一种防止充电机反接导致加热带失效的电路的制作方法

1.本实用新型涉及电池管理系统领域，特别是涉及一种防止充电机反接导致加热带失效的电路。


背景技术：

2.在新能源行业，针对锂电池的电池管理系统是电池储能的核心装置，是确保电池安全可靠工作的保障。在电池管理系统中，电池在低温下是不能进行充电的，必须使用加热带将电池加热到一定温度后，才允许进行充电，但是由于使用时会意外将充电机反接，使得电池加热失控，电池过热，从而导致电池损坏。


技术实现要素：

3.鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种防止充电机反接导致加热带失效的电路，用于解决现有技术中充电机反接，使得电池加热失控，从而导致电池损坏的问题。
4.为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种防止充电机反接导致加热带失效的电路，其特征在于：包括加热控制模组、充电控制模组以及放电控制模组；
5.所述加热控制模组包括驱动mos芯片u2，加热控制mos芯片qjr1；
6.所述充电控制模组包括驱动mos芯片u3，充电控制mos芯片qc1-qc4；
7.所述放电控制模组包括驱动mos芯片u1，放电控制mos芯片qp1-qp4；
8.所述驱动mos芯片u2的第1引脚接入电源3.3v，第2引脚接入加热控制信号jr，第4引脚接入电源15v，第3引脚与加热控制mos芯片qjr1的栅极连接，所述加热控制mos芯片qjr1的漏极与加热带的负极连接；
9.所述驱动mos芯片u3的第1引脚接入电源3.3v，第3引脚接入充电控制信号c_c，第6引脚接入电源15v，第5引脚与充电控制mos芯片qc1-qc4的栅极连接，第4引脚与充电控制mos芯片qc1-qc4的源极连接；
10.所述驱动mos芯片u1的第1引脚接入电源3.3v，第3引脚接入放电控制信号d_c，第6引脚接入电源15v，第5引脚与放电控制mos芯片qp1-qp4的栅极连接，第4引脚与放电控制mos芯片qp1-qp4的源极连接；
11.所述充电控制mos芯片qc1-qc4、放电控制mos芯片qp1-qp4的源极分别与加热控制mos芯片qjr1的栅极连接，并且与加热带的负极连接；所述充电控制mos芯片qc1-qc4的漏极与充电机的负极连接；所述放电控制mos芯片qp1-qp4的漏极与电池组的负极连接；所述电池组的正极分别与加热带的正极、充电机的正极连接。
12.于本实用新型的一实施例中，所述充电控制mos芯片qc1-qc4、放电控制mos芯片qp1-qp4的源极经过脉冲吸收二极管tvs1与加热控制mos芯片qjr1的栅极连接。
13.于本实用新型的一实施例中，所述驱动mos芯片u3的第5引脚经过双向脉冲吸收二极管tvs3与充电控制mos芯片qc1-qc4的栅极连接。
14.于本实用新型的一实施例中，所述驱动mos芯片u1的第5引脚经过双向脉冲吸收二极管tvs2与放电控制mos芯片qp1-qp4的栅极连接。
15.于本实用新型的一实施例中，所述驱动mos芯片u3的第5引脚经过电阻r9与充电控制mos芯片qc1的栅极连接，经过电阻r10与充电控制mos芯片qc2的栅极连接，经过电阻r11与充电控制mos芯片qc3的栅极连接，经过电阻r12与充电控制mos芯片qc4的栅极连接。
16.于本实用新型的一实施例中，所述驱动mos芯片u1的第5引脚经过电阻r2与放电控制mos芯片qp1的栅极连接，经过电阻r3与放电控制mos芯片qp2的栅极连接，经过电阻r4与放电控制mos芯片qp3的栅极连接，经过电阻r5与放电控制mos芯片qp4的栅极连接。
17.如上所述，本实用新型的一种防止充电机放电导致加热带失效的电路，具有以下有益效果：本实用新型能够在充电机出现反接的情况时，使得充电机电流从充电机的正极无法通过放电控制mos芯片qp1-qp4到达加热带，加热带不会对电池组进行加热，进而避免电池组加热失控，导致的电池过热损坏。
附图说明
18.图1显示为本实用新型实施例中公开的防止充电机放电导致加热带失效的电路的示意图。
19.图2显示为本实用新型实施例中公开的在充电处于反接状态时电流流向图。
具体实施方式
20.以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
21.需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，遂图式中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
