置端连接。如此,一旦功率nmos管的漏极电压大于源极电压,即有电流倒灌趋势或供电单元反接,比较器便通过开关管控制栅压偏置电路停止为功率nmos管提供栅极电压,使得功率nmos管关闭,此时功率nmos管等效成一个反偏的二极管,其等效电阻很大,从而阻止电流倒灌并有效防止供电单元反接。而且,功率nmos管完全导通时的导通电阻只有毫欧量级,导通电阻极小,使得功率损耗很小。更为重要的是,供电系统的地不受本公开并联供电保护电路中各元器件的限制,即可正极接地,也可负极接地,因此,本公开并联供电保护电路的通用性强,能够应用在
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48v”的供电系统。
35.在一些实施例中,栅压偏置电路的第一端和负载正极端连接,开关管的第一通路端与栅压偏置端连接,栅压偏置电路的第二端、开关管的第二通路端和负载负极端相互连接。
36.具体的,参见图3,将栅压偏置电路12的第一端c2和负载正极端连接,开关管13的第一通路端b2与栅压偏置端c1连接,栅压偏置电路12的第二端c3、开关管13的第二通路端b3和负载负极端相互连接。如此,一方面,在开关管13的控制端b1接收到第一控制信号时,开关管13的第一通路端b2到第二通路端b3处于开路状态,由栅压偏置电路12的第二端c3到栅压偏置端c1之间的分压为功率nmos管11提供栅极电压;在开关管13的控制端b1接收到第二控制信号时,开关管13的第一通路端b2到第二通路端b3处于短路状态,栅压偏置电路12的第二端c3到栅压偏置端c1之间的部分被旁路,相当于功率nmos管11的栅极g直接连接负载负极端,功率nmos管11的栅极电压接近于0;由此,从而实现开关管13通过栅压偏置电路12对功率nmos管11的关闭和导通的控制。另一方面,通过开关管13的第一通路端b2与栅压偏置端c1连接,开关管13的第二通路端b3与负载负极端连接,相当于开关管13的第一通路端b2与功率nmos管11的栅极g连接,开关管13的第二通路端b3与功率nmos管11的源极连接,从而使得开关管13不需要很高的耐压,而只需大于功率nmos管11的栅极耐压即可。在一些实施例中,栅压偏置电路12可以为电阻分压电路。
37.进一步的,开关管为nmos管,开关管的第一通路端为漏极,开关管的第二通路端为源极,开关管的控制端为栅极,比较器的第一输入端为同相输入端,比较器的第二输入端为反相输入端。如此,通过设置开关管为普通小信号n沟道mos管,在实现对功率nmos管导通与关闭的同时,提高了开关的响应速度以及降低了开关管的热功耗。具体的,基于上述实施例,当功率nmos管的漏极电压小于其源极电压时,比较器输出低电平,从而开关管的栅极没有导通电压而使其源极到漏极处于开路状态,进而不影响功率nmos管的正常工作;当功率nmos管的漏极电压大于其源极电压时,比较器输出高电平,从而开关管完全导通,开关管的源极和漏极之间相当于短路,栅极偏置电路被旁路,使得功率nmos管的栅极电压接近于0,功率nmos管关闭,从而防止电流倒灌。
38.基于上述技术方案,在一些实施例中,并联供电保护电路还可包括电压限幅电路,连接于功率nmos管的漏极与比较器的输入端之间,用于限制比较器的第一输入端和第二输入端的电压差的大小。
39.具体的,图4示出了并联供电保护电路中另一种供电支路的结构。如图4所示,并联供电保护电路还包括电压限幅电路15,该电压限幅电路15连接于功率nmos管11的漏极d与比较器14的输入端(包括第一输入端a1和第二输入端a2)之间。考虑到供电单元出现短路或反接等异常情况时,对应供电支路10中的功率nmos管11的漏极与源极的电压差会大于或等于供电单元的电压,如果在功率nmos管11的漏极d与比较器14的输入端之间没有设置电压限幅电路15,会使得比较器14的第一输入端a1和第二输入端a2之间的电压差很大,以致损坏比较器14。因此,通过在功率nmos管11的漏极d与比较器14的输入端之间设置电压限幅电路15,可以将比较器的第一输入端a1和第二输入端a2的电压差限制在一个较小范围内,避免供电单元短路或反接时,较大的输入电压差损坏比较器14。可选的,电压限幅电路包括第一电阻和二极管,第一电阻的第一端和功率nmos管的漏极连接,第一电阻的第二端、二极管的阳极和比较器的第一输入端相互连接,二极管的阴极和比较器的第二输入端连接。如此,
