1.本技术涉及电子技术领域,尤其涉及一种供电电路以及低压大电流变换器。
背景技术:2.随着电子技术的发展,各类微处理器、微型电子(integrated circuitchip,ic)芯片和数字信号处理器越来越普及,从而使得低压大电流变换器得到广泛的应用。
3.在相关技术中,低压大电流变换器采用低导通阻抗的同步整流mos管取代快恢复二极管,起到整流作用,替换传统意义上的快恢复二极管,从而降低整流损耗、提高变换器效率。
4.然而,在低压大电流变换器中的负载所需的电压幅值较大时,现有的低压大电流变换器中的供电电路通常无法提供符合要求的输出电压。
技术实现要素:5.本技术实施例提供了一种供电电路以及低压大电流变换器,可以解决现有技术中低压大电流电源无法满足负载所需的电压幅值的技术问题
6.烘干机检测的准确性不高的问题。所述技术方案如下:
7.第一方面,本技术实施例提供了一种供电电路,应用于低压大电流变换器,包括:输出模块和升压模块;
8.所述升压模块分别与所述输出模块和所述低压大电流变换器中的负载连接;
9.所述输出模块用于向所述升压模块输出第一输出电压和驱动信号;
10.所述升压模块用于在所述驱动信号的驱动下将所述第一输出电压转换为第二输出电压,并使用所述第二输出电压为所述负载供电,所述第一输出电压小于所述第二输出电压。
11.第二方面,本技术实施例提供了一种供电设备,包括如第一方面及其可选方案所述的供电电路。
12.在本技术实施例中,供电电路包括输出模块和升压模块;所述输出模块与所述升压模块连接,所述升压模块与负载连接;所述输出模块用于向所述升压模块输出第一输出电压和驱动信号;所述升压模块用于在所述驱动信号的驱动下将所述第一输出电压抬升为第二输出电压,并使用所述第二输出电压为所述负载供电。与现有技术相比,本技术提供的供电电路通过升压模块将原有的第一输出电压抬升为第二输出电压,从而可以满足负载所需的电压幅值。
附图说明
13.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以
根据这些附图获得其他的附图。
14.图1为本技术实施例提供的一种供电电路的结构示意图;
15.图2为本技术实施例提供的另一种供电电路的结构示意图;
16.图3为本技术实施例提供的再一种供电电路的结构示意图;
17.图4为本技术实施例提供的一种低压大电流变换器的结构示意图。
18.附图标记:
19.100
‑
低压大电流变换器;
20.200
‑
供电电路;
21.210
‑
输出模块;
22.211
‑
电压输出端;
23.212
‑
信号输出端;
24.220
‑
升压模块;
25.221
‑
第一电容;
26.222
‑
第二电容;
27.223
‑
第三电容;
28.224
‑
第一二极管;
29.225
‑
第二二极管;
30.226
‑
第一电阻;
31.230
‑
稳压模块;
32.300
‑
负载;
33.400
‑
同步整流电路;
34.500
‑
处理器。
具体实施方式
35.为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本技术实施例方式作进一步地详细描述。
36.应当明确,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本技术保护的范围。
37.下面的描述涉及附图时,除非另有表示,不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本技术相一致的所有实施方式。相反,它们仅是如所附权利要求书中所详述的、本技术的一些方面相一致的装置和方法的例子。
38.在本技术的描述中,需要理解的是,术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序,也不能理解为指示或暗示相对重要性。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。此外,在本技术的描述中,除非另有说明,“多个”是指两个或两个以上。“和/或”,描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,a和/或b,可以表示:单独存在 a,同时存在a和b,单独存在b这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
39.随着电子技术的发展,各类微处理器、微型电子(integrated circuit chip,ic)芯片和数字信号处理器越来越普及,从而使得低压大电流变换器得到广泛的应用。在相关技术中,低压大电流变换器采用低导通阻抗的同步整流mos管取代快恢复二极管,起到整流作用,替换传统意义上的快恢复二极管,从而降低整流损耗、提高变换器效率。
40.然而,在低压大电流变换器中的负载所需的电压幅值较大时,现有的低压大电流变换器中的供电电路通常无法提供符合要求的输出电压。
41.为解决上述问题,本技术提供了一种供电电路以及低压大电流变换器,由供电电路中的输出模块同时输出第一输出电压和驱动信号,从而使得驱动信号驱动供电电路中的升压模块将第一输出电压抬升为第二输出电压,进而提高了供电电路输出电压的幅值,满足负载的需求。