22.请参阅图1，本实用新型提供一种防止充电机反接导致加热带失效的电路，包括加热控制模组、充电控制模组以及放电控制模组；
23.所述加热控制模组包括驱动mos芯片u2，加热控制mos芯片qjr1；
24.所述充电控制模组包括驱动mos芯片u3，充电控制mos芯片qc1-qc4；
25.所述放电控制模组包括驱动mos芯片u1，放电控制mos芯片qp1-qp4；
26.所述驱动mos芯片u2的第1引脚接入电源3.3v，第2引脚接入加热控制信号jr，第4引脚接入电源15v，第3引脚与加热控制mos芯片qjr1的栅极连接，所述加热控制mos芯片qjr1的漏极与加热带的负极连接；
27.所述驱动mos芯片u3的第1引脚接入电源3.3v，第3引脚接入充电控制信号c_c，第6引脚接入电源15v，第5引脚与充电控制mos芯片qc1-qc4的栅极连接，第4引脚与充电控制mos芯片qc1-qc4的源极连接；
28.所述驱动mos芯片u1的第1引脚接入电源3.3v，第3引脚接入放电控制信号d_c，第6引脚接入电源15v，第5引脚与放电控制mos芯片qp1-qp4的栅极连接，第4引脚与放电控制mos芯片qp1-qp4的源极连接；
29.所述充电控制mos芯片qc1-qc4、放电控制mos芯片qp1-qp4的源极分别与加热控制mos芯片qjr1的栅极连接，并且与加热带的负极连接；所述充电控制mos芯片qc1-qc4的漏极与充电机的负极连接；所述放电控制mos芯片qp1-qp4的漏极与电池组的负极连接；所述电池组的正极分别与加热带的正极、充电机的正极连接。
30.其中，所述驱动mos芯片u2的型号为el3h7c，驱动mos芯片u1和驱动mos芯片u3的型号为tlp701a；所述加热控制信号jr、放电控制信号d_c以及充电控制信号c_c均通过外接mcu接入。
31.具体的，所述充电控制mos芯片qc1-qc4、放电控制mos芯片qp1-qp4的源极经过脉冲吸收二极管tvs1与加热控制mos芯片qjr1的源极连接。
32.具体的，所述驱动mos芯片u3的第5引脚经过双向脉冲吸收二极管tvs3与充电控制mos芯片qc1-qc4的栅极连接。
33.具体的，所述驱动mos芯片u1的第5引脚经过双向脉冲吸收二极管tvs2与放电控制mos芯片qp1-qp4的栅极连接。
34.具体的，所述驱动mos芯片u3的第5引脚经过电阻r9与充电控制mos芯片qc1的栅极连接，经过电阻r10与充电控制mos芯片qc2的栅极连接，经过电阻r11与充电控制mos芯片qc3的栅极连接，经过电阻r12与充电控制mos芯片qc4的栅极连接。
35.具体的，所述驱动mos芯片u1的第5引脚经过电阻r2与放电控制mos芯片qp1的栅极连接，经过电阻r3与放电控制mos芯片qp2的栅极连接，经过电阻r4与放电控制mos芯片qp3的栅极连接，经过电阻r5与放电控制mos芯片qp4的栅极连接。
36.本实用新型的工作原理如下：
37.在低温状态下，加热控制信号jr为低电平，驱动mos芯片u2导通；充电控制信号c_c为高电平，充电控制mos芯片qc1-qc4关闭；
38.在充电机处于正常连接状态时：由于充电机开启充电后，外部mcu检测到充电机中处于正常连接，则输出放电控制信号d_c为低电平，mos芯片u1导通，放电控制mos芯片qp1-qp4导通；充电机负极电压低于电池组正极电压，充电机电流从充电机的正极依次通过加热带、加热控制mos芯片qjr1、放电控制mos芯片qp1-qp4、充电机的负极形成正常的加热电流，为电池组加热；在电池组加热过程中，可以将加热控制信号jr设置高电平，mos芯片u2关闭，进而使得加热控制mos芯片qjr1关闭加热，加热带受控，能够确保加热不会失控；
39.请参阅图2，在充电机处理错误连接状态时：由于充电机开启充电后，外部mcu检测到充电机中处于错误连接，则输出放电控制信号d_c为高电平，mos芯片u1截止，放电控制mos芯片qp1-qp4关闭；充电机电流从充电机的正极无法通过放电控制mos芯片qp1-qp4到达加热带，加热带受控，能够确保加热不会失控。
40.综上所述，本实用新型在增加其他防护措施和器件的情况下，能够避免出现充电机放电导致的加热失控的情况。所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
41.上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新
型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。