可将比较器的第一输入端a1和第二输入端a2的电压差限制在二极管的导通电压(如0.7v)内。进一步的,第一电阻的阻值范围为105至106欧姆数量级(如1兆欧姆),即第一电阻的大小与功率nmos管关闭时等效成的反偏二极管的等效电阻的数量级相当。如此,当功率nmos管因供电单元接入异常或有电流倒灌趋势而关闭后,功率nmos管关闭时等效成的反偏二极管与电压限幅电路并联,由于第一电阻的数量级与反偏二极管的等效电阻的数量级相当,因此只有极微弱的反向电流,不会对负载或供电单元造成影响。
40.在一些实施例中,上述并联供电保护电路还可以包括比较器的供电电路。供电电路与比较器的电源正极端连接,用于为比较器供电,并限制比较器输出的高电平的幅度。
41.具体的,图5示出了并联供电保护电路中另一种供电支路的结构。如图5所示,供电电路16与比较器14的电源正极端连接。通过设置供电电路16,能够限制比较器14输出的高电平的幅度,从而保证开关管13不会因为栅极电压过高而烧毁。可选的,供电电路包括第二电阻和稳压二极管,第二电阻的第一端和电源正极接口连接,第二电阻的第二端和稳压二极管的阴极连接,稳压二极管的阳极和负载负极端连接。如此,第二电阻的第一端和电源正极接口连接,使得第二电阻直接从供电单元取电,稳压二极管使比较器工作在安全的电压范围内,并限制比较器输出的高电平的幅度。另外,供电电路还可包括与稳压二极管并联的滤波电容,用于对电压进行滤波。
42.在一些实施例中,比较器的电源负极端与负载负极端连接。如此,可避免在比较器的电源负极端与电源负极接口连接时,由于供电单元反接而烧毁比较器。
43.具体实施时,比较器可以为单电源运放,即两个或多个比较器集成为一体,引出一个电源正极引脚和一个电源负极引脚,由一个电源进行供电,各比较器的引脚连接至对应的供电支路中。另外,本公开实施例也可以使用两个或多个独立的比较器,每个比较器单独供电。
44.基于上述各实施例,在本公开一具体实施例中,提供了两个供电支路的并联供电保护电路。图6为本公开实施例提供的并联供电保护电路的电路图。如图6所示,比较器为单电源运放,包括比较器u1a和比较器u1b,供电单元包括psu1和psu2,其中一个供电支路包括电源接口power port1、功率nmos管k1、比较器u1a、第一电压限幅电路、第一供电电路、开关管k2和第一栅压偏置电路,其中,第一电压限幅电路包括电阻r3(对应第一电阻)和二极管d1,第一供电电路包括电阻r4(对应第二电阻)、稳压二极管d2和滤波电容c1,第一栅压偏置电路包括串联的电阻r1和电阻r2。另一个供电支路包括电源接口power port2、功率nmos管k3、比较器u1b、第二电压限幅电路、第二供电电路、开关管k2和第二栅压偏置电路,其中,第二电压限幅电路包括电阻r7(对应第一电阻)和二极管d3,由于比较器为单电源运放,因此第二供电电路与第一供电电路为同一供电电路,即第二供电电路包括电阻r4(对应第二电阻)、稳压二极管d2和滤波电容c1,第二栅压偏置电路包括串联的电阻r5和电阻r6。电源接口power port1和电源接口power port2的接口1均为电源正极接口,接口2均为电源负极接口。开关管k2和开关管k4为开关mos管。
45.具体的,功率nmos管k1(或k3)串联在负极电源线上,因此功率nmos管k1(或k3)的耐压需要高于负载load的工作电压。功率nmos管k1(或k3)的源级接负载load的负载负极端,漏极接psu1(或psu2)的
“‑”
端。功率nmos管的栅极电压由栅压偏置电路的两个电阻r1和r2(或r5和r6)从负载侧的正负电源端分压取电提供。两个正极电源线接在一起,负极电源
线则接到功率nmos管k1(或k3)的漏极。刚上电瞬间,功率nmos管k1(或k3)内部体二极管正向导通,紧接着,栅压偏置电路r1和r2(或r5和r6)给功率nmos管k1(或k3)提供完全导通的栅极电压,从而内部体二极管相当于被旁路,没有电流流过。功率nmos管k1(或k3)完全导通时导通电阻只有几mω至几十mω,功率损耗很小。