42.需要说明的是,本技术提供的供电电路不但可以运用于低压大电流变换器中,还可以运用于其他元器件中,本技术实施例对此不做限制。
43.下面提供具体的实施例对本技术提供的供电电路以及低压大电流变换器进行说明。
44.实施例1提供了一种可以对输出电压进行升压的供电电路。
45.实施例2提供了一种供电电路中升压模块的具体结构。
46.实施例3提供了一种包含有稳压模块的供电电路。
47.实施例4提供了一种包含有供电电路的低压大电流变换器。
48.需要注意的是,由于篇幅所限,本技术说明书没有穷举所有可选的实施方式,本领域技术人员在阅读本技术说明书后,应该能够想到,只要技术特征不互相矛盾,那么技术特征的任意组合均可以构成可选的实施方式。
49.例如,在实施例2的一个实施方式中,记载了一个技术特征:第一电容的第一端与信号输出端连接,在实施例1的另一个实施方式中,记载了另一个技术特征:第一电阻串联在第一电容和信号输出端之间。由于以上两个技术特征不互相矛盾,本领域技术人员在阅读本技术说明书后,应该能够想到,同时具有这两个特征的实施方式也是一种可选的实施方式。
50.记载在不同实施例中的不互相矛盾的技术特征也可以任意组合,构成可选的实施方式。
51.例如,实施例3中记载了:稳压模块。为了控制本技术说明书的篇幅,在实施例1、实施例2、实施例4中,并没有记载这个特征。但是本领域技术人员在阅读本技术说明书后,应该能够想到,实施例1、实施例2、实施例4 所提供的供电电路也可以包括该特征。
52.下面对实施例1、实施例2、实施例3进行详细说明。
53.实施例1
54.图1为本技术实施例提供的一种供电电路的结构示意图。请参见图1,供电电路200包括输出模块210和升压模块220。
55.在本技术实施例中,升压模块220分别与输出模块210和低压大电流变换器100中的负载300连接。
56.需要说明的是,本技术实施例对于低压大电流变换器100中的负载300 不做限制,示例性的,可以为处理器等。
57.下面首先对于输出模块210进行说明。
58.在一些实施例中,输出模块210用于向升压模块220输出第一输出电压和驱动信号。其中,本技术实施例对于输出模块210如何输出第一输出电压和驱动信号不做限制,在一些实施例中,输出模块210可以同时包括电压输出端211和信号输出端212,以在输出第一输出电压的同时输出驱动信号。示例性的,电压输出端211用于向升压模块220输出第一输出电压,信号输出端212用于向升压模块220输出驱动信号。
59.应理解,本技术实施例对于第一输出电压的幅值不做限制,可以根据实际情况具体设置。示例性的,可以为5v。
60.应理解,本技术实施例对于驱动信号的类型也不做限制,示例性的,可以为脉冲宽度调制方波信号。在一些实施例中,脉冲宽度调制方波信号的高电平可以为第一输出电压,脉冲宽度调制方波信号的低电平可以为零电压。
61.下面对于升压模块220进行说明。
62.在本技术中,升压模块220用于在驱动信号的驱动下将第一输出电压转换为第二输出电压,并使用第二输出电压为负载300供电,第一输出电压小于第二输出电压。
63.本技术实施例对于第一输出电压的抬升的幅度不做限制,示例性的,若驱动信号为脉冲宽度调制方波信号且高电平可以为第一输出电压,则升压模块220将第一输出电压转换为第二输出电压后,第二电压为第一输出电压的两倍。
64.应理解,本技术实施例对于升压模块220的结构也不做限制。在一些实施例中,升压模块220可以由若干电容和若干二极管组成。二极管在不同电容之间起隔离作用,在脉冲宽度调制方波信号的高电平的驱动下,电容可以将第一输出电压抬升至第二输出电压。
65.输出模块210用于向升压模块220输出第一输出电压和驱动信号;
66.升压模块220用于在驱动信号的驱动下将第一输出电压转换为第二输出电压,并使用第二输出电压为负载300供电,第一输出电压小于第二输出电压。
67.在本技术实施例中,供电电路200包括输出模块210和升压模块220。输出模块210与升压模块220连接,升压模块220与负载300连接。输出模块210用于向升压模块220输出第一输出电压和驱动信号。升压模块220用于在驱动信号的驱动下将第一输出电压抬升为第二输出电压,并使用第二输出电压为负载300供电。与现有技术相比,本技术提供的供电电路200通过升压模块220将原有的第一输出电压抬升为第二输出电压,从而可以满足负载300所需的电压幅值。
68.实施例2
69.图2为本技术实施例提供的另一种供电电路的结构示意图。在上述实施例的基础上,本实施例对于供电电路200中的升压模块220进行具体说明。请参见图2,升压模块220包括第一电容221、第二电容222、第三电容223、第一二极管224和第二二极管225。
70.其中,第一电容221的第一端与信号输出端212连接,第一电容221的第二端与第一二极管224的负极连接,第一二极管224的正极与电压输出端 211连接。
71.第二电容222的第一端分别与电压输出端211和第一二极管224的正极连接,第二电容222的第二端与第二二极管225的负极连接。
72.第三电容223的第一端与第二电容222的第二端连接,第三电容223的第二端接地。