46.功率nmos管k1(或k3)的栅压受开关mos管k2(或k4)控制,开关mos管k2(或k4)为普通小信号n沟道mos管,漏极和源极分别接在功率nmos管k1(或k3)的栅压偏置电路低电位电阻r2(或r6)的两端(即功率nmos管的栅极和源极两端),因此开关mos管k2(或k4)不需要很高的漏源极耐压,只需大于功率nmos管k1(或k3)的栅极电压的耐压即可。开关mos管k2(或k4)的栅极则由比较器u1a(或u1b)的输出端直接驱动。比较器的反相输入端接功率nmos管k1(或k3)源级(即运放芯片工作地gnd_signal),同相输入端检测经过电压限幅后的功率nmos管k1(或k3)漏极。
47.当电路正常工作时功率nmos管k1(或k3)电流方向是由源级到漏极再到psu1(或psu2)的
“‑”
极,那么源级电压必定稍微大于漏极电压,即比较器u1a(或u1b)反相输入端电压大于同相输入端电压,则比较器u1a(或u1b)输出低电平,从而开关mos管k2(或k4)栅极没有导通电压而使其漏源极处于开路状态,从而不影响功率nmos管k1(或k3)的正常工作。
48.当功率nmos管k1(或k3)有漏极到源级的电流趋势时,即漏极电压大于源级电压,亦即比较器同相输入端电压大于反相输入端电压,比较器输出高电平,驱动开关mos管k2(或k4)完全导通,开关mos管k2(或k4)的漏源极之间相当于短路,即功率nmos管的栅压偏置电路低电位电阻r2(或r6)相当于被旁路,亦即大功率nmos管k1(或k3)栅压接近于0,功率nmos管k1(或k3)处于关闭状态。此时功率nmos管k1(或k3)等效成一个反偏的二极管,反偏的等效电阻很大,从而阻止这种电流倒灌。
49.进一步的,当其中一个psu电压较低时,则与该psu相连的功率nmos管漏源极电压差为较高电压的psu和较低电压的psu的电压之差,大于零,从而较低电压的psu单元相连的功率nmos管被关闭,较低电压的psu成为备份电源。当两个供电单元电压相同或很相近,由于电源传输线存在压降,使得到达电子设备电源端口的电压完全相同,两个psu都将为负载load提供电流。
50.当其中一个psu出现短路另一个psu正常接入时,出现短路的psu对应供电支路上的功率nmos管漏源极电压差为另一个psu的电压,则该供电支路上的功率nmos管被关闭,功率nmos管等效成反偏二极管,该反偏二极管与比较器输入电压限幅电路并联,电压限幅电路中的电阻r3(或r7)为1mω左右的大电阻,和二极管的反偏等效电阻相当数量级,因此只有极微弱的反向电流,不会对负载load或psu造成影响。
51.当其中一个psu出现反接另一个psu正常接入时,反接psu对应供电支路上的功率nmos管漏源级电压差为两个psu电压之和,因此功率nmos管的漏源耐压值应大于两倍输入电压以上。同时,比较器由于输入端加入了电压限幅电路而得到了保护。
52.两个psu都反接时,两个功率nmos管都反偏截止,负载load侧无电压,比较器无供电电压,整个电路都得到了保护。
53.本公开实施例中,比较器的输入电压和供电电压都用了结构很简单的电阻和二极管电路做限幅措施,结构简单且成本低,使整个电路的耐压不受功率nmos管的外围器件限制,只要功率nmos管的漏源极耐压足够,就可以轻易使整个电路工作在较高的电压上,能够
完全适用于通信设备机房中常用的36v至72v电压范围的供电系统。
54.基于上述各实施例,本公开实施例还提供了一种电子设备,该电子设备包括设备本体和如本公开任一实施例提供的并联供电保护电路;本公开实施例中,设备本体为上述实施例中的负载,设备本体包括负载正极端和负载负极端。
55.需要说明的是,在本文中,诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个
……”
限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
56.以上所述仅是本公开的具体实施方式,使本领域技术人员能够理解或实现本公开。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本公开的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本公开将不会被限制于本文所述的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
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