73.需要说明的是,本技术实施例对于第一电容221、第二电容222和第三电容223的电
容量不做限制,可以根据实际情况具体设置。在一些实施例中,第一电容221、第二电容222和第三电容223的电容量可以相等;在另一些实施例中,第一电容221、第二电容222和第三电容223的电容量可以不相等。
74.应理解,第二二极管225和第一二极管224用于在第一电容221、第二电容222、第三电容223之间起隔离作用。
75.下面继续参照图2所示的供电电路200对升压模块220的升压过程进行说明。
76.在本技术实施例中,驱动信号可以为脉冲宽度调制方波信号,脉冲宽度调制方波信号的高电平为第一输出电压,脉冲宽度调制方波信号的低电平为零电压。
77.当脉冲宽度调制方波信号为低电平时,由于第一二极管224的正极与电压输出端211连接,第一二极管224的负极与第一电容221连接,则电压输出端211可以通过第一二极管224将第一电容221充电至第一输出电压,并且使第一电容221保持第一输出电压。
78.当脉冲宽度调制方波信号为高电平时,信号输出端212使用脉冲宽度调制方波信号的高电平为第一电容221充电,由于第一电容221在脉冲宽度调制方波信号为低电平时保持第一输出电压,则信号输出端212可以将第一电容221由第一输出电压抬升为第二输出电压。
79.随后,由于第二二极管225的正极与第一电容221连接,第二二极管225 的负极与第二电容222连接,则第一电容221在充电至第二输出电压后,可以通过第二二极管225将第二电容222充电至第二输出电压。同时,第二电容222在充电至第二输出电压后,可以将第三电容223充电至第二输出电压。
80.最后,由于驱动信号的频率较高,第三电容223可以维持第二输出电压来给负载300供电。
81.在一些可选的实施方式中,升压模块220还包括第一电阻226。第一电阻226串联在第一电容221和信号输出端212之间,第一电阻226用于限流第一电容221和信号输出端212之间的电流,从而保护第一电容221。
82.需要说明的是,本技术实施例对于第一电阻226的阻值也不做限制,可以根据实际情况具体设置。
83.应理解,由于脉冲宽度调制方波信号的高电平为第一输出电压,则第二输出电压可以为第一输出电压的两倍,相应的,本技术提供的升压模块220 可以将输出模块210输出电压升高为两倍后为负载300供电。
84.实施例3
85.图3为本技术实施例提供的再一种供电电路的结构示意图。在上述实施例的基础上,本实施例提供的供电电路200还可以对升压后的电压进行稳压。请参见图3,供电电路200包括:输出模块210、升压模块220和稳压模块 230。
86.其中,升压模块220与输出模块210连接,稳压模块230分别与升压模块220和负载300连接。
87.输出模块210用于向升压模块220输出第一输出电压和驱动信号;
88.升压模块220用于在驱动信号的驱动下将第一输出电压转换为第二输出电压,并使用第二输出电压为负载300供电,第一输出电压小于第二输出电压。
89.稳压模块230用于对升压模块220输出的第二输出电压进行稳压,并使用稳压后的
第二输出电压为负载300供电。
90.需要说明的是,本技术实施例对于稳压模块230的具体结构不做限制,可以为串流稳压电路,也可以为并联稳电路,可以根据实际情况具体设置。
91.实施例4
92.图4为本技术实施例提供的一种低压大电流变换器的结构示意图。请参见图4,低压大电流变换器100可以包括:同步整流电路400、处理器500以及供电电路200。
93.需要说明的是,本实施例涉及的供电电路200可以为实施例1
‑
3提供的可以升高输出电压的供电电路200。
94.在本技术实施例中,处理器500分别与同步整流电路400和供电电路200 连接。
95.供电电路200用于为处理器500供电,处理器500用于控制同步整流电路400进行同步整流。
96.应理解,本技术实施例涉及的处理器500即为上述实施例中的负载300 的一种,本技术实施例对于处理器500的类型不做限制,在一些实施例中,处理器500可以为芯片。
97.在一些实施例中,上述同步整流电路400可以采用通态电阻极低的专用功率金氧半场效晶体管(metal
‑
oxide
‑
semiconductor field
‑
effect transistor, mosfet)来取代整流二极管进行同步整流,从而降低整流损耗。
98.通过本技术实施例提供的供电电路200,可以将给处理器500供电的输出电压进行抬升,从而使得输出电压可以满足处理器500所需的电压幅值。
99.还需要说明的是,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个
……”
限定的要素,并不排除在包括要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
100.以上仅为本技术的实施例而已,并不用于限制本技术。对于本领域技术人员来说,本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本技术的权利要求范围之内。